CS2/O2电化学脉冲CO横向激励大气压激光器

本文介绍了对脉冲CS2/O2化学的CO激光器进行的实验研究，该激光器是在高压双放电横向激励大气压激光器系统中引发的。得到了分布体积放电，并产生了115毫焦耳的脉冲能量极大值，化学效率为4.5%，电效率为2.5%，输出能量系数为1焦耳/升。实验结果与模型计算说明，在所研究的实验条件下不会出现链-支化作用产生的氧原子。     

InSb中自旋反转受激喇曼散射效应

InSb中电子的自旋反转喇曼散射是获得红外波段连续可调谐激光以及研究InSb能带结构的一种手段。我们在～7K下,观察了以TEACO_2激光器为入射泵浦光、在n型InSb样品上产生的自旋反转受激喇曼散射光的输出。所用的TEACO_2激光器用光栅选支,可选出46条振动线。本实验用9.6微米(1042cm~(-1))波长的输出。输出脉冲能量～0.5焦耳,脉冲宽度～200毫微秒,前沿～50毫微秒。用能量计和光子牵引检测器检测。样品尺寸4×4×8毫米的n-InSb,浓度～1.1×10~(16)厘米~(-3),所用磁场为我系自制超     

均匀激励高压强CO_2脉冲激光器

文中描述了对气体容积均匀激励的工作于大气压强下的紧凑脉冲GO_2激光器的性能。输出脉冲能量与放电电压、气体组成及压强关系的测量表明,该激光系统能给出输出能量密度为17毫焦耳/厘米~3的脉冲,效率为10.4％。电激励GO_2-N_2-He激光器的新近研制表明该器件有可能在高压强下的瞬态扩散辉光放电方式工作。产生与激光器轴成横向的短脉宽能量有限的脉冲辉光放电可防止在高压下易于形成电弧的倾向。所采用过的针-平面及平行平面的电极结构已报导效率达7％,而输出能量密度为3毫焦耳/厘米~3。本文描述了均匀激励气体容积的CO_2激光器结构性能的     

一种紫外予电离横向激励高气压脉冲CO_2激光器

本文报导双触发丝型紫外予电离横向激励高气压脉冲CO_2激光器的研制结果。对影响激光器输出能量的诸参量进行了实验研究,最终达到的单脉冲能量大于20焦耳,单位激活体积的输出能量密度为25焦耳/升,效率约17％。     

小型高功率XeCl激光器

上海光机所一室二组研制成功一台小型高功率XeCl准分子激光器,其光学谐振腔长仅有16cm,激活体积为0.8×2×7cm~3紫外光预电离Blumlein放电泵浦。由于精心设计了预电离和主放电电路,脉冲具有快的上升时间,并可在超过30ns的时间内给出均匀辉光放电。Blumlein电路两个电容器的尺寸是43×30cm~2和23×30cm~2整个器件的主体部分可置于一个40×90cm~2的台子上。此器件已给出最大42mJ的脉冲能量输出,峰值功率2MW。是迄今报道的激活长度最短的、峰值功率超MW、脉冲能量几十毫焦耳的放电泵浦XeCl激光器。     

横向激励大气压CO_2激光器能力的扩展

描述了单脉冲及高重复率运转的横向激励大气压CO_2激光器迄今所获得的结果。配置用来触发放电的特殊阴极,允许给出的每立升受激体积的输出能量大于18焦耳,总效率为17％,无亮弧。用一气体循环试验台所获得的初步测量结果为100个脉冲/秒,而每个脉冲为20焦耳。     

热阴极电子束控制的CO_2放电激光器特性的研究

研究了热阴极电子束控制的3.7升CO_2放电激光器在一个大气压下运转的放电特性与输出性特.实验指出,当放电能量密度达到400焦耳/升·大气压以上时,输出能量出现饱和,实验得到最大激光能量密度68焦耳/升·大气压.     

双放电激励的大气压二氧化碳激光器

简要地评述了在大气压强下工作的脉冲CO_2激光器电激励的问题,以及加拿大防御研究中心所研制的某些解决方法及其限制。根据一种双横向放电新技术,我们设计了一只3.8米长的激光器,输出为9焦耳/脉冲,峰值功率为12兆瓦。受激气体的输出能量密度已达到5.5毫焦耳/厘米~3。     

193nm ArF准分子激光器

本文报告高功率紫外光预电离ArF准分子激光器的实验研究。使用F_2+Ar+He混合气体作为工作介质,已获得ArF最大脉冲激光能量219毫焦耳,总效率0.5％左右。本器件并可输出KrF激光,最大脉冲激光能量424毫焦耳,总效率约1％。激光器是由内径为8.4cm的玻璃钢圆筒做成,长94cm。电极采用张氏均匀场型面电极,电极有效平区宽5mm,电极长80cm,两电极之间距离为2.1cm,因此激活体积为80×2.1×0.5cm~3。放电采用LC反转电路,主放电电容为平板电容,电容量分别为C_1=12nF和C_2=     

六硼化镧单晶电子枪的亮度

为了检查LaB_6单晶阴极的性能,在同样的条件下测量了常规发叉式钨丝阴极的亮度和电流稳定度,结果表明:LaB_6阴极不仅亮度高(20kV时,2×10~5A/cm~2·str.),而且电流稳定度也好(没有任何辅助电流稳定器情况下为1×10~(-3)h~(-1)),只要系统的真空度足够好,即优于1×10~(-5)Torr,亮度和寿命提高一个数量级是容易的。 <100>,<110>LaB_6阴极的最大亮度为较高偏压下得到单一斑点的交叉点亮度的二倍。     

分子束外延GaAs掺Se

利用Se电化学喷射炉产生的Se分子束,对分子束外延(MBE)GaAs掺杂,获得了载流子浓度为 10~(15)-10~(15)cm~(-3)的N型 GaAs. 载流子浓度 8.0 ×10~(15)-5.76 × 10~(15)cm~(-3)范围相应的室温迁移率为6350-5200cm~2/V·s.还研究了各种生长参数对载流子浓度的影响.对实验结果给予了定性的解释.     

P-InP欧姆接触的Nd-YAG激光合金化

本文报道用 Nd-YAG脉冲激光辐照代替热合金化制备了性能良好的 P-InP/AuSb +AuZn + Au欧姆接触.利用激光合金所获得的接触电阻率8.6× 10~(-5)~Ω·cm~2优于另一部分样品热合金化的值1.6 ×10~(-4)Ω·cm~2.其表面形貌也比热合金化的好,俄歇电子能谱分析发现在界面附近明显形成了Zn的分布峰,使电子隧穿势垒的几率增大.     

Asterix III脉冲式高功率碘激光器

给出了在加欣等离子体物理所建造的Asterix III高功率碘激光器的首批结果和系统描述。设计该激光器旨在约1亳微秒内产生1千焦耳的输出能量。直到现在，已获得输出能量高达300焦耳、脉冲宽度从1~3亳微秒的脉冲。     

分子束外延砷化镓单晶薄膜

MBE GaAs单晶薄膜的载流子浓度(1.8-8)×10~(16)cm~(-3),室温迁移率 3000-5000cm~2/V.3最高达5466cm~2/V.s,相应的77K迁移率为1.59 ×10~4cm~2/V.s.对高杂质浓度的外延层进行了阴极荧光(4.2K) 和SIMS 测量分析.     

高效率DF/CO2化学激光系统

美国休斯飞机公司的帕克(J. V. Parker)和赫斯（L. D. Hess)在华盛顿举行的国际电子装置会议上报导了一种高效率、大体积DF/CO2化学激光系统。他们建造一台容积为10升、基于D2F2反应的光引发化学激光器。该激光器在300乇充气压力下以脉冲方式运转,效率为12%。发现激光输出与所研究的闪光灯能量的输入成线性比。向两支一般的氙闪光灯输入1700焦耳的最高能量后,输出为189焦耳,脉宽为15微秒,相当于48焦耳/升大气压的容积提取效率。     

用于制备FET的磷化铟汽相外延

磷化铟汽相外延已用于沉积制备 FET 所需的亚微米多层结构。该结构是沉积在绝缘掺铁衬底上,由缓冲层、表面沟道层和 n~(++)接触层组成。缓冲层之 N_d-N_d<10~(14)cm~(-3)、μ_(77°K)>50,000cm~2/v·s。表面沟道层掺硫,其厚度为0.3～0.5μm,载流子浓度控制在8×10~(16)cm~(-3)到2×10~(17)cm~(-3),相应的298°K 电子迁移率为3900cm~2/v·s 和3000cm~2/v·s,并且没有观察到性能随沟道层的减薄而退化的现象。由于材料具有极好的横向均匀性,从而用实验证明了生长 n~(++)层能使接触电阻减少以及采用隐埋沟道能引起栅的改善。发展了用于测量载流子浓度分布的金属-氧化物-半导体技术,当FET 的沟道掺杂浓度为2×10~(17)cm~(-3)时,用这种技术能提供6000(?)的耗尽。     

利用高能电子进行予电离的大气压脉冲CO_2激光器

本文介绍了一种大气压强脉冲CO_2激光器,它利用高能电子注入激光器容积而达到气体的子电离。这些电子是由激光器外围的高压(120千伏)辉光放电产生。不管气体中是否包含有氦,在单次放电中,这种予电离可允许将300焦耳的能量给于1.7升气体,而不致产生电弧。CO_2、N_2及He的混合气体的容积比为3:3:4时可得到最高输出能量。     

InGaAsP/InP异质结界面态的变频C-V研究

本文利用自建的变频C-V测试系统测量分析了InGaAsP/InP异质结的界面态,结出其界面态密度和时间常数.实验结果表明,在界面同时存在快、慢界面态,其参数分别为快界面态:N_(s1)=7.3×10~(11)eV~(-1)·cm~(-2),τ_1=2.2×10~(-5)s慢界面态:N_(s2)=2.5×10~12eV~(-1)·cm~(-2),τ_Q=1.5×10~(-2)s     

高纯VPE-GaAs、LPE-GaAs的电学性质

用Van der Pauw法测量高纯VPE-GaAs和LPE-GaAs样品在20—300K温度范围内的电学性质,分析了它们的电子散射机理.最纯的VPE-GaAs样品峰值迁移率高达3.76×10~5cm~2/V·s,LPE-GaAs样品的峰值迁移率为2.54×10~5Cm~3/V·s.这两个样品的总离化杂质浓度分别为 7.7 × 10~(13)cm~(-3)和 1.55 ×10~(14)cm~(-3).     

用于引发脉冲H_2/F_2激光器的冷阴极电子束发生器之研究

设计和研制了一台由五级Marx发生器驱动的开路电压为295kV、最大贮能为817焦耳、面积为6×30cm~2的横向冷阴极电子束发生器。考察了三种不同阴极,调整了阴—阳极间距达到阻抗匹配,观察了三种不同厚度箔膜支撑架对电子束电荷密度及输出能量的影响,用电阻式电压分压器,罗歌斯基环及法拉第杯分别测定了电子枪的阴极电压、电流和电子束流波形,用热电堆-铝板量热计测定了电子束窗口外的总能量,考察了电子束能量在一大气压的空气中随射向距离的衰减变化及在辐射剂量兰玻璃纸上的能量沉积分布,目前电子束发生器达到的峰值电流密度为21安培/厘米~2,电子束半极大脉宽(FWHM)为0.35微秒,输出能量为152焦耳,能量转换效率达18.6%,可用它引发化学激光或激发准分子激光及其他气体激光。