GSI的300mm晶圆制程开发项目成功发展

GSI科技公司宣布两款 30 0 mm晶圆开发产品已由台积电 (TSMC)安排生产。6月份 ,该公司推出两款 9Mbit SRAM,分别命名为 GS880 36B和 GS880 18B,它们由此成为 GSI首批由 TSMC安排在新竹的 Fab12生产线基于 0 .13微米单复晶硅铜处理技术制造的产品。虽然最初的产出量较低 ,不过预计其后的产能率将超过 80 %。该公司的 36Mbit SRAM系列 GS832 0 72、GS832 0 36和 GS832 0 18也于 10月份由 TSMC安排生产。这些 SRAM将采用 0 .13微米单层或四层复晶硅铜处理制程 ,扩展了之前 GSI产品主要采用 8英寸晶圆制程的范围GSI的300mm…     

Electroglas开发出自动缺陷分类软件

处理性管理工具厂商 Electroglas公司推出了一套自动缺陷分类软件 Defect ID。它用于改良晶圆制程检测、组装和封装处理中的生产性能和产能。Defect ID可结合该公司的Quick Silver自动晶圆检测系统 ,扩充其现有的缺陷分类工具范畴 ,包括晶圆表面缺陷随机识别系统。Defect ID采用脱机训练和分析工具可以生产一套缺陷识别库并刷新分类结果。用户采用Defect ID的管理系统 ,可变更或比较分类范畴 ,增加或减少缺陷类别Electroglas开发出自动缺陷分类软件     

DISCO上市新型激光加工设备一台设备即可完成贴附有low-k膜的晶圆切割

<正>据日经BP社报道,日本DISCO公司开发出了新型激光加工设备"DFL7260",该设备配备2个激光振荡器,只需一台即可切割使用了low-k膜的晶圆。该设备预定于2008年4月上市。向样品照射激光使其部分气化的烧蚀(abrasion)加工技术能够进行low-k膜的沟槽加工和晶圆切割。     

苏州天弘激光推出新一代激光品圆划片机

日前,苏州天弘激光股份有限公司推出了新一代激光晶圆划片机,该激光划片机应用于硅晶圆、玻璃披覆（玻钝）二极管等半导体晶圆的划片和切割,技术领先于国内同行,成为激光划片行业一支新秀。     

GSI发布最新晶圆级芯片打标技术

<正>在半导体制程领域提供雷射技术已经超过2 0年的GSILumonics公司,前不久在上海举行了"先进晶圆级芯片打标技术研讨会",向业界展示了从晶圆刻印到链接处理、晶粒刻印、混合信号电路修整、以及其他一系列最新技术和产品。 研讨会上GSI Lumonics公司除向与会者介绍了高端的集成电路封装趋势和以激光技术为基础的晶圆级芯片打标系统外,还详细叙述了为什么晶圆级芯片打标技术能使     

信息园

·业界动态·　L G Siltron在 Kumi建立 30 0 mm晶圆厂LG Siltron公司正在韩国Kumi建立一个 30 0 mm晶圆厂。Kumi工厂有望每月生产 1 0 0 ,0 0 0片晶圆。该公司称 Kumi工厂占地1 60万平方英尺。该工厂设施装备先进、高效 ,可处理从单晶硅生产到最终工艺的全套 30 0 mm晶圆生产。·业界动态·　应用材料购买Schiumberger晶圆测试事业应用材料 ( AppliedMaterials)日前购并Schlumberger旗下的电子束( electron- beam)晶圆测试事业 ,相关金额并未公布。应用材料将取得检测高阶半导体组件生产的 Odyssey30 0系统 ,其电子束伏特对比技术可…     

晶圆激光切割技术的研究进展

综述了半导体领域晶圆切割技术的发展进程,介绍了刀片切割技术、传统激光切割技术、新型激光切割技术及整形激光切割技术的特点、工作原理和优缺点以及国内外使用晶圆切割技术获得的研究成果及其应用前景.与刀片切割技术相比,激光切割技术具有切割质量好、切割速度快等优点.详细介绍了以进一步改善晶圆切割质量和提高切割速度为目的的几类整形激光切割技术,包括微水导激光切割技术、隐形切割技术、多焦点光束切割、“线聚焦”切割、平顶光束切割和多光束切割等.随着技术的不断完善、切割设备的不断成熟,整形激光切割技术在未来的晶圆切割领域将具有广阔的应用前景.     

Spansion硅谷研发中心转向300mm闪存晶圆

闪存供应商Spansion宣布,该公司的亚微米开发中心(SDC)已经成功地完成了从200mm向300mm的转变。该中心是Spansion的研发总部,同时也是为Spansion所有闪存产品线开发先进制程的核心部门。由此,Spansion成为唯一正在开发300mm闪存晶圆的硅谷公司,并且成为美国加州唯一拥有300mm闪     

中芯国际今年芯片产能目标减至每月15．5万片

晶圆代工大厂台积电对外宣布，该公司90纳米Nexsys制程技术为多家客户量产芯片，在2004年第四季中每个月的90纳米12口晶圆出货量已达数千片，2005年将扩大产能以因应客户对此先进制程技术的需求；这些客户包括Altera及Qualcomm等公司，也包括一些整合组件制造商(IDM)。     

GSI发布最新晶圆级芯片打标技术

在半导体制程领域提供雷射技术已经超过20年的GSILumonics公司,10月26日在上海举行了“先进晶圆级芯片打标技术研讨会“,向业界展示了从晶圆刻印到链结处理,晶粒刻印,混合信号电路修整,以及其它一系列最新技术和产品。研讨会上GSI Lumonics公司向与会者介绍了高端的集成电路封装趋势;以激光技术为基础的晶圆级芯片打标系     

NEC Electronics扩大加州晶圆厂产能以支持MCU产品

NEC Electronics America Inc．近期发布了含有嵌入式闪存芯片的29款微控制器，目标应用于汽车和安全控制等。新产品包括采用0．15μm制程技术的8-bit和32-bit MCU。重点支持于汽车行业，NEC Electronics America表示，公司正在扩大设于加州Roseville的半导体制造工厂的产能，在原有150mm圆片0．35和0．25μm工艺制程的基础上增加了采用200mm圆片的0．15μm工艺制程。     

90nm技术进程

联电90nm铜制程技术顺利产出2003年3月联电宣布客户采用联电90nm铜制程技术的产品顺利产出,此举让联电成为第一家以业界最先进的90nm制程为客户成功推出产品的晶圆专工公司。联电是首家达成此重要里程碑的晶圆专工公司,这完全归功于近几个月来联电在先进制程的重大进展。联电预期客户即将于今年量产此产品。由于具备丰富的0.13μm产品量产经验,联电在转进90nm制程的试产进展顺利。许多首次在0.13μm制程采用的新材料及新技术,皆可应用于90nm制程技术上,包含铜制程及低介电系数材料等。联电的90nm技术将使用9层铜导金属层、三闸氧化层(triple…     

高精度微细加工激光切割机

Amader公司的超微细加工激光切割机可切割直径达0．01mm的金属箔，并可打直径为0．01mm的微孔。振荡器为密封盘型输出功率为250W的CO2激光器。该切割机可用于IT产品的薄型化和需在装配过程精密化中很难加工的电子部件或薄片的试制和批量生产。适于加工的原材料厚度为0．05～0．5mm的不锈钢或磷青铜等薄板金属。加工的材料热变形小，     

2004年IC封装业的技术发展趋向

总部设在新加坡的品圆封装代工公司IPAC表示，在2004年要加强集成电路的晶圆级封装(WLP)的业务，引进先进技术和提供包括晶圆凸点、整合、测试等服务。IPAC将使用先进互连解决方案(AIS)公司拥有的专利技术TCSP制程。TCSP是纯芯片级封装制程的简称，它的封装尺寸等于芯片级尺寸，而且大部分封装制程在晶圆加工阶段完成，使每块芯片的封装成本显著降低。     

美国开发一种新的砷化镓晶圆蚀刻法

正美国伊利诺大学(University of Illinois)实验室开发出一种以金属为蚀刻催化剂的砷化镓晶圆蚀刻法,这种蚀刻方法,其制造速度较传统的湿式蚀刻制程来得快、而成本又较干式蚀刻来得低,一旦该制程获得推广,可望有效推进用以生产太阳能砷化镓产品的商业应用技术。     

硅晶圆多焦点激光隐切算法与实验

硅晶圆激光隐形切割是指激光聚焦在晶圆内部使其产生热裂纹,通过控制热裂纹的扩展方向实现硅晶圆的高质量切割,具有广阔的应用前景。在硅晶圆内部沿着光轴方向一次生成多个焦点,可以实现硅晶圆的多焦点隐切。本文提出了一种大数值孔径下的轴向多焦点算法。将不同焦距的相位差值作为变量,通过迭代求解出傅里叶级数满足要求的原函数,然后对变量进行非线性映射就可以得到目标相位图。通过改变傅里叶展开后的各项系数,实现了轴上焦点数目、各焦点能量和间距的调节。利用MATLAB仿真得到了不同能量比、不同焦点间距的轴向三焦点和五焦点的光场,各焦点能量比例和间距与设计预期基本一致,能量利用率均达到了90%以上。选用1.342μm纳秒激光器对250μm厚硅晶圆进行激光隐切实验,使用空间光调制器加载目标相位图,将等能量的三个焦点分别聚焦在硅晶圆表面下方35.0,105.2,176.0μm处,在激光功率为1.2 W、切割速度为200 mm/s的条件下成功实现了硅晶圆的三焦点激光隐切。     

水射流导引激光在微细加工中的应用

研究应用水射流导引激光技术切割加工半导体材料工艺,并与传统切割工艺进行了比较.用φ25μm的水射流和波长为1064 nm的钇铝石榴石红外线激光源切割一个夺125μm的砷化镓晶片,典型的切割速度是40 mm/s,切口宽度23μm,切边无碎片和边角损坏.与锯片切割相比,其加工速度高达5倍.实验发现,水射流导引激光切割工件温度在160℃以下,晶圆加工表面基本无碎片、毛刺产生.通过对晶圆切片的3点弯曲进行试验发现,对于125μm厚的硅晶圆而言,在同等切痕宽度的情形下,微水射流导引激光切片断裂强度比锯片切片在正反两面都要高50%左右.结果表明,水射流导引激光切割技术可以大幅提高晶圆加工的效率、质量和可靠性.     

东芝公开在前工序封装MEMS元件的技术

东芝5月30日公开了2种在前工序封装MEMS元件的技术。所以因其可在晶圆级进行成批处理,可降低一直视为MEMS元件制作难题的封装成本。该公司还层积以此封装技术制成的MEMS元件和驱动器IC,试制出了0．8mm厚的多芯片封装（MCP）。该公司介绍,0．8mm厚的MCP为全球最薄。     

中国半导体制造业现状

中国已经成为半导体市场需求规模全球第一的国家.根据IC Insights的数据,中国的半导体市场需求已占到全球市场需求的30％左右.从目前的产能情况来看,300 mm晶圆产能中国的缺口较大.IC Insights的数据是,中国台湾和韩国掌握了全球56％的300 mm晶圆产能,而中国大陆厂商仅掌握全球不到1％的300 mm晶圆产能,位于中国大陆(包括外商独资)的300 mm晶圆产能则有8％.庞大的市场需求,加上制程技术的局限性,让中国大陆成为投资半导体制造的新热门.     

SPI新型激光器用于硅片切割

在太阳能电池和半导体制造中,硅原料是以厚0.2～1.5 mm,直径100～300 mm的典型形式的晶圆存在.通常情况下,硅晶圆是由金刚石锯切割而成的,偶而也有用划线器和剥裂加工的.随着激光器技术的不断完善和发展,越来越多的硅片加工采用激光技术.