测定蛋白质晶体结构的高分辨电子显微方法

用高分辨电镜方法研究不染色的蛋白质分子结构的主要困难有二:样品对电子损伤的高敏感性;样品在真空中三维结构的改变。我们采用性质与水相似而又不挥发的葡萄糖取代水介质,以防止真空损伤。用低剂量(<1e/A~2)电镜技术防止幅射损伤。然而由于样品固有低反差和低剂量成象,象的S/N非常低,以致不能直接观察。但如果样品是严格周期结构并具有足够多的分子或单胞,则重构分子或单胞所需的信息就可从计算机中萃取出来。为了重构需要测定Fourier函数的相位和振幅。两者分别由显微象的Fourier分析和电子衍射花样的测定而被确定。本文讨论测定Catalase和B.Subtilis α-Amylase晶体结构的实验方法。     

无公度调制结构高分辨电子显微像的图像处理

已经报导,把高分辨电子显微术与电子衍射相结合,通过像的解卷和提高像分辨率两个步聚的图像处理技术,可以把一幅任意离焦条件的像,转换成结构像,而且最终像的分辨率超过电子显微镜的分辨极限,从而可分辨出全部原子。     

场发射高分辨电子显微像的图像处理

场发射高分辨电子显微像的图像处理何万中陈弘李方华（中国科学院物理研究所，北京１０００８０）与非场发射电子显微镜（以下简称电镜）相比，场发射（ＦＥ）电镜的衬度传递函数（ＣＴＦ）随空间频率增大而衰减的速度要缓慢得多。因此，ＦＥ电镜下拍摄的高分辨像，一方面...     

高分辨电子显微像的定量分析与应用

本文通过研究高分辨电子显微像的图像处理技术，系统地建立了两种高分辨原子像亮点中心精确定位的处理方法，灰度主检测法和峰谷提取－灰度平均法。基于原子像亮点中心定位技术，使用最小二法，建立 测量高分辨像中局部点阵参数和 各畸变的实际处理过程。结论像模拟、图像匹配等手段，详细研究了从高分辨像中提取元素分布、原子结构等信息的定量分析方法；并建立了一套ＵＮＩＸ平台上的高分辨像定量分析程序包，具有较高的精度和广     

Fe或Ni元素对Zr4Co4Si7晶体结构的影响

利用高分辨电子显微术结合计算机像模拟技术研究了Ｚｒ４Ｃｏ４Ｓｉ７的晶体结构。结果表明，Ｚｒ４Ｃｏ４Ｓｉ７（Ｚｒ４Ｃｏ４Ｇｅ７型）结构为体心四方点阵，点阵常数ａ＝１．２９３５ｎｍ，ｃ＝０．５０９０ｎｍ，空间群为Ｉ４／ｍｍｍ，用Ｆｅ或Ｎｉ元素置换Ｚｒ４Ｃｏ４Ｓｉ７结构中的部分Ｃｏ原子后，并不改变结构点阵类型及点阵中原子的配位关系，点阵常数变为：Ｚｒ４Ｃｏ４Ｓｉ７结构中的部分Ｃｏ原子后，并不改变结构点阵     

GaN缺陷晶体高分辨电子显微像的解卷处理

拍摄高分辨电子显微像时未必总靠近Scherzer聚焦条件，且晶体有一定厚度，致使像未必反映晶体结构。对高分辨像进行解卷处理是校正像中畸变的晶体结构信息并提高图像分辨率的有效方法。本文用高分辨像图像解卷处理方法研究GaN材料中缺陷核心的原子配置。     

高分辨电子显微像的解卷处理程序:DEC

高分辨电子显微像因离焦量和晶体厚度等因素的影响，未必能正确反映晶体结构。为此，李方华等建立并发展了高分辨像的解卷处理技术，将单张高分辨像恢复为结构像，并提高像的分辨率。DEC是为高分辨像解卷处理编写的配套计算机程序，将此程序应用于Si0.75Ge0.24晶体中缺陷的实验高分辨像，     

借助高分辨电子显微像校正电子衍射强度的动力学效应

针对高分辨电子显微学和电子衍射相结合测定晶体结构的图像处理技术，提出了一种借助高分辨电子显微像来校正低散射角电子衍射强度动力学效应的新方法，将此法试用于Ｂｉ２（Ｓｒ０．９Ｌａ０．１）２ＣｏＯｙ晶体结构分析，结果说明此法有效。     

球差校正高分辨电子显微像的像衬和解卷处理

本工作将赝弱相位物体近似像衬理论延伸至球差校正高分辨电子显微像,分析了球差校正像的衬度随样品厚度的变化规律。指出非Schemer聚焦条件下球差校正电镜拍摄的高分辨像仍未必反映晶体结构,讨论了解卷处理方法应用于球差校正像的有效性,并以有12型层错的GaN晶体为例,借助像模拟肯定了解卷处理能用于复原原子分辨率晶体缺陷的结构像。     

Cu_4Ti晶体结构的高分辨电子显微术研究

Cu—Ti合金富Cu端的相结构一直为人们所关注。由于样品中难于避免多相共生及氧化存在,采用X射线测定结构时不同作者得到了不同的β相单胞:①Cu_3Ti结构(β_K),②Cu_4Ti结构(β_P,单胞参数为a=0.453,b=0.434,c=12.93nm,Pnma空间群)。此外,Ecob等依据电子衍射图支持了β_P—Cu_4Ti的结构,但却认为钛原子位置必须修正,才能解释(010)和(001)禁止衍射出现强度为此我们重新考察了Cu_4Ti的结构。Cu_4Ti的[100]与[001]衍射谱(图1a.b)中,对于OKL衍射当K+L为奇数以及对于HKO衍射当H为奇数均为消光,说明了滑移面n_(100)与a_(001)的存在。且Cu_4Ti相的所有衍射均可被β_P结构解释。为确定钛原子的位置,我     

高分辨电子显微像的定量分析与应用：Ⅱ.InGaAs／GaAs应变层超？…

使用高分辨像定量分析方法和像模拟技术，对外延生长ＧａＡｓ／ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ应变层超晶格的微观组态进行了详细的分析，用像模拟验证了成像位置与结构投影的对应关系，使用像点定位及畸变测量的分析方法，获得了晶格对畸变位移分布图及畸中生长方向的分布曲线，扣除由四方畸变导致的点阵膨胀与收缩，得到了仅由Ｉｎ元素分布导致的点阵参数变化曲线，由晶格参数与Ｉｎ元素含量的线性对应关系，获得超晶格中Ｉｎ元素沿生长方向     

离子减薄诱发的Zr65Al7.5Ni10Cu17.5块状非晶晶化相的相变

用透射电子显微镜研究了锆基块状非晶合金晶化行为，对分别经双喷电解减薄加离子减薄和单纯双喷电解减薄制备的电镜样品进行观察分析，发现离子减薄会导致该合金晶化亚稳相的转变。     

最大熵像解卷结合像模拟确定Nd1．85Ce0．15CuO4-δ的晶体结构

本文从一幅高分辨电子显微像出发,用像解卷结合像模拟[1]研究了超导氧化物Nd1.85Ce0.15CuO4-δ的晶体结构,并对最大熵解卷技术作进一步探讨.