长波长稀土激光器

长波长稀土激光器六十年代贝尔电话实验室的Ｌ．Ｆ．Ｊｏｈｎｓｏｎ及其小组就发现了稀土元素钦（Ｈｏ），饵（Ｅｒ）和错（Ｔｉｎ）的激光作用。但这些介质长期被同一时期发现的同一类介质中的效率更高的铰激光的阴影所覆盖。ｌｐｍ波长的放激光谱线具有广泛的应用，其中...     

长波长激光器的新进展

据日刊《电子技术》报导,日本三菱电机公司研制出一种独特的称之为掩埋新月型(Buried Crescent)构造的激光器,这种激光器在室温下的最大输出功率为85毫瓦,在110℃高温下输出功率仍达10毫瓦。该器件的最大特点是采用p型InP基板取代了传统的n型InP基板。这样,大大减少了泄漏电流,从而排除了激光器在高温下不能工作的障碍。     

长波长动态单模激光器

<正> 一、引言发展陆地长途干线和海底光缆通信的关键是采用长波长单模光纤通信系统。为了降低话路成本和提高可靠性,把增大通信容量和加长中继距离作为单位设计的主要目标。1.3～1.6μm长波长范围低损耗单模光纤的研制成功,为实现超大容量和长距离光纤通信系统提供了可能性。石英光纤的损耗与色散特性如图1所示。石英光纤在1.3μm波长下的色散最小(接近于零),传输损耗约为0.5dB/κm;在1.55μm波长下具有最低的传输损耗,约为0.2dB/κm,但却伴随有15～18ps/nm/κm的残余色散。通常,半导体激光器具有法布里-珀罗(F-P)型     

长波长动态单模半导体激光器

本文叙述了半导体激光器在高速调制下光谱展宽对光纤传输系统帝宽的影响。介绍了实现动态单模激光器的基本途径。概括了目前动态单模激光器的结构。简述了各种动态单模激光器的原理以及工艺上的关键问题。     

半导体多量子阱激光器的波导模式分析

本文以多层结构波导模式的精确解为准,讨论了各种等效折射率法,并对量子尺寸效应的影响提出一个考虑到阱间相互作用强弱的半经验的处理方法,得出与最近多量子阱实验数据符合较好的结果.     

光纤通信长波长半导体激光器的最新进展

最近十年里,半导体激光器光源在光纤通信的迅速发展中已扮演了主要的角色.几乎无限的单模光纤带宽为应用这种系统技术来建立宽带网络,例如宽带综合业务网(BISDN)提供了可能性。这种宽带网能提供灵活的、各种业务的双向媒介给用户,它远比现今电话网先进.为实现这种宽带网络,需要具有非常低阈值、高调制速率、高功率输出和低噪声的半导体激光器。应用光电子集成电路可实现低价格和高可靠性.本文评述长波长波段半导体激光器的最新进展.同时也对激光器基本原理和主要特性作简要的指导性论述.     

光纤通信用的长波长半导体激光器

一、前言近几年来,光纤通信发展很快,受到国际上普遍重视。作为光纤通信的光源,最初是从 GaAs-GaAlAs 双异质结半导体激光器开始研究的,其波长范围是0.8～0.9微米。但是,近来发现,在1.2～1.6微米波段的光纤通信具有更多的优越性。因此,在这一波段的光源是人们所关心的一个重要课题。我们把比0.8～0.9微米更长的     

新型长波长半导体激光器材料GaInNAs

对新型长波长半导体材料GaInNAs进行了述评.通过材料性质的介绍,表明GaInNA s材料是一种很有前景的长波长半导体材料.同时介绍了目前GaInNAs材料的几种主要制备手段并进行了比较,指出了目前MOCVD生长GaInNAs材料存在的难点.介绍了目前国际上基于GaInNAs材料的长波长VCSEL的器件研究情况.     

长波长垂直腔面发射激光器

给出了长波长垂直腔面发射激光器的器件结构的发展现状，同时对GaInNAs／GaAs垂直腔面发射激光器进行了详细的介绍。最后，给出了所设计的新型1.3μm GaInNAs/GaAs长波长垂直外腔面发射半导体激光器的结构设计，有源区量子阱由980nm半导体激光二极管进行泵浦。这种器件设计实现了激光二极管泵浦与长波长垂直腔面发射激光器的有机结合，同时具有两者的优点。此外，本文还对器件的阈值特性和光输出功率进行了理论计算。     

非对称异质波导半导体激光器结构

提出了一种非对称异质波导半导体激光器外延结构,即通过优化选择材料体系和结构厚度,对器件外延层的P侧限制结构和N侧限制结构分别设计,从而降低器件的电压损耗,使其满足高输出功率以及高的电光转换效率的要求.从载流子的输运和限制等微观机制出发,对器件的主要输出特性进行了理论分析和数值模拟,并以此为根据设计和制作了一种1060 nm In Ga As/Ga As单量子阱非对称异质波导结构半导体激光器,并对器件的主要输出特性进行了测试.实验结果表明,非对称异质结构是降低器件的电压降、增大限制结构对注入载流子的限制,提高半导体激光器电光转换效率的有效措施.     

双波长半导体激光器Y形耦合波导模拟研究

提出了一种双DBR半导体激光器结构,该结构包括布拉格光栅、脊形波导、Y形波导、锥形放大器等部分,目标是实现半导体激光器双波长高功率、高光束质量的近红外激射.本文使用Rsoft BeamPROP模拟分析了Y形耦合波导的分叉角度对光传输的影响,确保双DBR脊形波导发射出的单模激光不互相干涉,使双波长单模激光在其中传输损耗最小.     

长波长垂直腔面发射激光器研究

近年来,垂直腔面发射激光器(VCSEL)由于其较低的阈值电流和垂直衬底表面出光的特性受到研究人员的广泛关注.长波长VCSEL在光通信和光互联领域具有巨大的潜在研究意义,本文从应用、发展现状、存在的技术问题、解决方法等方面采用有限元仿真对长波长VCSEL进行了分析,并进行了展望.     

长波长半导体激光器的汽相生长

由于目前在实验室内已能制得长波长的二极管激光器，故重点已转向如何能高效率制备。美国无线电公司普林斯顿实验室的G. H.沃尔森已用汽相外延法迅速长出了InGaAsP/InP激光器。这种激光器的输出在1.5~1.7微米间，此范围内玻璃纤维的损耗最低。沃尔森说,四级异质结二极管的优质界面要求避免采用象回熔预防这样的特殊生长技术。在英国与法国，标准电讯实验室及CSF公司实验室釆用金属有机化合物蒸汽沉积法生长。     

多波长He-Ne激光器的结构及工艺研究

一米放电长度的全外腔He-Ne管,采用棱镜腔片和宽带输出耦合腔片获得633nm0612nm,604nm,594nm和543nm五条谱线的独立振荡。提供了研制全内腔绿色He-Ne激光器的实验依据。     

长波长垂直腔面发射激光器开关及双稳特性

为了研究垂直腔面发射激光器偏振转换特性,基于自旋反转模型,数值研究了正交光注入下1550nm垂直腔面发射激光器频率诱导偏振开关及双稳特性。结果表明,在正交光注入下,连续改变注入光与激光器光场内x线性极化模的频率失谐可诱导产生两类偏振开关和偏振双稳现象,且注入光强与偏振电流的变化都显著影响双稳宽度和激光器的输出特性;合理选择操作条件,可实现对1550nm垂直腔面发射激光器频率诱导偏振开关及双稳的控制。这一结果对垂直腔面发射激光器在全光开关和全光存储等领域的应用具有参考价值。