La,O^＋双注入硅基薄膜室温可见光室发光研究

测量了用离子注入方法将Ｌａ、Ｏ＾＋双注入硅基样品在室温下的光致发光（ＰＬ）谱,实验结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定。在一定范围内发光效率随退火温度和注入顺序的不同而变化。用原子力显微镜观察了不同条件下制备的样品的表面形貌,并对样品的发光机理作了初步探讨。     

稀土La、Nd掺杂硅基薄膜光致发光特性

测量了Ｌａ、Ｎｄ稀土离子注入Ｓｉ基晶片,在不同退火条件下的室温光致发光（ＰＬ）谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰、且发光稳定,在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大,随退火条件的不同而改变。并对样品的发光机理作了初步探讨。     

多孔硅基发光材料的研究进展

介绍了多孔硅经表面钝化后,其发光强度和谱线峰位的稳定性,以及多孔硅激光染料镶嵌膜的荧光光谱等方面的最新成果。     

硅基氧化物薄膜的结构及光吸收特性的研究

采用射频磁控共溅射方法制备了纳米Ge颗粒尺寸的Ge-SiO2薄膜、非晶Si-SiO2薄膜和非晶AlSiO复合薄膜，分析了样品的结构，研究发现3类样品均存在较强的吸收，对于Ge-SiO2薄膜观察到光吸收边随Ge颗粒尺寸变小而蓝移的现象，这主要是由于Ge颗粒的量子限域效应所引起的。而对于非晶样品也出现了光吸收边蓝移和能隙展宽的现象，这可能是由于样品中的杂质或缺陷等受到限域作用的结果。     

纳米硅基薄膜光致发光机制的初步研究

用等离子体化学气相沉积方法制备氢化非晶硅合金薄膜，经高温退火及高温氧化可制备纳米尺寸的晶粒，室温下能发出可见光。实验表明，高温氧化后的纳米颗粒被镶嵌在ＳｉＯ２的无序网络中，其晶粒尺寸减少，而发光强度增强，发光峰位置向短波方向移动。这些结果说明，发光来源于纳米晶粒的量子尺寸效应和覆盖晶粒表面的ＳｉＯ２层的发光中心。     

掺稀土Dy的双势垒薄膜结构隧道发光结的研究

将少量锋土元素Ｄｙ掺入隧道结制备成Ｃｕ－Ｄｙ－Ａｌ２Ｏ３－ＭｇＦ２－Ａｕ结构双势垒发光结，结果表明，稀土元素Ｄｙ的引入，改善了结的粗糙度，使结由界面等离极化激元耦合发光的阈值电压有所降低，结的发光强度得到提高，改善了结的发光性能，与不掺Ｄｙ的结相比，其发光光谱在４６０．８ｎｍ处发生了分裂，这与Ｄｙ掺入后栅区形成的附加能级有关。     

硅基、非硅基介孔材料的研究进展

通过对近年来人们所合成的各种硅基、非硅基介孔材料的介绍,比较了不同介孔材料在合成、应用等方面的优缺点,并简述了其将来的发展前景。     

低温生长硅基碳化硅薄膜研究

在 8 5 0℃的低温下 ,在Si( 10 0 )衬底上生长了 3C SiC薄膜 ,气源为SiH4和C2 H4混合气体。用X射线衍射、X射线光电子能谱和傅立叶红外吸收谱分析了薄膜的晶体结构、组分以及键能随深度的变化。研究表明薄膜为富硅的 3C SiC结晶层 ,其中的Si/C比约为 1 2。     

硅基薄膜太阳电池新进展

能源危机和环境污染的日趋严重极大地促进了光伏产业的迅速发展。过去的5年，在全球硅材料紧缺、价格飙升的情况下，世界光伏市场继续以平均每年40％的幅度增加。2006年实际产量达到2．6GW，产能超过3GW，大大超过对2006年预测的20％～25％的增幅。中国2006年光伏电池地产量达到460MW，比2005年（140MW）增加280％，电池产能达到1200MW。     

退火对两种硅基薄膜的结构及发光影响

采用双离子束共溅射沉积方法制备了两种复合硅基薄膜SiOxCy和SiOxNy薄膜,对两种薄膜进行后退火处理,并分别对样品进行PL、FTIR、XPS谱测试分析,比较退火前后的发光及结构的变化。两种样品的光致发光测试谱(PL)表明:退火前后都有两个发光峰位-都存在470nm的发光峰位,它来自于硅基薄膜中中性氧空位缺陷(O3≡Si-Si≡O3),是由于氧原子配位的二价硅的单态-单态之间的跃迁所致,其发光强度随退火温度的升高而变化。进一步的FTIR和XPS的测试谱表明另外一个发光峰位420nm(SiOxCy薄膜)和400nm(SiOxNy薄膜)分别来自于掺杂杂质(C和N)与硅基薄膜中的Si、O组成的复合结构。而两种样品经过退火处理后掺杂所引起的发光峰位强度随退火温度的升高而增强,说明退火温度的升高有利于发光机制的形成。     

双离子束溅射法制备SiOxNy薄膜的结构与发光

本文采用双离子束溅射沉积法制备了SiOxNy复合薄膜,XRD、TEM测试表明薄膜呈非晶态,FTIR及XPS测试表明薄膜成分由Si、O、N组成,在室温下可观察到样品有400 nm（紫光）、470 nm（蓝光）的光致发光.根据测试分析研究了SiOxNy薄膜的可能的发光机理：470 nm处发光峰为来自于硅基薄膜中中性氧空位缺陷（O3≡Si-Si≡O3）,是由于氧原子配位的二价硅的单态-单态之间的跃迁所致,其发光强度随退火温度的升高而变化,800℃时最大,高于800℃时慢慢减弱;400 nm发光峰的发射与薄膜中的Si、O、N所形成的结构有关,它可能来自于Si、O、N结构所形成的发光中心,该峰位的强度随退火温度的升高而增强.     

硅基薄膜太阳能电池研发获突破并产业化

近日,泉州市金太阳电子科技有限公司投资的硅基薄膜太阳能电池生产线正式落户该市科技园区。该项目生产的硅基薄膜太阳能电池光转化效率将达到7％,使用寿命长达20年,技术居世界领先水平。该项目的实施为我国跻身全球第三代高端薄膜电池市场跨出了关键一步。该公司已开辟了欧洲大规模太阳能发电站的市场,具备了与欧洲火力发电上网电价同等成本的技术和设备优势,     

丝织物基溅射纳米银薄膜的界面性能研究

采用RF磁控溅射技术,通过改变溅射时间的方式在丝织物基材上沉积纳米银薄膜.采用SEM和AFM对丝纤维表面银薄膜进行表征.采用剥离试验讨论薄膜与丝织物基材间的界面结合.结果表明,随溅射时间的延长,丝纤维表面纳米银逐渐增加,纳米银粒径呈增大趋势,薄膜逐渐向连续结构过渡.在实验范围内,溅射时间延长,薄膜与基材间的结合牢度得到提高.     

硅基氧化物发光玻璃及其制备技术研究进展

由于具有高透过率、优异的化学稳定性和易于机械加工等优势, 硅基氧化物玻璃是一种理想的基质材料。通过引入不同的发光组分, 获得不同光学性能的光功能玻璃被广泛应用于多个领域。然而, 这些发光组分在玻璃制备过程中易挥发、分解, 稳定性较低, 所以功能发光玻璃的制备技术仍面临着新的挑战。本文综述了掺杂铋离子、量子点及荧光粉硅基发光玻璃的发展现状及其制备技术。通过比较高温熔融法、溶胶-凝胶法、固相烧结法及放电等离子体烧结技术(简称SPS)的优缺点, 本文着重介绍了SPS技术应用于发光玻璃制备的研究进展及优势, 并对这种新制备技术的发展趋势进行了评述和展望。     

硅基SiC薄膜制备与应用研究进展

碳化硅（SiC）材料具有极为优良的物理、化学及电学性能,可满足在高温、高腐蚀等极端条件下的应用,碳化硅还是极端工作条件下微机电系统（MEMS）的主要候选材料,成为国际上新材料、微电子和光电子领域研究的热点。同时,碳化硅有与硅同属立方晶系的同质异形体,可与硅工艺技术相结合制备出适应大规模集成电路需要的硅基器件,因此用硅晶片作为衬底制备碳化硅薄膜的工作受到研究人员的特别重视。本文综述了近年来国内外硅基碳化硅薄膜的研究现状,就其制备方法进行了系统的介绍,主要包括各种化学气相沉积（Chemical vapor deposition,CVD）法和物理气相沉积（Physical vapor deposition,PVD）法,并归纳了对硅基碳化硅薄膜性能的研究,包括杨氏模量、硬度、薄膜反射率、透射率、发光性能、电阻、压阻、电阻率和电导率等,以及其在微机电系统传感器、生物传感器和太阳能电池等领域的应用,最后对硅基碳化硅薄膜未来的发展进行了展望。     

介孔硅基WO3纳米颗粒薄膜室温气敏元件特性

采用双槽电化学腐蚀法在p＋单晶硅片表面制备介孔硅层（meso-PSlayer）,然后用对向靶磁控反应溅射法在介孔硅表面沉积WO3纳米颗粒薄膜,在干燥空气中于400℃下保温4h进行退火热处理,制备出介孔硅基WO3纳米颗粒薄膜（WO3-PS）室温气敏元件.利用扫描电子显微镜（SEM）分析介孔硅层及WO3-PS的表面形貌,通过X射线衍射（XRD）研究WO3的结晶状态,测试WO3-PS气敏元件在室温下对NO2、NH3的气敏性能,并探讨了WO3-PS气敏元件的工作机理.实验结果表明,在介孔硅表面沉积WO3纳米颗粒薄膜可使介孔硅的气敏性能显著提高,其中在室温下对10×10^-6NO2的灵敏度由5提高至56,大大提高了介孔硅的灵敏度,并降低了其响应/恢复时间,提高了对NO2的选择性.     

规模应用最大尺寸薄膜组件 美国大型硅基薄膜电站并网

据报道，新奥太阳能源集团世界最大的5．7m^3电池板日前在美国最大的并网硅基薄膜电站中得到规模应用。该项目位于宾夕法尼亚州艾伦镇，总装机容量达2MW，全部采用硅基薄膜电池组件，于7月12日完成了并网。     

硅基薄膜多结太阳能电池的结构、制备技术及其效率优化的研究

综述了硅基薄膜多结太阳能电池的制备技术及进展,介绍了电池中间层、隧穿结、高倍聚光以及直接键合等硅基多结太阳能电池的各种新型制备技术。其次,评述了硅基多结太阳能电池在结构方面的研究现状。最后,针对带隙匹配、本征层以及减反膜等方面优化硅基多结太阳能电池效率的研究做了展望。     

国内最大硅基薄膜光伏项目在山东禹城投产

据报道，国内规模最大的硅基薄膜光伏项目山东汉能硅基薄膜太阳能研发制造基地日前投产。     

锑掺杂氧化锡薄膜的制备及其对硅基太阳能电池工作温度的影响

硅基太阳能电池占据着光伏发电的最大份额, 但是在阳光下其工作温度过高会降低电池效率和功率输出, 因此降低硅基太阳能电池在阳光下的工作温度具有重要意义。本研究以氯化亚锡和三氯化锑为原料, 通过简单的溶胶-凝胶法制备锑掺杂氧化锡(ATO)薄膜, 将其作为硅电池盖板, 研究了锑(Sb)掺杂量和薄膜厚度对薄膜红外阻隔性能和硅电池降温性能的影响。研究表明, ATO薄膜的红外遮蔽性能随薄膜厚度增加而提高, 但可见光透过率随之降低。用AM1.5太阳光持续照射30 min后, 使用旋涂1~4层ATO薄膜盖板的硅电池温度比使用普通玻璃盖板的电池最大降低2.7 ℃, 晶硅电池效率可以保持在10.79%以上。此外, 使用10mol%锑掺杂的3层ATO薄膜盖板的硅电池在连续光照30 min后, 温度比使用普通玻璃盖板最大降低1.5 ℃, 效率提高了0.43%。