第四届国际Ⅱ—Ⅵ族化合物会议简介

第四届国际Ⅱ-Ⅵ族化合物会议于1989年9月17日至22日在联邦德国西柏林的柏林技术大学举行,这是一次大型的国际学术会议,约有20个国家和地区的300余人参加。会议交流的论文约250篇,以联邦德国的最多,约40余篇,其它依次是日本、法国、苏联、英国、     

Ⅱ—Ⅵ族半导体材料散射特性的高次有限元分析

用有限元和场匹配相结合的方法分析了Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的散射特性。该方法能一次求出纵向模匹配所需要的所有本征模函数,并避开了多模网络方法中求解复超越方程的困难,简化了求解过程。本方法和多模网络方法计算的结果与多个样品的测试值进行了比较,彼此吻合得很好,表明本文方法不仅通用精确,而且具有很高的解题效率。     

有间隙Ⅱ—Ⅵ族半导体材料散射特性的三维边缘元分析

用三维边缘元方法分析了有间隙Ⅱ－Ⅵ族半导体材料的散射特性，该方法直接从泛函变分出发避开了其它方法中示肯损超薄介质填充波导本征值和本片函数的困难，简化了求解过程，计算结果与实验值的比较证实了本方法具有有效，可靠和精确的特点。     

Ⅱ—Ⅵ族宽带隙半导体的分子束外延

我们用分子束外延法已生长出了ZnSe、ZnTe单晶薄层。外延层的生长速率基本上由分子束流量和衬底温度决定。本文讨论了这种二元化合物的生长速率,包括衬底温度、结晶性及分子束强度,并和实验结果作了比较分析。所获得的生长速率与衬底温度和入射束比的关系能用原子表面覆盖度的动力学方程得到解释。     

宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体和低维结构材料及其光学性能研究进展

本文简要介绍了我们在带宽Ⅱ－Ⅵ族半导体光电子学和发光学研究领域中取得的两大主要研究成果：第一,明确提出并实现了利用宽带Ⅱ－Ⅵ族晶体直接带跃迁来获在室温和电场激发下地发射的物理思想,第二,提出并实现了利用其超晶格的室温激子效应来实现在室温、蓝绿波段芡以及具有ｎｓ和ｐｓ量级响应的光双稳的物理思想。     

Ⅱ—Ⅵ族半导体远红外反射光谱与电学参量

测量了Ⅱ－Ⅵ族半导体材料Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ、ＺｎＳｅ等的远红外反射光谱，拟合得到样品的载流子浓度、迁移率、电阻率等参数     

Ⅱ—Ⅵ族半导体特性参数的三维边缘元分析

本文用三维边缘元方法分析了电导率为张量的有间隙Ⅱ－Ⅵ族半导体材料的散射特性,给出了散射参数与半导体特性参数之间的关系曲线并了用这些曲线确定Ⅱ－Ⅵ族半导体电牧场生参数的方法,该方法直接从泛函变分出发,避开了其它方法中示解有损超薄各向异性介质充波导本征值问题的困难,简化了求解过程,计算结果与实验值的比较证实了本方法具有有效、可靠和精确的特点。     

宽禁带Ⅱ—Ⅵ族四元合金Zn1—xMgxSySe1—y成分的定量俄歇分析

用分子束外延法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了高质量的四元合金Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｙＳｅ１－７薄膜，在对所生长的样品进行俄歇电子能谱、Ｘ射线衍射和喇曼散射后，提出了一种确定四元合金Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｙＳｅ１－ｙ组分的方法，即：利用ＺｎＳｙＳｅ１－ｙ和化学配比的ＭｇＳｅ作为标准样品，通过Ｘ射线衍射和嘈曼散射测得标准样品ＺｎＳｙＳｅ１－ｙ中的Ｓ组分，再根据ＺｎＳｙＳｅ１－ｙ和ＭｇＳｅ的俄歇谱图，对各 相     

宽带Ⅱ—Ⅵ族超晶格材料MBE生长及其特性研究

采用MBE和ALE方法,在GaAs、InP衬底上生长出了ZnSe/znS、ZnTe/ZnSe及p-ZnTe/ZnSe等超晶格材料。测量了低角度x-射线衍射,掺杂起晶格材料的载流子浓度及迁移率,进行了光荧光谱、瞬态光荧光谱、Raman光谱、远红外反射谱及光学非线性研究和讨论。所得结果多为首次报道,本文对其进行一些讨论。