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Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格的LACBED研究段晓峰(中国科学院北京电子显微镜实验室,北京100080)Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格是一种新的能带工程材料。人们可以通过调整合金层的合金成分等结构参数,来调整应变层超晶格的能... 相似文献
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本文研究了新型陶瓷刀具材料JX-2-Ⅰ(Al_2O_3/SiCp/SiCw)的力学性能,同A(Al_2O_3)、AP(Al_2O_3/SiCp)、AW(Al_2O_3/SiCw)和Jx-1(Al_2O_3/SiCw)材料相比,JX-2-Ⅰ具有较高的抗弯强度(σ_(bb))和断裂韧性K_(Ic);研究结果表明,在JX-2-Ⅰ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强的协同作用,陶瓷刀具材料JX-2-Ⅰ的主要增韧机理是界面解离、裂纹偏转和晶须拔出。 相似文献
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本文论述在常压CVD硅外延系统中,通过e_qP=B-A/T,分别计算出SiH-Cl_3、PCl_3和BCl_3的A和B二常数值。采用低温深冷工艺,进一步提高硅源的纯度,通过控制SiHCl_3的蒸汽压,在晶向为(111)和(100),掺硼电阻率(4~8)×10 ̄(-3)Ω·cm的抛光衬底硅片上,生长出外延层电阻率为350Ω·cm(杂质浓度3.5×10 ̄(13)/cm ̄3),外延层厚度达120μm的p/p ̄+/硅外延片,制成器件的击穿电压可达1000V。 相似文献
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对经过475 ̄540℃时效的Fe-(15-25)Cr-(4 ̄5)Al合金进行了T EM研究,观察到球形富Cr-α′相基体均匀析出。在475℃时效1000h后粒子的平均直径约8nm,间距约14nm。电子衍射斑点沿圆弧分裂和拉长,这表明α′相开始脱离与α相的共格关系,但在长时间内两相仍有〈001〉、〈111〉或〈011〉等晶 向大体平行的取向关系。 相似文献
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具有Th_2Ni_(17)结构类型的R_2M_(17)六角相的形成规律研究贺连龙,叶恒强(中国科学院金属研究所固体原子像实验室,沈阳110015)R_2M_(17)相属于稀土-过渡族金属系金属间化合物。这类化合物以R-Co,R-Fe为代表均具有良好的... 相似文献
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《微纳电子技术》1995,(2)
在InP衬底上用通常的晶格匹配(y=0.53)和晶格失配(y>0.53)In_(0.53)Al_0.48As/In_yGa_(1-y)As层结构同时制作p-沟和n-沟曾强型异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFET)。获得1μm栅长e型p-沟HIGFET,其阈值电压约0.66V,夹断尖锐,栅二极管开启电压0.9V,室温时非本征跨导>20mS/mm。相邻的(互补的)n-小沟HIGFET也显示e型工作(阈值V_th=0.16V),低的漏电,0.9V栅开启电压和高跨导(gm>320mS/mm)。这是首次报道在InP衬底上同时制作具有适合作互补电路特性的p_和n-沟HIGFET。 相似文献
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本文利用TEM研究了新型复相陶瓷刀具材料Jx-2-Ⅰ的界面结构,结果表明,在Jx-2-Ⅰ中Al_2O_3/SiCw(氧化铝/碳化硅晶须)界面和Al_2O_3/SiCp(碳化硅颗粒)界面结合良好,形成了具有较高强度的微观结构;发现在SiCw、SiCp和Al_2O_3晶粒上均有位错产生,在SiCp和Al_2O_3上有孪晶产生;分析表明,位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能,提高材料的断裂韧性,改善JX-2-Ⅰ材料的整体性能。 相似文献
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在透射电镜下考察了在铁镍铬封接合金氧化膜表面生成的氧化晶须,观察到了氧化晶须的几种形貌,确认了氧化晶须的头部为多面体。结合电子衍射和能谱分析结果,证实了氧化晶须为(Fe,Mn)Cr_2O_4。 相似文献
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《激光与光电子学进展》1994,(5)
激光二极管泵浦的固体激光新材料LaBGeO_5-Nd ̄(3+)1.LnBGe2O4(Ln=La-Er和Y)在结构上分为两类。有较大Ln(La-Pr)者具有CeBSiO5的非对称结构(C23—P31空间群),有较小Ln(Gd-Er和Y)者具有CaBSi... 相似文献
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本文分析了测试爆炸喷涂获得Al2O3/Cr12MoV界面层的微 性能。试验结果表明Al2O3/Cr12MoV界面层中Fe,Cr,Al等元素呈梯度分布,界面层内存在着海绵状结构。同时,Al2O3/Cr12MoV存在界面反应。 相似文献
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廖锦民 《大气与环境光学学报》1994,(5)
普及型铕离子免疫荧光测定仪RF-1000型试制廖锦民(中国科学院上海细胞生物学研究所,上海,200031)迄今为止,用于DELFIA测定免疫荧光仪,国外有LKB公司开发的Arcus-1230,1232,1234,1235四种,还有加拿大CybesFl... 相似文献
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用射频溅射方法,在不同工作气体(纯Ar和Ar+10%O_2)和不同基片偏压(-30V到-180V,间隔-30V)下,由烧结Al_2O_3靶材制备Al_2O_3薄膜。测试了样品的介电强度和沉积速率,对部分样品的结构和成份分别用XPS和X射线进行了分析。结果表明:薄膜均呈非晶态;在两种工作气体中,随着基片负偏压的升高,沉积速率和介电强度均下降,但在-60V偏压时,介电强度具有最大值。含氧的工作气体导致沉积速率下降,但提高了介电强度。在含氧和-60V偏压下,Al_2O_3薄膜的平均介电强度为3.46MV/cm。纯氩气氛中制备的Al_2O_3薄膜是缺氧的,而含氧的工作气体可使薄膜中的氧含量提高。 相似文献