具有保护功能的并联功率MOSFET驱动器

本文介绍了一个用于多管功率ＭＯＳＦＥＴ并联应用的驱动电路,该电路具有故障检测与保护功能,简单,实用,可靠。     

功率MOSFET模块驱动电路

论述了一种通用的高速驱动器电路。该电路用于驱动功率ＭＯＳＦＥＴ模块，可工作在数百千赫高频状态，文中分析了驱动电路的主要参数估算方法，给出了实际运行结果。     

一种功率场效应管的高频驱动电路

介绍一种实用的场效应管驱动电路及工作原理，同时给出了隔离电路，互锁电路及保护电路图。     

功率MOSFET高速驱动电路的研究

基于特定情况下对驱动电路特殊的要求,介绍了一种输出电流大,带负载能力强的MOSFET高速驱动电路。对电路的工作特性进行了详细的讨论,并给出了不同频率下该电路的实验结果。     

一种新型功率MOSFET逆变器的研究

提出一种新型逆变器方案，对逆变器主回路，驱动电路和控制回路进行了详细的分析，并给出了实验结果。     

一种用于功率MOSFET的谐振栅极驱动电路

介绍了一种用于功率MOSFET的谐振栅极驱动电路。该电路通过循环储存在栅极电容中的能量来实现减少驱动功率损耗的目的 ,从而保证了此驱动电路可以在较高的频率下工作。通过实验 ,证明了这种电路的正确性和实用性     

新型双功率MOSFET管谐振驱动电路

提出一种新型双功率MOSFET管互补谐振驱动电路,对电路的工作原理、性能特性和关键电路参数设计进行分析,并建立仿真和样机实验。该驱动电路由1个变压器和6个半导体器件组成,类似反激变换器的电路结构,并且以谐振方式工作。理论分析表明,该电路具有拓扑结构和控制简单、驱动损耗低、驱动速度快、驱动电路中的开关管实现了部分软开关等优点。仿真和实验结果验证了理论分析。     

一种新型SiC MOSFET驱动电路的设计

与传统硅基器件相比,碳化硅(SiC)器件的开关速度得到大幅改善,提高了变换器的功率密度与效率。然而过大的开关频率引起更为严重的栅极串扰问题,造成器件失效。分析了SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的开关过程与串扰产生原理,详述其设计过程,分析了外并电容的抑制串扰驱动电路,最后设计出一种带有信号隔离功能的可抑制栅极串扰的负压驱动电路。实验结果表明,所设计的SiC MOSFET驱动电路的驱动波形高低电平分明,而且有效抑制了栅极串扰问题,大幅减小器件的开关延时时间,降低了开关损耗。     

功率MOSFET驱动保护电路设计与应用

分析了对功率MOSFET器件的设计要求;设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。     

一种新颖的MOSFET驱动电路

列出了几种常用的功率MOSFET驱动电路,在说明其共同不足的同时,详细分析了电荷泵电路的工作原理,阐明了其在MOSFET驱动电路中的应用。实验结果表明,电荷泵电路非常适合MOSFET的驱动电路。     

一种断续电流模式的新型高频电流源驱动电路

随着高频功率变换器开关频率不断提高,其功率器件MOSFET频率相关损耗都大幅增加,特别是开关损耗和驱动损耗.为减小上述损耗,电流源驱动方式被提出.提出一种新型断续电流模式的电流源驱动(current source driver,CSD)电路.相比连续电感电流CSD电路,其最重要的优点是:电流源电感值大为减小(1 MHz开关频率时一般为20 nH,减小约90%).所提CSD电路具有开关速度快、开关损耗小的优点,同时,通过电流源电感可以回收高频驱动能量.由于所提电路工作在电流断续模式,因此其环流损耗小,且占空比和开关频率变化范围宽.详细分析其工作原理,讨论最优设计,并给出实验结果.     

功率MOSFET隔离驱动电路设计分析

半导体开关管器件作为开关电源中的关键器件,其驱动电路的设计是电源领域的关键技术之一,普通大功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)由于器件结构不同,驱动要求和技术也不相同,小功率MOSFET的栅源极寄生电容一般为10~100 pF,而大功率MOSFET的栅源极寄生电容则可达1~10 nF,因此需较大的动态驱动功率。目前,对于MOSFET隔离驱动方式主要有光电耦合隔离和磁耦合隔离,一般以磁隔离为主要应用方式,在传统的MOSFET磁隔离驱动电路中,若占空比出现突变,其隔离输出的低电平则会出现上扬现象,导致开关管出现误动作,严重可能导致MOSFET器件烧毁,给出载波隔离驱动方法和边沿触发隔离驱动方法,两种方法都能克服低电平的上扬问题,通过测试对比两种驱动方式的优缺点。     

基于Matlab的功率MOSFET建模

针对Matlab/PSB中MOSFET的理想开关模型的不足,提出了一种以功率MOSFET输出特性曲线为核心建立其特性模型的方法。该模型不但能精确模拟稳态的各种特性,也能够描述开关瞬态的过程。将模型应用于固态开关的仿真中,仿真结果与实验波形证明了该模型的正确性与准确性。     

一种SiC MOSFET串扰抑制的谐振辅助驱动电路

随着SiC MOSFET开关频率的不断增加,逆变器桥臂串扰现象越发严重并易造成桥臂直通短路,这限制了SiC MOSFET开关频率的进一步提高。该文提出一种SiC MOSFET串扰抑制的谐振辅助驱动电路,通过在栅源之间添加电容电感辅助谐振电路,能够在SiC MOSFET关断期间完成负压到零压的变化,同时不需要使用有源器件。当SiC MOSFET开通时,辅助电路让栅极电压从0.7V上升而非负压上升,相较于传统驱动电路,开关速度更快、开关损耗更低;而且同时具备抑制正向串扰和反向串扰的优点。该文分析电路的参数设置,并通过仿真和实验验证了该电路相对于传统驱动电路的优势。     

一种适用于IGBT,MOSFET的驱动电路

讨论了一种适用于ＩＧＢＴ和ＭＯＳＦＥＴ的新型驱动电路，该电路无需附加单独的浮地电源，工作频率高，延迟时间小，适用于高频软开关变换器场合。     

一种适用于高频Buck变换器的新型电流源驱动

针对同步整流Buck变换器,提出一种新型MOSFET电流源驱动电路(current source driver,CSD).该CSD能够用不同驱动电流驱动Buck变换器中两只MOSFET,从而实现最优化设计.对于控制管,最优化设计为开关损耗和驱动电路损耗之间的平衡;对于同步整流管,最优化设计为驱动损耗与体二极管损耗之间的平衡.还提出基于磁集成技术的改进型CSD,以减少磁芯数目和磁芯损耗.详细分析该CSD电路工作原理,讨论最优化设计,并给出实验结果.     

功率MOSFET在中小功率电机调速中的应用

1引　言功率MOSFET是单极性载流子晶体管,与双极型器件表现出很大不同的特性。由于功率MOSFET没有积蓄载流子现象,所以具有较高的增益和极快的开关速度。解决了高电流、大电压的问题,它的出现,使MOS器件从小功率进入了大功率范围。目前生产的功率MOSFET多数为N沟道增强型,N沟道     

电力电子功率MOSFET管谐振驱动技术的分析

为了减小体积,加快动态响应速度,减少功率MOSFET管的驱动损耗,提高变换器的效率,对现有谐振驱动电路方案的优缺点进行评估。对传统驱动和谐振驱动技术方案进行比较,分析了连续电感电流、不连续电感电流和具有变压器的三种电路方案。认为驱动电路的发展方向是：既具有连续电感电流方案的简洁易控制,又具有初始化脉冲式电感电流的低导通损耗,同时尽量减少所用的有源器件。     

有源钳位准谐振变换器的一种简单驱动电路

提出了有源钳位准谐振变换器的一种新的驱动方式,它无需经过数字电路延时,只需一个电阻和二极管构成的小网络。新的驱动方法简单易用,简化了设计,降低了成本。实验结果表明新方案有效。