一种LDO线性稳压电路设计

采用CSMC0．5μm40V工艺和Spectrum仿真平台,设计一款应用于电压保护芯片的LDO（Low Dropout）低压差线性稳压电路。该电路选择PMOS结构的调整管,不需要增加额外的电荷泵电路来驱动;采用带隙基准电压源结构,在1kHz频率下,电源电压抑制比（PSRR）为-67．32dB,在1MHz频率下为-33．71dB;在误差放大器设计中引入频率补偿,改善了稳压器的线性调整率性能。仿真结果表明,常温下当输入电压从1．6V变化到6．6V时,输出电压稳定在1．258V左右,温度系数为31．38ppm,在100kΩ负载下显示出良好的稳压性能。     

杭州士兰微电子三端低压差稳压电路

杭州士兰微电子推出一款3、3V三端低压差稳压电路SC1033，SC1033是SCIOXX系列三端低功耗稳压电路的一种，有几种固定的输出电压，输出电压范围为1．5V～7．0V。该电路采用CMOS工艺制造，以获得低电压降和低静态电流。尽管该电路主要设计用来作为固定的电压稳压器，但也可与其他外部元件配合作为可调电压源和电流源使用。主要特点包括，     

低压差线性稳压器

MAX6469～MAX6484系列是一种低压差线性稳压器，不同的型号在功能上有些差别。     

低压差线性稳压器

<正> MAX8873T/S/R、MAX8874T/S/R MAX8873T/S/R、MAX8874T/S/R是MAXIM公司生产的输出120mA的低压差线性稳压器。     

超低压差线性稳压控制器及其应用

本文详细讨论了超低压差稳压控制器MIC5156／5137／5158的基本工作原理,并且介绍了在恒流源、开关电源二次稳压器和计算机电源中的应用。     

新型大电流、低压差线性稳压器

便携式电子产品的迅速发展促进了电源IC的开发,其中低压差线性稳压器有较快的发展。它不仅减小了输入、输出电压的差值(称之为“低压差”),并且增加了关闭电源功能(具有电源管理功能)及电源工作状态信号输出,使进一步节省电能及更可靠地工作。     

一种抗辐射加固型低压差线性稳压器的研制

介绍了一种抗辐射加固型低压差线性稳压器(LDO)的电路设计,内部集成了精密基准源、误差放大器、输出调整管和上电复位时间控制等模块电路。重点介绍了采用总剂量、中子效应的器件参数变化预估方法进行仿真验证。芯片采用0.6 ?m BiCMOS工艺制造,测试验证结果表明,产品在满足使用要求的同时,具备抗电离总剂量3×103 Gy(Si)、抗中子注量0.6×1014 n?cm-2的性能,适用于核辐射环境。辐射测试结果证明了设计的正确性。     

低压差线性稳压器UC1834及其应用

低压差线性稳压器广泛应用于开关电源的输出端和由电池从电的电子设备中，本文详细介绍了低压差线性稳压器的主要优点，还介绍了集成控制器ＵＣ１８３４的组成、工作原理和实际应用电路。     

一种快速响应低压差线性稳压器的设计

介绍了一种应用于DRAM芯片内部供电的新型低压差线性稳压器(LDO)。在传统LDO电路PMOS输出驱动管的栅端增加了一个开关电容电路,根据负载电流使能信号控制耦合电容的接入,使驱动管的栅端耦合到一个正向或者负向的电压脉冲,在负载电流急剧变化时能快速调整过驱动电压,以适应负载电流的变化。仿真结果显示,该电路有利于输出电压的快速稳定,恢复时间缩短了38%以上。采用45 nm DRAM 掩埋字线工艺进行流片。实测结果显示,该LDO输出电压恢复时间在10 ns以内。在DDR3-1600的数据传输速度下,DRAM芯片的数据输出眼图为280 ps,符合JEDEC标准。     

一种宽电压输入范围降压稳压电路的设计

为了解决高压恒流源芯片内部低压模块供电问题,通过集成降压预调整电路、前置基准源和线性稳压器3个模块,设计了一种宽电压输入范围的降压稳压电路.采用0.6μm BCD工艺模型进行仿真验证.结果显示,降压预调整电路低压跟随时压差在50mV内.输入在6～40V范围内变化时,偏置和基准的变化分别为1.13mV和0.3mV幅度.线性稳压器直流下PSRR可达-85dB,在1MHz工作频率下,输入电压为6V和40V时,模拟电源变化幅度分别不超过24mV和46mV,数字电源变化幅度分别不超过0.3V和0.8V.该降压稳压电路已成功应用于高压LED恒流源中.     

并行LED驱动电路的多SITE测试方法

并行LED驱动电路的多SITE测试对系统资源和测试速度有较高要求,文章介绍了并行LED驱动电路的工作方式、常见测试参数以及常见参数的测试方法。探讨了在中测阶段进行多SITE测试的方法,对该类电路多SITE测试中的一些难点进行了分析,并提出了一种新的测试方案。该测试方案通过资源复用的方式,采用最新的切换技术,可以有效提高测试准确性,并提高测试效率,降低测试成本。最后介绍了多SITE测试的一些其他要点以及最终的测试结果。     

多管芯并行测试的熔丝修调方法探索

随着熔丝在电路设计中的应用普及,测试环节对熔丝修调的要求也越来越高,对测试人员提出了更大挑战。修调熔丝的目的是为了获得更精确的电压、频率或其他特性。为了提高测试效率,需要在多管芯并行测试的情况下,提高熔丝修调的准确性和修调速度。文章介绍了常见的熔丝特性及典型熔丝类集成电路在多管芯并行测试情况下的熔丝修调方法,并进一步研究了降低修调环节对测试系统资源的占用、提高修调效率、简化测试程序等几个方面的优化方法。     

一种带双向使能的负LDO电路设计

设计了一款带正负双向使能功能的负电压输出的LDO。介绍了LDO的基本工作原理,对比了正、负输出LDO的区别,对双向使能电路结构进行了详细设计。采用Cadence对电路进行直流和瞬态仿真验证,仿真结果表明,该LDO在特定的正负两个使能区间均能完全导通,其开启关断点与电路设计吻合。在设计该双向使能结构的同时,保留了使能电路低功耗的特点。     

乒乓模式在IC量产测试中的应用

随着目前国际集成电路封装测试产业不断向中国转移,更多国际知名公司均希望在中国找到低成本、高品质的解决方案。集成电路测试作为品质把关的重要一环,其成本在整个集成电路产业链中占有较高比重。据统计,目前有很多集成电路的测试成本已高达整个集成电路生产成本的45%以上,因此,测试成本的有效降低能够明显减少集成电路制造成本。昂贵的集成电路测试设备是导致IC量产测试成本偏高的主要因素,需要负责IC量产测试的工程技术人员不断地探索和钻研如何最有效地使用这些测试设备。本文详细地阐述了如何使用乒乓测试模式充分利用设备资源,从而有效降低IC的测试成本。     

基于混合宏模型的无电容型LDO设计

模拟集成电路的"自顶向下"设计方法能大大提高电路设计效率.提出了一种"混合宏模型",能高效、简便地完成模拟集成电路的建模,进而指导器件级电路设计.基于"混合宏模型"的设计方法,完成了一款基于HHNEC 0.25 μm标准CMOS工艺的无电容型LDO设计.     

一种CMOS微电子测试图形的设计

本文介绍一种CMOS集成电路微电子测试图形——E2-PED,它是针对CMOS EEPR-OM电路的研制而设计的,也可以用于一般的CMOS电路工艺:文章描述了E2-PED所含有的各种微电子测试结构以及设计布图,给出了这些结构的构成及其作用。     

模拟集成电路直流参数测试系统的研制

文章介绍了自动测试系统的原理与内部模块之间的工作过程及系统的总体结构。懈决了精确测量单元等关键技术．研制了一种通用性强,成本低．性能可靠的自动测试系统。经过实验与生产应用,所研制的测试系统适合于半导体行业的实际生产需要,具有比较高应用价值。     

LDO芯片CP通用测试方法研究

介绍了LDO(线性稳压器)的通用测试方法。基于长川CTA8280测试系统,通过对芯片CP(圆测试)要求进行分析,设计了某款LDO芯片的测试外围,实现了对该LDO芯片功能与性能的测试。该方案能够作为通用测试方法供LDO芯片测试设计参考。     

SW233 PIN驱动器自动测试系统的研制

介绍了一种集成电路自动测试系统，该系统采用计算机并口作通信接口，用VB6编程，实现了对外围测试电路的控制，用IEEE-488接口卡控制测试仪器，可对SW233电路的36个参数进行自动测试，并将测试结果自动保存在数据库中。该测试系统具有自动化程度高、操作方便、测试结果精确等特点。     

手机用TFT-LCD驱动控制芯片的测试电路结构设计

文章从分析手机用TFT-LCD驱动控制芯片的测试需求和芯片结构出发，提出了一种针对该芯片的测试电路结构设计方案。该方案采用多条扫描链对芯片内的多个异构的模块进行隔离，保证了各个模块有较高的测试独立性。考虑到内置SRAM的特殊性，采用边界扫描方式进行测试，提高了测试的灵活性，减少了测试电路的面积。电平敏化扫描链的引入．大大提高了Source Driver测试的可控制性。该方案支持手机用TFT-LCD驱动控制芯片的常规以及特殊项目的测试。