MgO在含铅PTCR陶瓷中的作用

研究了ＭｇＯ加入到含铅ＰＴＣＲ陶瓷中的作用。用碱土金属Ｍｇ２＋对（Ｂａ，Ｐｂ）ＴｉＯ３掺杂，在１２４０～１３００℃空气中烧结，获得工艺性能良好，烧结温度较低，电性能优良的ＰＴＣＲ陶瓷材料。试验结果表明：ＭｇＯ的加入降低了含铅ＰＴＣＲ陶瓷的烧结温度，抑制了ＰｂＯ的挥发。     

高温PTC陶瓷研究进展

概述了高温ＰＴＣ陶瓷近几年来的研究进展，着重介绍了（Ｂａ、Ｐｂ）ＴｉＯ３高温ＰＴＣ陶瓷体系中Ｐｂ对居里点移动的影响，以及掺杂种类和陶瓷制备工艺等方面的研究进展，简要论述了ＰＴＣＲ的唯象分析理论，展望了高温ＰＴＣ陶瓷的研究前景。     

高温PTC陶瓷中铅对T_C移动效果的实验

在制备高温ＰＴＣ陶瓷时，以加入ＰｂＴｉＯ３的形式引进Ｐｂ成分达到提高ＴＣ的目的取得了很好的效果，移动效率最高达６．５℃／１０－２（ｍｏｌ）。分析了加入Ｐｂ－ＴｉＯ３与加入ＰｂＯ或Ｐｂ３Ｏ４效果不同的原因     

(Sr,Pb)TiO_3系V形PTCR陶瓷材料的研制

研究了原材料、液相添加剂ＢＮ对Ｙ３＋掺杂的（Ｓｒ０．４Ｐｂ０．６）ＴｉＯ３Ｖ形ＰＴＣＲ陶瓷半导化和显微结构的影响。结果表明,添加剂ＢＮ能促进晶粒生长、改善显微结构、显著降低室温电阻率ρ２５和烧结温度。用常规的制备方法制得居里温度ＴＣ≈２１０℃、ρ２５≤５．０×１０３Ω·ｃｍ、电阻温度系数α４０≈１３％℃－１、电阻率ρ突变比ρｍａｘ／ρｍｉｎ＞５．０×１０３的Ｖ形ＰＴＣＲ陶瓷材料。     

钛酸钡基陶瓷材料晶界掺杂与PTCR效应

“晶界掺杂”是一个全新的概念,它针对的是陶瓷晶界。在钛酸钡材料中,晶界掺杂能明显地改变ＰＴＣＲ效应。在晶界上,施主杂质同某些受主杂质一样,也可以明显提高材料的ＰＴＣＲ效应。通过晶界掺杂引入的Ｐｂ２＋则对ＰＴＣＲ效应有明显的损害。     

BaTiO_3系PTCR热敏电阻器用烧结助剂的研究

研究了烧结助剂的作用，实验结果表明：如只引入半导化元素，不引入烧结助剂，则室温电阻率ρ２５很大，甚至是绝缘体。由于烧结助剂的加入，既改善了ＰＴＣＲ热敏电阻陶瓷的烧结性，又改善了其ρ２５、耐电压Ｖｂ、ＰＴＣ效应等特性，从而使产品的各种特性易于重复。烧结助剂昔日多用ＡＳＴ，现在常用ＳｉＯ２，其加入量ｘ宜小于２％。ＳｉＯ２的纯度、杂质等化学特性，与粒子形状、粒度分布、晶系等物理特性，对ＰＴＣＲ热敏电阻器的电性能有很大的影响。据此提出了ＢａＴｉＯ３系ＰＴＣＲ热敏电阻器用ＳｉＯ２的技术标准。     

升温工艺对PTCBaTiO3陶瓷显微结构和电性能的影响

低于液相呈现温度，用变化升温速率（１６０－１８００℃／小时）的烧结工艺来制备ＰＴＣＢａＴＯ３陶瓷。测量了ＰＴＣＢａＴｉＯ３试样的室温电阻、Ｒ－Ｔ曲线Ｉ－Ｖ曲线及拍摄了试样自然烧结面ＳＥＭ照片。     

制备致密Bi（Pb）SrCaCuO超导陶瓷的新工艺──熔融淬火粉体烧结法

提出了制备致密Ｂｉ（Ｐｂ）ＳｒＣａＣｕＯ超导陶瓷的新工艺——熔融淬火粉体烧结法。制备出颗粒密度大、活性高的粉体，从根本上改善了铋系超导陶瓷的烧结性能，所得陶瓷超导性能良好。     

金属PTC陶瓷复合材料结构及其导电机理

研究了金属ＰＴＣ陶瓷复合材料的电学性能和其材料组分。结果表明，掺入金属的ＰＴＣ陶瓷材料经氮气中烧结，然后在空气中进行热处理，材料表面形成高势垒层，金属ＰＴＣ陶瓷复合材料的室温电阻较ＰＴＣ的陶瓷高。样品之中存在大量不同类型的极化，在低温时样品电阻较高，温度增加后，大量各种类型离子极化出现，在变价金属铁的变价导电作用下，削弱表面势垒，使金属ＰＴＣ陶瓷复合材料电阻降低，表现出ＮＴＣ现象。在电场作用下，正负电荷、晶粒畸变和空位缺陷等产生空间电荷极化使金属ＰＴＣ陶瓷复合材料有较高介电常数。介电损耗（ｔｇδ）频谱和介电δ温度谱上都出现一个介电峰，其主要原因是跃迁极化，金属阳离子由一个位置跃迁到另一个位置，在介电损耗所对应的频率和温度时出现跃迁极化率最大     

PTC陶瓷生产中影响稳定及重复性的因素

评论了组成、烧结等因素对ＰＴＣ陶瓷生产中稳定及重复性的影响。归纳了一些获得稳定及高电阻温度系数α材料的原则。通过生产实例说明应用这些原则可获得高α的ＰＴＣ材料（Ｔｃ≈２３０℃）。     

低温烧结CuO改性PZT压电陶瓷性能研究

为了降低铅基压电陶瓷的烧结温度,采用传统固相法制备了CuO掺杂改性的Pb (Zr0.52Ti0.48)2O3 (PZT)二元压电陶瓷.研究了CuO掺杂对所制PZT陶瓷的结构和性能的影响.XRD显示随CuO掺杂量增加,特征峰向低角度移动,SEM显示烧结晶粒先增加后减小,CuO的加入促进了烧结.CuO和PbO生成低共熔物,...     

弛豫型铁电陶瓷(1-x)Pb(Sc1/2Ta1/2)O3-xPbTiO3研究进展

钽钪酸铅陶瓷具有优良的介电、压电和铁电性能,但烧成温度高、居里点较低。为降低钽钪酸铅陶瓷的烧结温度并提高其居里点,人们合成了钽钪酸铅-钛酸铅(简称PSTT)材料体系。该文综述了弛豫型铁电陶瓷PSTT体系在相图与结构、制备和性能等方面的研究进展,探索了一种合成PSTT陶瓷新工艺,介绍了PSTT材料体系的重要应用领域。     

掺杂(Pb1－xSrx）TiO3系铁电陶瓷材料

通过掺杂 ( Pb1-x Srx) Ti O3( PST)系铁电陶瓷的制备 ,初步研究了掺杂、烧结温度、测试频率等对 PST系陶瓷材料介电性能的影响。在相同的 Pb/ Sr配比下 ,La2 O3掺杂较同样份量的 Mn O2掺杂所制得的样片的温度系数要高 ,介电损耗要小 ,而适当高的烧结温度有利于其介电性能的改善。随着测试频率的增加 ,测得的材料介电常数略有下降 ,而居里温度与温度系数基本维持不变。     

Pb/Bi复掺对Y2O3-2TiO2微波介质陶瓷性能的影响

研究了PbTiO3和Bi2Ti2O7复合掺杂对新型的具有中介电常数的Y2O3-2TiO2系微波介质陶瓷物相组成、介电性能和烧结温度的影响。结果表明,掺杂后的陶瓷材料主晶相仍为A2B2O7型烧绿石结构,未发现第二相,Bi3+和Pb2+共同占据Y3+所在的A位。Pb/Bi复合掺杂有效降低了陶瓷的烧结温度,当w(PbTiO3)=2%和w(Bi2Ti2O7)=8%时,烧结温度降低为1 260℃,且陶瓷具有较好的介电性能,即介电常数rε≈64,介质损耗tanδ≈3.6×10-3,品质因数与频率的乘积Q×f≈2 438 GHz。     

高介电常数微波陶瓷材料的研究进展

叙述了BaO-Ln2O3-xTiO2系陶瓷的掺杂、添加烧结助剂和晶粒取向对其烧结温度和微波介电性能的影响。简述了(Pb1-xCax)(Fe0.5Nb0.5)O3系陶瓷的掺杂改性和低温烧结的研究进展。介绍了迄今为止εr最高的一类微波介质陶瓷CaO-Li2O-Ln2O3-TiO2系材料。提出了需要进一步思考和解决的问题。     

适用多层压电降压变压器的改性钛酸鉛研究

为了获得适用于厚度振动模式的低温共烧多层压电降压变压器材料,采用A、B位取代及添加低共熔物,研制了组成为(Pb0.98–xCaxCd0.02)(Ti1–yMny)O3+1%(质量分数)Bi4Ti3O12+z%SiO2的改性压电陶瓷。当钙离子取代25%离子,锰离子取代2%钛离子,并在体系中添加0.08%(质量分数)SiO2时,该材料表现出良好的压电和介电性能。在1000℃烧结时,kt为0.48,kp为0.032,Qm为450,tgδ为1×10–2,为172,居里温度tC为320℃。     

钽钪酸铅-钛酸铅制备工艺研究

采用XRD、SEM等分析技术,研究了制备工艺与(1x)Pb(Sc1/2Ta1/2)O3xPbTiO3(简称PSTT)结晶性能的关系。如选择适当的组分,在适当的温度下采用传统的电子陶瓷混合氧化物法可以获得全钙钛矿相结构的PSTT陶瓷;PSTT陶瓷晶粒细小均匀。     

烧结温度对CFO/PMN-PT磁电复合陶瓷性能的影响

采用传统固相法制备了质量比为1∶4的CoFe2O4/Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.35PbTiO3(CFO/PMN-PT)磁电复合陶瓷,研究了烧结温度(900～1100℃)对所制复合陶瓷性能的影响。结果表明,复合陶瓷中尖晶石结构的CFO与钙钛矿结构的PMN-PT共存,没有其他杂相生成,复合陶瓷的密度以及压电常数d33在1000℃时达到最大值,分别为7.07g/cm3和212pC/N。磁电电压系数αE33随烧结温度的增加逐渐增大,在1100℃烧结时达到最大值8.4mV/A,而磁电电压系数αE31随烧结温度的增加先增大后减小,在1000℃烧结时达到最大值4.8mV/A。     

精细结构陶瓷材料烧结技术的研究动向

本文介绍国外精细结构陶瓷烧结技术的研究动向。重点叙述最近研制成的几种烧结技术，诸如微波、激光、自已燃烧烧结或燃烧合成法，低温无压烧结以及中子照射超低温烧结陶瓷等新技术。并介绍了用上述新技术制备的一些陶瓷材料的工艺及其性能。     

Low temperature sintering properties of Y-doped BaTiO3 ceramics by BaB2O4 sintering aid

The sintering process of semiconducting Y-doped BaTiO₃ ceramics added with BaB₂O₄ as low temperature sintering aid were investigated. When the low temperature sintering aid BaB₂O₄ added Y-doped BaTiO₃ ceramics prepared by Sol-Gel method, the sintering temperature of BaTiO₃-based ceramics would be greatly decreased, and also widen sintering range. Y-doped BaTiO₃ ceramics with BaB₂O₄ addition can be obtained at 1050 °C. Ceramics samples with room temperature resistivity 60-80 Ω cm, ratio of the maximum resistivity to minimum resistance (Rmax/Rmin) 10⁴ and temperature coefficient of resistivity (α) 10%/°C were obtained.