SP-1型片状磷源用于功率晶体管发射区扩散的尝试

本文详细报导了SP-1型片状磷源用于晶体管发射区扩散的实验方法及实验结果.实验证明片状磷源在扩散均匀性、重复性以及扩散浓度可调节性等方面,均优于三氯氧磷液态源.实验也证明了片状磷源扩散不仅能满足大功率晶体管发射区所要求的深结、高浓度扩散,而且能提高产品成品率和优化电参数.     

陶瓷片状磷源扩散在PtSi—SiSBIRCCD研制中应用获得成功

陶瓷片状磷源扩散至今已有十几年历史。近几年来,我们成功的将其用于线阵、面阵、PtSi-SiSBIRCCD的研制中。 我们选择的典型磷扩散条件为: 炉温(℃):1034～1100 氮气流量(ml/mm):500～600 扩散时间(分):8～10 方块电阻(R_(口多)Ω/:15～80(R_(口多)是多晶硅膜层的方块电阻) 间距(mm):3～5 使用中,如果在磷浓度能做到的情况下,尽量不要在高温度下长时间扩散,这是因为高     

SP-03高浓度片状磷源试验

有关片状磷源扩散性能,以及在器件扩散工艺中应用情况,国内外已有不少文章报导。虽然这种扩散源工艺上还存在不足之处,但已被公认为是一种有发展前途的新型磷扩散源。我组曾试用过国产SP-2片状磷源,针对扩散工艺对磷源的基本要求,对源片的扩散情况,扩散工艺的均匀性、重复性;在p型衬底上扩磷后的p-n结特性等方面,已作过讨论和总结。本文着重试验高浓度SP-3片状磷源的扩散性能,以获得一些扩散试验数据,希望能对此源作器件的高浓度磷扩散时提供参考。     

陶瓷片状磷源片在硅PNP管中的应用

一、问题的提出众所周知,生产中硅PNP管与硅NPN管β的控制范围,前者是很离散的,通常同一大圆片上β范围有时可以从20到200都有,最大不均匀性达90%左右.而后者则比较容易控制在一定的范围之中,最大不均匀性一般只有30%左右.造成上述差别的主要原因,在于由于管子极性不同,基区选择的掺杂不同造成.在硅NPN管中,基区扩散的杂质源往往是硼,而在硅PNP管中,恰恰相反,基区扩散的杂质源往往为磷.由于在同一温度下,磷的扩散系数比硼的扩散系数大,所以在低浓度的基区扩散中,     

固态片状磷扩散源

这是一篇关于用于对硅掺杂的一种新的固态片状磷源的供源寿命。微观结构稳定性以及扩散性能的试验报告。这种源的使用温度为900℃至1100℃。源片是多孔性陶瓷片,其中作为有源成分的焦磷酸硅占25％(重量百分比),以惰性高熔点粘合剂作为基体。微观结构的稳定性和热重量分析(TGA)的结果表明,温度高达1050℃时,这种材料的结构还能保持完整并有供源的能力。TGA结果予期这源片的使用寿命在1000℃和900℃下分别为216小时和3400小时,给出了使用这种源片掺杂的硅片的方块电阴,结深和扩散系数的有关实验数据,并且也描述了这种特殊的源片应用方法。 以前的关于硅平面工艺中的P-型掺杂源氮化硼的扩散性能的研究结果已经表明,片状扩散源与既使用液体又使用气体的携带气体扩散系统相比具有几个重要优点。片状扩散源的优点以前已由Goldsmith等人报道过。正是由于片状扩散源的优点,人们才研制了这种新的磷源并对它进行了评价。除了Goldsmith等人报道过的优点外,这种固态源还具有一种独特的优点,就是不会产生有毒性和腐蚀性的付产物。 在使用氮化硼源时,源片表面被氧化,形成三氧化二硼(B_2O_3),然后B_2O_3被蒸发,传输到硅表面。但是没有这么一种高熔点的磷化合物可以象制造氮化硼那样做成陶瓷片,然而Murata证明了焦磷酸     

陶瓷片状磷扩散源简介

一、液态三氯氧磷和陶瓷片状磷源比较 三氯氧磷在600℃以上将发生如下反应 生成的五氯化磷和氧气与硅在高温下生成二氧化硅和磷原子。 从上面反应可以看出,如果三氯氧磷热分解时,没有外来的氧参与,则分解是不充分的,生成的五氯化磷是不易分解的,并对硅有腐蚀作用,破坏硅的表面状态。但在有外来氧气存在的情况下,五氯化磷会进一步分解成五氧化二磷并放出氯气。     

片状扩散源在硅的磷扩散中的应用

向硅中进行杂质扩散,除了采用液态或气态杂质源外,还可以采用固体片状杂质源。已经证明,采用片状氮化硼能够进行稳定的B扩散(特别是大面积Si片,效果更为显著)。 我们以前曾经报道过采用片状氮化磷进行磷扩散的方法。本文再报道一种较稳定的扩散方法,采用含P_2O_5的片状扩散材料做为扩散源。     

硼微晶玻璃片状扩散源工艺实践

一、引言 在半导体器件的生产中,扩散源性能的优劣直接关系到能否在整个硅片上获得一致的扩散,是能否在固定的工艺条件下重复生产出合格的管芯的关键。对扩散源的研究正随着生产的发展而不断深入。同时,人们对于一个良好的扩散源的标准也日趋明确。归纳起来主要应有如下几条: 1.有良好的均匀性,即在一炉中的各片子上都可以获得几乎相同的扩散。     

新型片状磷平面扩散源的应用研究

分析了新型片状固态磷平面扩散源(PDS)的掺杂机理,并与液态POCl3源扩散进行了比较,指出可用片状固态磷PDS来替代POCl3实现磷扩散工艺的预沉积。基于PDS预沉积的实验结果,分析了影响方块电阻大小及其均匀性的关键因素,给出了工艺方案,并通过实际产品的电学参数测量结果验证了工艺方案的可行性,可供新型片状磷PDS在大直径硅扩散工艺中的推广使用参考。     

磷陶瓷片状扩散源在CMOSIC中的试用

固态片状扩散源有扩散均匀性,重复性好,操作简便,装炉量大等优点,一直为人们所向往,但六十年代,未找到合适的片状磷源材料,至1972年,日本首先发表了片状氮化磷源专利,但由于有热稳定性差等原因,在满足半导体器件和集成电路要求方面不甚理想,因而受到限制,直至1976年美国NJones等报导了PH-1050片状磷源,其所得结果可与pocl3液态     

采用片状氮化硼扩散源提高TTL电路质量

硅固态平面扩散源是七十年代出现的一种新的扩散技术,由于它具有均匀的扩散浓度,好的重复性和大大提高劳动生产率的优点,特别是随着硅片直径的增大、浅结扩散的采用促使氮化硼平面源的应用得到推广。我厂自76年年底开始采用片状氮化硼后使TTL电路的质量得到了一定程度的提高,最近四机部在上海召开了片状氮化硼扩散源经验交流会,使氮化硼的应用又取得了进展。     

陶瓷片状铝扩散源制备与扩散工艺探讨

本文介绍了为克股液态铝源缺点而开发的陶瓷片状铝源的制备,有关性质及扩散工艺实验,并给出了初步实验结果.     

片状固态扩散源在磷扩散工艺中的应用

本文介绍了采用国产的片状固态磷扩散源所进行的磷扩散工艺实验及其结果。有效成分为偏磷酸铝和焦磷酸硅的磷源片具有无毒、贮运方便等优点,固态源扩散的系统简单,操作容易。实验的结果表明,扩散结深、扩散薄层电阻、结的击穿电压等参数均能满足常规硅平面工艺的要求,扩散的均匀性也是令人满足的。     

片状氮化硼是一种好的硼扩散杂质源

片状氮化硼作为硼扩散杂质源,我们用来试生产集成电路低功耗TTL与非双门,低功耗D型触发器以及低功耗四位二进制计数器都得到了满意的结果。在其它工艺条件相同情况下,用片状氮化硼作为硼扩散杂质源所生产的双门,双D中测管芯成品率完全可以达到用粉末状氮化硼源的成品率。在试制中规模集成电路低功耗四位二进制计数器,按二位以上性能好的管芯统计,中测成品率可达15％～20％,其中四位全好的管芯占有     

一种新的磷扩散源——固体磷源及其在泡发射极中的应用

本文介绍了一种用固态磷扩散源作磷扩散的工艺方法与反应机理,工艺设备及扩散条件与结构参数的关系,同时实验地确定了该扩散工艺方法中磷掺杂浓度的分布情况。并说明了该磷扩散方法的一个突出优点,即可以运用于泡发射极工艺。     

硼微晶玻璃片状扩散源在肖特基二极管中的应用研究

本文通过硼微晶玻璃片状扩散源在肖特基二极管中的使用过程,概述了７５×３ｍｍ硼微晶玻璃片状扩散源的扩散原理、扩散方法,实验过程;总结实验结果,给出了有关数据,讨论了存在的问题。     

硼微晶玻璃〔PWB〕片状扩散源在CMOSIC中的试用

一.概述: 1.名称:硼微晶玻璃片状扩散源简称PWB片状源或叫氧化硼片。 PWB是以硼—微晶—玻璃的汉语拼音第一个字母PWB命名的。 美国于1975年首先使用,称Boron~+片,国内于1979年试用并(钅监)定。由上海有色光学玻璃厂制造。 2.PWB片的主要成分及性质:     

片状电感器

<正> 电感器是电子线路中三大无源器件之一。随着表面安装技术的发展,各种片状(贴片式)电感器应运而生。片状电感器是用新型磁性材料、精密薄膜工艺及自动化绕线设备制造的,所以不仅具有极小的尺寸(1μH的体积为1.2×2×0.8mm,1000μH的体积为2.5×3.2×2.5mm),而且还有良好的性能以满足不同工作频率及工作电流的要求。尺寸小的好处是安装密度高,分布电容小。采用自动化设备生产后,片状电感器质量稳定,成本低廉。 片状电感器大部分用于无绳电话、蜂窝电话、汽车电话等高频无线通信设备及高频测试仪器,小部分用于音频—视频设备、计算机软盘驱动器和硬盘驱动器、DC/DC变换器中滤波用的扼流圈等。