共查询到10条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
本文提出全新的半经验应变Si NMOS反型沟道电子迁移率模型,此模型考虑了晶格散射,离化杂质散射,表面声子散射,界面电荷散射以及界面粗糙散射等散射机制对反型沟道电子迁移率的影响,并考虑了反型层电子的屏蔽效应。利用Matlab软件对所建模型进行了模拟,模拟结果与实验数据符合较好。 相似文献
2.
介绍了在宽禁带半导体6H-SiC材料上制作的反型沟道和掩埋沟道栅控二极管及MOSFET。器件的制作采用了热氧化和离子注入技术。因为6H-SiC禁带宽度为3eV,用MOS电容很难测量表面态,故利用栅控二极管在室温条件下来测量表面态。反型沟道器件中电子有效迁移率为20cm^2/V.s,而掩埋沟道MOSFET沟道中的体电子迁移率为180cm^2/V.s,掩埋沟道晶体管是第一只SiC离子注入沟道器件,也是 相似文献
3.
孙再吉 《固体电子学研究与进展》1997,(2)
辐《NEC技报》1996年第5期报道,NEC公司开发了用于Ku波段卫星通信用的GaAs系异质结FET。这种HJFET放大器的总栅宽为25mm,器件栅长为0.5Pm,采用高可靠的WSi/AZ栅;放大器在12GHZ下,输出功率为158W,功率附加效率为36%,线性增益为9.6dB,为目前最高水平。Ku波段15W的单一芯片HJFET放大器@孙再吉 相似文献
4.
5.
SiC MOSFET是制作高速、低功耗开关功率器件的理想材料,然而,制作反型沟道迁移率较高的SiC MOSFET工艺尚未取得满意结果。通过在N0中高温退火可以显著地提高4H—SiC MOSFET的有效沟道迁移率;采用H2中退火制作的4H—SiC MOSFET阈值电压为3.1V,反型沟道迁移率高于100cm^2/Vs的栅压的安全工作区较宽。N20退火技术由于其的安全性而发展迅速并将取代N0。 相似文献
6.
《固体电子学研究与进展》2016,(2)
氮离子注入提高4H-SiC MOSFET的沟道迁移率来自两方面的原因:一是减小了界面态密度,另一个是反掺杂。本文详细研究了这两方面的原因。结果表明,当氮的反掺杂浓度和P型衬底的掺杂浓度可以相比较的时候,氮离子注入提高4H-SiC MOSFET的迁移率来自于界面态密度的减小;随着反掺杂浓度的增加,反掺杂在氮离子注入提高沟道迁移率的贡献越来越多,同时,在这种情况下,限制沟道迁移率的机制是表面粗糙度散射。 相似文献
7.
研制并测量了poly-Si(n+)/UTI/n-Si隧道结发射极双极反型沟道场效应晶体管(BICFET).发现在极低电流下,此器件的小信号电流增益(G)超过106.本文对此作出了新的解释. 相似文献
8.
本文分析了短沟道MOST阈值电压在室温以上的温度特性,并给出了温度系数计算公式,根据计算结果,可以得到如下结论:短沟道MOST的阈值电压温度系数随着沟道长度缩短而减小,与长沟道MOST相似,在一定的温区范围内,可以把短沟道MOST的阈值电压温度系数作为常数,用线性展开式来表达阈值电压的温度特性。 相似文献
9.
10.
介绍了移动通信的发展动向和移动通信对半导体技术的要求。给出了具体的器件技术包括Si双极晶体管、SiMOSFET、GaAsHBT、HJFET和HEMT以及电路技术。 相似文献