一种高增益带宽CMOS全差分运算放大器的设计

介绍了一种采用折叠式共源共栅结构的高增益带宽全差分运算放大器的设计和实现,详细讨论了折叠式共源共栅放大器的电路结构、共源共栅偏置电路,以及开关电容共模反馈电路(SCCMFB).电路的设计基于CSMC 0.5μm DPTM 5V混合信号工艺.仿真结果表明,该电路在5V电源电压下具有64 dB直流开环增益、155 MHz单位增益带宽.通过在一款ADC电路中流片验证,该放大器达到设计指标要求.     

一种高增益三级运算放大器

提出了一种高增益三级运算放大器。采用五管全差分、套筒式共源共栅、典型共源级结构作为运算放大器的放大级,采用共模抑制电路、频率补偿电路、高摆幅偏置电路,提高了运算放大器的性能。结果表明,在3 V电源电压、4 pF负载电容的条件下,该运算放大器的开环直流增益为155 dB,单位增益带宽为112 MHz,相位裕度为84.1°,电源抑制比为151 dB,共模抑制比为-168 dB。该运算放大器的补偿电容较小,节省了面积。     

一种用于Σ-Δ A/D转换器的运算放大器设计

设计了一种用于Σ-ΔA/D转换器的运算放大器,该运算放大器采用两级全差分折叠式共源共栅结构.运用动态频率补偿技术,实现两种工作状态下的频率补偿.提出一种新型共模反馈(CMFB)方案,使共模电平获得较高的稳定度.整个运放电路采用0.35μm标准CMOS工艺,电源电压为5V.仿真结果表明,在5V电压下,运放的直流增益为120.5dB,输出摆幅为±4.2V.     

一种高增益多级运算放大器的设计

为了保证运算放大器在深亚微米量级也能提供足够的增益,三级运算放大器的研究成为近年的热点内容。基于SMIC 0.18 μm工艺设计了一种三级运算放大器,前两级采用折叠共源共栅结构,在提供足够直流增益的同时增加了输入输出摆幅,并且采用DFCFC补偿方案使整体性能得到优化。在3.3 V电源电压下,负载为5 pF电容时,直流开环增益为155 dB,单位增益带宽达到了32 MHz,相位裕度为56.09°。仿真结果表明,设计的三级运算放大器具有较理想的频率响应和瞬态响应,并且所需的补偿电容值较小,芯片面积得到优化,较容易在CMOS工艺下实现。     

一种增益提升高速CMOS运算跨导放大器的设计

设计了用于高速高分辨率ADC的CMOS全差分运算放大器,采用套筒式级联增益自举电路,达到高增益带宽且低功耗。在3.3V电源电压下,用TSMC0.35μmCMOS工艺模型,通过Cadence软件Spectre仿真平台,驱动1PF负载时,相位裕度为65度,单位增益带宽为316MHz,功耗5.7mW,压摆率200V/μs。     

一种高性能共模反馈CMOS运算放大器

介绍了一种具有高增益,高电源抑制比(CMRR)和大带宽的两级共源共栅运算放大器。此电路在两级共源共栅运算放大器的基础上增加共模反馈电路,以提高共模抑制比和增加电路的稳定性。电路采用0.35μm标准CMOS工艺库,在Cadence环境下进行仿真。结果显示,该放大器增益可达到101 dB,负载电容为10 pF时,单位增益带宽大约为163 MHz,共模抑制比可达101dB,电路功耗仅为0.5 mW。     

基于数字修调技术的宽带高增益运算放大器

设计了一种基于数字修调技术的宽带高增益运算放大器,介绍了宽带高增益放大器在高速跟踪保持电路中的应用.该运算放大器采用两级放大电路-共源共基和共源共栅结构实现.基于0.35 μm BiCMOS工艺仿真验证,运放开环增益大于60 dB,单位增益带宽大于2.1 GHz,输出摆幅可达1.5 V.     

一种采用增益增强方法的CMOS全差分运算放大器

设计了一种全差分、增益增强CMOS运算放大器。该放大器由三个折叠式共源共栅运算放大器组成，可用于12位40MHz采样频率的流水线A／D转换器。详细分析了折叠式共源共栅运算放大器中由增加增益增强电路产生的零极点对。该放大器在0.35μm CMOS工艺中开环增益为112dB，单位增益带宽为494MHz。     

低电压高增益带宽CMOS折叠式共源共栅运算放大器设计

本文基于SIMC 0．18μm CMOS工艺模型参数,设计了一种低电压高单位增益带宽CMOS折叠式共源共栅运算放大器。该电路具有相对高的单位增益带宽,并具有开关电容共模反馈电路（CMFB）稳定性好、对运放频率特性影响小的优点,Hspice仿真结果表明,在1．8V电压下,运算放大器的直流开环增益为62．1dB,单位增益带宽达到920MHz。     

一种新型高速CMOS全差分运算放大器设计

设计了一种基于流水线模/数转换系统应用的低压高速CMOS全差分运算放大器。该运放采用了折叠式共源共栅放大结构与一种新型连续时间共模反馈电路相结合以达到高速度及较好的稳定性。设计基于SMIC 0.25μm CMOS标准工艺模型,在Cadence环境下对电路进行了Spectre仿真。在2.5V单电源电压下,驱动0.5pF负载时,开环增益为71.1dB,单位增益带宽为303MHz,相位裕度为52°,转换速率高达368.7V/μs,建立时间为12.4ns。     

高性能全差分运算放大器设计

为了得到更高的增益和更好的稳定性,采用两级放大结构和两种共模反馈环路,设计了一种基于0.18μm CMOS工艺的高性能两级全差分运算放大器。仿真结果表明,设计的运放在1.8V电源电压和5pF负载下,直流增益为97.12dB,单位增益带宽为756MHz,共模抑制比为323.24dB,相位裕度为46°。该运放可以运用于低压电路、高精度A/D转换器等。     

Design of a New High Speed Amplifier Circuit for the Analog Subsystems

A high speed CMOS amplifier circuit with a new architecture especially suited for analog subsystems and a simple high speed CMOS comparator utilizing the proposed CMOS amplifier circuit are presented. The proposed circuit is simulated using 0.35 m process parameters. The configuration results in several performance improvements over a typical CMOS differential to single ended amplifier. Design details and simulation results show that the newly designed CMOS amplifier circuit and the high speed CMOS comparator are applicable to high speed analog subsystems, especially the flash A/D converter.     

运算放大器的速度/带宽优化设计

文章简要介绍了电流反馈和电压反馈运算放大器的基本原理,从理论上分析了两种运放的频率等效模型,进而提出了提高运算放大器速度和带宽的有效途径.另外,文章还对高速运算放大器使用过程中的稳定性进行了简要分析.     

智能化传感器中应用仪表放大器的电路设计

在智能化传感器系统中广泛采用仪表放大器构成信号的放大处理电路。放大差分信号的仪表放大器在实际应用中,要考虑输入共模电压范围、增益的选择、滤波、共模频率、输入电流回路设计等问题,以及选择信号的输入方式。针对这些问题,本文进行了较为详尽的讨论。     

一种高速灵敏放大器电路的设计

提出了一种适合于低电源电压嵌入式闪存系统的高速高抗干扰能力的灵敏放大器。讨论了应用在这个灵敏放大器中的多相位预充、自调节负载及新型的箝位技术。提出的灵敏放大器电路在0.13 μm的嵌入式闪存平台上实现。测试结果表明,提出的灵敏放大器达到6 ns的访问时间。     

一种宽带、高速运算放大器的设计

介绍了一种基于双极工艺的高速宽带运算放大器的设计,从电路结构方面详细论述了电路的宽带设计、高速设计等设计思路,将该电路通过计算机模拟,给出了仿真和测试结果.经过投片验证,设计出的运算放大器满足预期指标,取得了比较满意的结果.该电路在视频放大器、有源滤波器、高速数据转换器等电子系统中有着广泛的应用前景.     

一种低压低功耗CMOS折叠-共源共栅运算放大器的设计

本文设计了一种低压低功耗CMOS折叠一共源共栅运算放大器.该运放的输入级采用折叠-共源共栅结构,可以优化输入共模范围,提高增益;由于采用AB类推挽输出级,实现了全摆幅输出,并且大大降低了功耗.采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,基于BSIM3V3 Spice模型,用Hspice对整个电路进行仿真,结果表明:与传统结构相比,此结构在保证增益、带宽等放大器重要指标的基础上,功耗有了显著的降低,非常适合于低压低功耗应用.目前,该放大器已应用于14位∑-△模/数转换电路的设计中.     

一种低失调高速宽带通用运算放大器

通过理论分析和流片测试,研究了一种四通道低失调、高速宽带通用运算放大器。输入级采用发射极反馈电阻和展宽频带电容,提高稳定性和转换速率。详细分析了减小输入失调电压和失调电流的补偿电路以及全NPN输出级。电路采用标准双极工艺制造,四通道芯片总面积为3.68 mm×2.29 mm,采用双列直插封装。测试结果为:GBW≥6 MHz、SR≥9 V/μs,全温失调电压小于2 mV(-55℃~+125℃),平均温度系数小于5μV/℃,可以在通用模拟系统中广泛使用。     

共源共栅两级运放的三种补偿结构分析和比较

提出了三种应用于两级CMOS运算放大器的米勒电容补偿结构,分析了三种结构的小信号等效电路,得到传递函数和零点、极点的位置,以此分析和实现三种结构的频率补偿。其中两种共源共栅米勒补偿结构与直接米勒补偿结构相比,能用更小的芯片面积实现更优的运放性能,得到更大的单位增益带宽积和相位裕度,实现更好的频率特性。通过使用0.18μm CMOS工艺对电路进行仿真,结果验证了共源共栅米勒补偿技术的优越性。     

一种低压低功耗高增益放大器的设计

提出了一种基于1.5μm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺的低压低功耗高增益运算放大器。该放大器可在低至1.8 V的电源电压下正常工作。设计中采用多级差分级级联和共模反馈结构,通过双重嵌套式米勒补偿结构进行补偿。新颖的带有静态电流控制的甲乙类输出级使得在实现轨到轨输出的同时,有效地减小了放大器的交越失真。测试结果表明,提出的设计目标均已实现,放大器在5 V的电源电压下,开环增益达到96.3 dB,在10 V/V固定增益比应用时,增益误差为±0.06%,-3 dB带宽为45 kHz,静态工作电流在60μA以下。