HgCdTe CCD红外成像阵列

CCD的设计和制作以往的一些论文,论述了HgCdTe四相表面沟道CCD线列移位寄存器的研究情况,首先是电荷转移效率0.996的8位CCD线列,后来发展到16位和32位线列,电荷转移效率为0.999。最近资料〔4〕又对以上工作作了评论。这些工作都建立在使用ZnS和HgCdTe自身氧化物的MIS技术基础上。本文将讨论这项工作在面阵和改善线列性能方面的发展,主要目标是把HgCdTe CCD阵列用在机械扫描的红外成像探测系统上。在这种应用中,可用时钟脉冲控制CCD势阱穿越阵列     

多元HgCdTe线列探测器的同步辐射形貌术分析

利用同步辐射拍摄了长波光导多元HgCdTe探测器芯片的高分辨率的白光形貌相,观察到多元线列器件探测元中明显存在晶格应变区、亚晶界、滑移面等缺陷.实验结果表明:多元线列器件探测元的性能与其光敏区HgCdTe材料中的晶体缺陷密切相关,器件工艺对HgCdTe晶片的应力状态有极大的影响,器件工艺对材料的应力作用可从多元器件探测元晶格的完整性反映出来.     

多元多色HgCdTe红外探测器

简要介绍利用不同波段的微型滤光片和不同响应波段的多元ＨｇＣｄＴｅ红外探测器,叙述了通过精密镶嵌技术组合而成的四波段２１５～２２５μｍ、８４～８９μｍ、１０３～１１３μｍ和１１５～１２５μｍ８８元多元多色探测器的设计原理和特性,以及多元多色探测器的组合工艺,并给出了各个通道的响应光谱特性和探测器的工作性能。研制成功的８８元多色红外探测器每个通道的平均探测率和响应率分别为：Ｄ２．１５～２．２５＝１．２×１０１２ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ２．１５～２．２５＝５．０×１０６Ｖ／Ｗ,Ｄ８．４～８．９＝７．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ８．４～８．９＝１．６×１０４Ｖ／Ｗ,Ｄ１０．３～１１．３＝４．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ１０．３～１１．３＝４．３×１０３Ｖ／Ｗ,Ｄ１１．５～１２．５＝３．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ１１．５～１２．５＝３．３×１０３Ｖ／Ｗ,文中对这些结果进行了分析和讨论。     

HgCdTe红外探测器性能分析

根据碲镉汞材料的性能、碲镉汞红外探测器物理机理和基本器件模型,对截止波长为3 m、5 m、10.5 m的碲镉汞探测器,在不同工作温度下的探测率性能进行了理论计算。计算结果表明:碲镉汞探测器在短波、中波和长波三个主要红外波段均能满足第三代红外焦平面器件对灵敏度和工作温度的要求。     

HgCdTe光伏红外探测器

一般Hg_(1-x)Cd_xTe晶体都用液相生长法制得。但除资料[1]之特殊方法外,单从液相生长时,由于其液-固线差别显著,难得长成均匀的单晶。晶体内不可避免地多少存在一些三元的组分。由资料[2]提出,以后由     

基于HgCdTe的新一代红外探测器

近十年来,基于HgCdTe的致冷型甚高性能红外探测器技术不断取得进 步,今天已达到成熟的工业水平,这使得人们能以越来越合理的成本生产出可用规格 (320×240元, 640×480元)的探测器列阵。与此同时,更为复杂的(百万元列阵、多光 谱列阵和高清晰度线阵等)传感器样品也相继出现,这说明这种高性能的探测器技术 具有巨大的潜力可挖。本文介绍法国研究的红外探测器技术,并给出已投入工业生产 的相关产品的工艺状况,然后重点介绍法国信息技术和电子技术实验室(LETI)最近 研制的先进样品(双色列阵、百万元列阵等)的性能。从这些样品上测得的性能已接近 理论所预计的极限值。     

集成式HgCdTe红外双色探测器列阵

首次报道了集成中波 1/中波 2 (MW1/MW2 )的HgCdTe红外双色探测器的材料生长、器件制备及其性能 .采用分子束外延 (MBE)技术 ,生长了p p P N型Hg1-xCdxTe多层异质结材料 .通过B+ 注入、台面腐蚀、爬坡金属化、台面侧向钝化及互连等工艺 ,得到了 80元的原理型HgCdTe红外双色探测器 .纵向上背靠背的 2个光电二极管分别有电极输出 ,确保了空间上同步和时间上同时的探测 ,并能独立地选择最佳工作偏压 .它适于常规的背照射工作方式 ,且有大的空间填充因子 .在液氮温度下 ,2个波段的光电二极管截止波长λc 分别为 3.0 4 μm和 5 .74 μm ,对应的R0 A值为 3.85× 10 5Ωcm2 和 3.0 2× 10 2 Ωcm2 .测得MW1、MW2的峰值探测率Dλp 分别为 1.5 7× 10 11cmHz1/2 /W和 5 .6 3×10 10 cmHz1/2 /W .得到 2个波段的光谱响应 ,且MW2光电二极管的光谱串音为 0 .4 6 % ,MW1光电二极管的光谱串音为 6 .34% .     

红外探测器材料和HgCdTe材料的发展现状

简要介绍了主要的红外探测器材料,包括半导体光电探测器材料,热释电材料和热敏电阻材料,回顾了ＨｇＣｄＴｅ材料的发展历史和现状,液相外延,分子束外延和金属有机物汽相外延是目前生长ＨｇＣｄＴｅ薄膜的３种主要技术,作者认为,薄膜材料是今后红外探测器材料的主要研究课题。     

俄罗斯HgCdTe红外焦平面探测器的现状

介绍了俄罗斯对HgCdTe红外焦平面探测器的分代标准,及俄罗斯     

长波光导HgCdTe红外探测器的可靠性

从真空热浸和电流冲击两个方面对碲镉汞红外探测器进行了研究.真空热浸在星载红外探测器中是十分重要的一项试验,通过研究得到大面积甚长波探测器芯片的耐真空热浸温度为85℃、95℃下39 h的热浸会降低探测器的性能;在电流冲击的实验中,得出低温下探测器芯片耐冲击能力低于室温下的探测器芯片,低温下40 mA的脉冲电流会降低其性能,而室温下相应的脉冲电流为70mA.粘接胶的热导率和厚度是影响耐冲击能力的主要因素.     

Si衬底上的HgCdTe光伏探测器

利用CdTe和GaAs中间外延层,首次在Si衬底上制作了HgCdTe红外光伏探测器。在热循环之后未观测到这些器件(截止波长为5.5μm,在80K时R_0A高达200Ωcm~2)有裂缝或衰变。次级离子质谱测定法和俄歇数据证明:CdTe缓冲层使中间GaAs外延层中Ga的扩散,不致在高达500℃的生长温度下无意中使p-HgCdTe转变为n型。     

InSb混成红外CCD铟柱互连

本文介绍在InSb多元列阵和硅COD的电极上生长铟柱,用红外显微镜实现铟柱对准,以及正照射式互连结构。以上方法具有工艺简单、结构紧凑、易于实现之优点。1.铟柱生长在InSb多元列阵的金电极上和硅COD的铝电极上电镀铟柱,这一工艺比表面处理     

HgCdTe长线列中长波红外探测器技术

长线列探测列阵适用于以推帚方式扫描工作的高分辨率红外成像系统,尤其适用于机载平台及太阳同步轨道卫星,以便省去复杂的扫描机械系统.……     

走向第三代HgCdTe红外探测器

随着红外技术的不断发展,先进红外系统对多光谱探测器的需求正在日益增长。虽然HgCdTe光电二极管和量子阱红外光电探测器在中波红外和长波红外范围都具有多色探测能力,但是它们各自都有自身的优缺点。量子阱红外光电探测器比较容易制备,且具有成品率高、可操作性高、均匀性好和成本低的优点。     

横向集电型HgCdTe红外探测器

为了满足美国宇航局的对流层发射光谱仪的严格的性能要求,美国喷气推进实验室已研制了若干HgCdTe红外光电探测器列阵.这些探测器列阵为双层平面异质结构型,但它们与常规的双层平面异质结构型列阵不同,即,它们采用了一种特殊的横向集电结构.与以前的这种列阵相比,这些探测器的制作成品率、电流电压特性以及低温性能都有了改善.     

红外探测器倒装互连技术进展

随着红外焦平面技术的发展,红外探测器探测波段已由单波段变为双色及四色波段,半导体元件的封装数量由最初的数十个发展到数百万个,I/O输出密度不断增大,传统微互联技术如引线键合技术、载带自动焊技术等已根本无法满足器件要求。倒装焊技术以其封装尺寸小、互联密度高、生产成本低的特点越来越受到人们的亲睐。倒装互连工艺主要包括:UBM 制备、铟膜沉积、回流成球、倒压焊、填充背底胶。介绍了各工艺步骤的发展状况,并对铟膜沉积、铟柱增高工艺进行详细阐述。     

长波HgCdTe红外探测器的暗电流机理研究进展

介绍了HgCdTe红外探测器的发展历程,详细分析了长波HgCdTe红外探测器的暗电流机制、采用同时拟合方法对暗电流参数进行提取与分析,介绍了为降低暗电流的一些新的研究进展。     

红外探测器／CCD耦合技术

本文讨论应用于镶嵌焦平面列阵(FPA)的探测器/CCD 耦合技术。给出了大量最佳的耦合连接电路,简单介绍了耦合连接功能如:信号注入、阻抗匹配、信号调节、背景抑制、缓冲及前放等电路。