LiNbO3电光调制器及其设计

电光调制器是高速光通信的关键器件，受到国内外极大关注。本叙述了LiNbO3电光调制器的基本原理与参数，并介绍了LiNbO3调制器设计与结构性能。     

新型LiNbO3电光调制器

LiNbO3电光调制器是用于高速光通信系统最有希望的器件,已成为国内外研发的热门器件.目前已开发了多种类型的LiNbO3电光调制器,本文介绍了几种新型LiNbO3电光调制器.     

LiNbO3电光调制器制作技术

光调制器是光通信的关键器件之一。国内外已对LiNbO3电光调制器开展了基础理论、结构设计、工艺制作和性能测试等方面的研究。介绍了LiNbO3电光调制器的关键制作技术与工艺。     

LiNbO3电光调制器制作技术

光凋制器是光通信关键器件之一。国内外已对LiNbO3电光凋制器开展了基础理论，结构设计、工艺制作、性能测试等方面的研究和开发。本文介绍了LiNbO3调制器关键制作技术与工艺。     

高速LiNbO3电光调制器的最新研究进展

综述了高速LiNbO3电光调制器的最新研究进展。重点介绍了近年来国外对调制器结构和工艺的改进,并报道了两种新结构形式的LiNbO3调制器。对高速LiNbO3调制器的商用化状况进行了概述,并对其在国内的研究方向提出了建议。     

LiNbO3电光调制器研制现状与进展

LiNbO3电光调制器是高速光传输系统必不可少的器件，已成为国内外研制开发的热点，目前已取得很大进展，已开发了多种类型的LiNbO3电光调制器，器件性能也有较大提高。     

发展1.55μm LiNbO3光调制器

最近几年,宽带光通信系统的需要刺激了对高速集成电光器件的研究和发展,其中研制成功的最重要的器件之一是宽带电光调制器。宽带电光调制器是用高速电信号调制激光器来发射光波,利用光波实现高速大容量信息传输。宽带电光调制器按波导的外形结构可分为Y分支型和MZ干涉仪型,它们大多数是用     

LiNbO3电光调制器的优化设计与制作

铌酸锂晶体有良好的光声和电光性质,因而基于铌酸锂的集成光学器件已引起人们广泛关注。利用LiNbO3作为介质材料,设计M-Z干涉型强度调制器。选用低损耗的质子交换光工艺技术制备光波导。对质子交换铌酸锂光波导的制作工艺、波导特性及其应用进行了研究。对电极结构进行了优化设计。     

脊波导结构LiNbO3电光调制器研究与改进

采用有限元软件Ansys、运用有限元法,对脊波导结构铌酸锂电光调制器进行了优化设计。通过将传统结构与脊波导的比较分析,提出采用聚四氟乙烯部分取代缓冲层中的二氧化硅的结构,能更好的实现微波等效折射率的降低以达到与光波折射率的匹配,同时能保持更大的特性阻抗以实现阻抗匹配,从而更好的提高器件性能。     

LiNbO3电光调制器的小信号功率测试法研究

阐述了小信号功率测试法测量LiNbO3电光调制器频率响应的原理,对传统的小信号功率测试法加以改进,在以网络分析仪（VNA）为主的常用扫频测试系统基础上建立起一套简单可靠的新型测试系统,实现了计算机控制自动测量。改进的测试方法考虑了测试系统中微波器件固有频响对测试结果的影响,并通过对器件进行校准加以消除。通过实验表明该方法的准确性。     

基于LiNbO3调制器的40GHz宽带调制光源的设计

介绍了基于LiNbO3电光强度调制器的40GHz宽带调制光源的设计.对其中的关键技术,如直流激光器稳态工作、调制器输出功率稳定性、频率响应预失真补偿以及整体设计等逐一加以分析,并提出解决方案.成功实现了基于LiNbO3电光强度调制器的宽带调制光源,并对该高速光源进行了一系列性能和指标测试.光源的频率响应3dB带宽达到40GHz,可用于40GHz频率范围内光电子器件频率响应特性测试,同时也满足SDH/SONET传输实验要求.     

LiNbO3电光调制器行波电极微波等效折射率的测量

LiNbO3电光调制器的设计中,行波电极的微波等效折射率是一个重要的参数。该文通过自行设计的微波探针架及探针,采用差值的方法,在微波网络分析仪上对样品CPW电极的微波等效折射率进行了测量,分析了实测值与理论计算值的偏差,给出了修正因子,研究了微波等效折射率随频率变化的色散现象,并对这种测量方法进行了误差分析,提出了减小误差的方法。     

一种基于薄膜铌酸锂调制器芯片的新型电光调制器

针对传统铌酸锂电光调制器体积大、带宽小等技术问题,提出了一种基于薄膜铌酸锂调制器芯片的新型电光调制器的设计方法,给出了薄膜铌酸锂电光调制器高频传输仿真模型,详细介绍了薄膜铌酸锂电光调制器的高频信号馈入设计、过渡薄膜基板高频阻抗匹配设计,并测试了40 GHz小尺寸薄膜铌酸锂电光调制器的核心指标。测试结果表明：设计的薄膜铌酸锂电光调制器插入损耗、半波电压、3 d B带宽、产品尺寸分别为4.1 d B、3.9 V、40 GHz、30 mm×10 mm×5 mm,比传统铌酸锂电光调制器性能优越。     

一种新型LiNbO3光波导调制器的准静电分析

本文提出利用共面微屏蔽线实现新型结构的铌酸锂光调制器，并利用保角变换的方法计算该结构调制器的特性阻抗，等效折射率，调制宽，并根据此计算结果算出所需的调制电压。结果表明昨用该结构有效地减小了调制器的速度失配，增加了调制带宽，是一种可行性的方案。本文并根据计算结果填充了较理想的调制器的尺寸大小。     

光通信中的LiNbO3集成波导电光器件

本文介绍了现在应用的几种LiNbO_3集成波导电光器件,讨论了调制器、开关、偏振器、滤光器等的工作机制和性能,并侧重介绍了当今光通信中应用最多的调制器件。     

X切LiNbO3脊形结构集成电光M-Z型调制器

采用X切LiNbO3 基片 ,设计并研制了脊形结构集成电光Mach Zehnder(M Z)波导调制器 ,实验研制过程包含关键的LiNbO3 基片湿腐蚀刻槽技术和大厚度电极制作技术。研究结果表明 ,脊形结构调制器与传统的平面结构调制器相比 ,在大幅度提高调制带宽方面 ,有着明显的优越性     

新型高速电光调制器

介绍了目前高速长距离光纤通信中常用的电光调制器的原理、结构和应用．目前半导体调制器的研究日趋成熟，性能不断改善．有机聚合物电光调制器被公认为是最具潜力的高速光通信调制器，正成为人们关注的焦点．     

高性能硅和铌酸锂异质集成薄膜电光调制器 （特邀）

硅基光子集成平台因其高集成度、CMOS工艺兼容性等特点在光通信领域受到了广泛的关注,而电光调制器作为光通信系统中最为重要的器件之一,承担着将电信号加载至光信号上的关键作用,为打破硅基调制器的性能限制,可利用硅和铌酸锂的大面积键合技术以及铌酸锂低损耗波导刻蚀技术实现高性能硅和铌酸锂异质集成薄膜电光调制器,目前该类调制器的性能可达半波电压3 V,3 dB电光带宽超过70 GHz,插入损耗小于1.8 dB, 消光比大于40 dB。文中对比了硅和铌酸锂异质集成调制器的研究现状并介绍了该异质集成薄膜调制器的结构设计与工艺实现方法。     

LiNbO3电光强度调制器的进展

介绍了以LiNbO3为基质制作的电光强度调制器的优化电极结构，对电极的几何形状的优化，以及通过对比分析，选择合适的电极厚度和缓冲层厚度进行优化。同时列举了近几年研究LiNbO3电光强度调制器的进展情况。