多集电极横向PNP晶体管电流增益的设计

本文给出了横向晶体管设计模型,讨论了集电极断节效应和基区表面场效应,实验表明,设计薄的基区宽度,选用长方形或圆形发射极,配合相应的断节集电极结构是多集电极横向晶体管的优化设计方案,采用场效应板同时覆盖本征基区表面和断节集电极的基区表面,是提高多集电极横向晶体管电流增益的重要有效途径.     

顶面集电极接触的微波功率晶体管(第一部分)

本合同研究的宗旨在于设计、制造和评价一种全顶面接触的微波功率晶体管。该器件在1～1.5千兆赫的频段具有30瓦的脉冲输出,增益大于7分贝。本合同是制造射频功率晶体管三个组成部分中的第一部分,该器件采用了消除键合引线的匹配网络。TRW 公司目前拥有在2.0千兆赫下具有连续波输出25瓦的微波功率晶体管。该器件在1.5千兆赫下能输出35瓦的连续波功率,增益为8.0～8.5分贝,器件设计的主体是采用全顶面接触的器件结构。本报告涉及这项研究工作的设计、制造程序和进展情况。在第一个季度报告中讨论了全顶面接触的功率品体管的设计进展情况及其研制结果。还讨论了研制全顶面接触结构的工艺技术及新设计。二、顶面集电极接触的晶体管研制     

具有新型集电极势垒结构的121GHz谐振隧道热电子晶体管

<正>谐振隧道热电子晶体管(RHET)是一种新型的具有极高频特性的三端器件。前不久,由于采用了InGaAs/InAlAs赝异质结,使器件的集电极电流峰-谷比和微波特性得到了改进。但是在低的集电极-基极电压情况下,器件的电流增益较差,不适合电路应用。 《Electronics Letters》1991年8月报道一种新型的集电极势垒结构RHET,它能改善集电极-基极低电压时的电流增益,从而使器件的微波特性进一步改善。在新结构中i-In_(0.52)(Al_(0.5)Ga_(0.5)_(0.48)As势垒厚度从原来的200nm减到50nm。由于电子只要克服较薄的势垒就能到达集电极,这就使在低的集电极-基极电压下增大了器件的电流增益。器件的发射极谐振隧     

顶面集电极接触的微波功率晶体管(第三部分)

一、器件特性1.1 引言为了估计每一批的质量与制作方法之不同的依赖关系,要考虑四个主要的性能,这些性能是:直流特性、在1.5千兆赫下的射频特性、单个和多个单胞的功率均分以及射频阻抗特性。对顶面集电极接触和一般的集电极接触结构都作了性能上的估价。对六个特定的批次作了性能测试和单胞并联研究。这些批次包括(100)硅制作的不同结深、改进的 V 形槽金属化层的光刻和背面扩散结果。     

低压应用的新型双极晶体管集电极设计的折衷方法

低压应用的新型双极晶体管集电极设计的折衷方法＝Ｃｏｌｌｅｃｔｏｒｄｅｓｉｇｎｔｒａｄｅｏｆｆｓｆｏｒｌｏｗｖｏｌｔａｇｅａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｏｆａｄｖａｎｃｅｄｂｉｐｏｌａｒｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ［刊．英］／Ｋｕｍａｒ．Ｍ．Ｊ…∥ＩＥＥＥＴｒａｎ...     

顶面集电极接触的微波功率晶体管(第二部分)

本研制方案的目的是研究硅双极晶体管技术的基本限制。总的说来是要着重解决在1～10千兆赫频段内的单片功率器件的结构上的技术问题。在本方案中,TRW 公司半导体分部的计划包括三个研究阶段。第一阶段是实现顶面集电极与埋层接触,并使埋区到顶面能以很小的电阻损耗来传输功率。第二阶段是处理在单片的硅衬底的特定区域中横向和竖向的射频绝缘,并保证绝缘区中的顶面接触功率器件结构的散热能力。第三阶段是研究匹配元件与单片射频功率器件所需要的有源元件和无源元件之间“非手工引线”互连的限制。本报告也讨论了第三阶段所要求的集总元件匹配网络的设计和工艺程序。     

集电极偏置电流对硅npn晶体管γ辐照效应的影响

对硅npn双极晶体管(C2060)室温下不同集电极偏置电流条件下γ辐照的总剂量效应进行了研究.结果表明,npn晶体管的辐照损伤程度随着辐照总剂量的增加而增加;尤其是实验中发现:在相同的辐照总剂量下随着辐照时集电极偏置电流的增加,晶体管的辐照损伤程度却在减轻.空间电荷模型的观点并不能很好地解释辐照损伤与辐照集电极偏置电流的关系.文章对空间电荷模型进行了修正,认为除氧化物俘获电荷和界面俘获电荷外,还会在外基区Si-SiO2界面附近形成电中性的电偶极子.利用修正后的理论可以很好地解释所有的实验结果.     

集电极偏置电流对硅npn晶体管γ辐照效应的影响

对硅npn双极晶体管(C2060)室温下不同集电极偏置电流条件下γ辐照的总剂量效应进行了研究.结果表明,npn晶体管的辐照损伤程度随着辐照总剂量的增加而增加;尤其是实验中发现:在相同的辐照总剂量下随着辐照时集电极偏置电流的增加,晶体管的辐照损伤程度却在减轻.空间电荷模型的观点并不能很好地解释辐照损伤与辐照集电极偏置电流的关系.文章对空间电荷模型进行了修正,认为除氧化物俘获电荷和界面俘获电荷外,还会在外基区Si-SiO2界面附近形成电中性的电偶极子.利用修正后的理论可以很好地解释所有的实验结果.     

内透明集电极绝缘栅双极晶体管温度特性的仿真研究

ITC-IGBT是新一类IGBT,它在PT-IGBT结构基础上,在集电区近集电结附近引入一局域载流子寿命控制(LCLC)层,只要该层内载流子寿命足够低,则LCLC层对其以下衬底内的空穴具有屏蔽作用,从而使集电区范围变窄、集电区电子有效扩散长度减小,可使器件集电区由非透明变成内透明。本论文首次对600V平面栅内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)的温度特性进行了仿真研究,并与传统PT-IGBT进行了比较。仿真结果表明,ITC-IGBT不仅技术折衷曲线明显优于PT-IGBT,且电流零温度系数点以及关断损耗随温度的增加率也比PT-IGBT要低,这说明ITC-IGBT不仅具有优良的电参数指标,同时具有良好的热稳定性。是一类颇具潜力的低压快速IGBT。     

集电极扩散隔离工艺

本文介绍集电极扩散隔离工艺的特点,叙述该工艺的实验,并给出用此工艺技术制作的晶体管(β≥100,f_T>1000MHz,BV_(ceo)≥6V)和E/T转换器的结果。     

集电极扩散隔离工艺的进展

据报导,英国本国有三家集成电路制造厂家:普莱赛公司、通用电气公司和费拉蒂公司。普莱赛公司专攻MOS,很少过问双极工艺。通用电气公司也开始此项工作,现已放弃双极工艺。只有费拉蒂公司仍生产DTL和TTL,为了使双极电路生产有进一步发展,     

开关集电极阻抗存储器

引言大容量、高速LSI存储系统的总功耗要达几千瓦或更多些。另外考虑到热阻,要把较多的存储单元集成于一个LSI中以便获得低成本和高可靠性的话,则每位的功耗都要很小。就是对高速双极存储单元来说,这两个因素都使它的功耗应在0.5毫瓦左右或更小一些才是实用的。至今为止,为减少双极存储单元的功耗而又不影响它的高速性能已做了许多努力,然     

集电极调幅电路仿真分析

集电极调幅是基于丙类谐振功率放大器实现调幅。利用LTspice软件对集电极调幅电路进行可视化仿真分析。首先设置合理电路参数,通过集电极电流是否凹陷判断丙类谐振功率放大器的三种工作状态;然后在过压状态下加载调制信号获得输出调幅信号;最后分析了影响输出调幅信号的因素及原因。通过仿真实验,可以形象、直观展示电路仿真结果,增强对调幅信号及信号失真的感性认识和电路性能的参数调试方法,加深对基本原理的理解。     

一种集电极接地的稳压电源

一般的晶体管稳压源其输出管与散热器之间垫一绝缘层,这样会降低散热效果.有时为求得较好的散热,于是将输出管与散热器装在底板的最边缘,甚至暴露于机箱外表,这样,当输出较高电压(大于36伏)时,安全性便成问题.同时绝缘层偶尔损伤,电源就会发生故障.如改为集电极接地,上述两点均可获得圆满解决.现向读者推荐一种电路,如图所示.     

选择离子注入集电极技术研究

为提高超高速双极晶体管的电流增益 ,降低大电流下基区扩展效应对器件的影响 ,将选择离子注入集电区技术 (SIC)应用于双层多晶硅发射极晶体管中。扩展电阻的测试结果显示出注入的 P离子基本上集中在集电区的位置 ,对发射区和基区未造成显著影响。电学特性测量结果表明 ,经过离子注入的多晶硅发射极晶体管的电流增益和最大电流增益对应的集电极电流明显高于未经离子注入的晶体管。因此 ,在双层多晶硅晶体管中采用 SIC技术 ,有效地降低了基区的扩展效应 ,提高了器件的电学特性。     

采用氧离子注入制作的重碳掺杂基极高f_（max）集电极AlGaAs异质结双极晶体管

采用氧离子注入制作的重碳掺杂基极高ｆ＿（ｍａｘ）集电极ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管＝Ｈｉｇｈｆ＿（ｍａｘ）ｃｏｌｌｅｃｔｏｒ－ｕｐＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓｂｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎｂｉｐｏ－ｌａｒｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓｗｉｔｈａｂｅａｖｉｌ...     

双电层电容器集电极材料初探

对双电层电容器集电极材料的选择作了比较详细的讨论，并就集电极钝化防腐进行了理论性探讨。