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相似文献
 共查询到16条相似文献,搜索用时 93 毫秒
1.
在芯片上电过程中,需要复位电路提供一个复位信号,保证系统正常启动。为了解决传统电路中起拉电压和复位时间较难控制等问题,提出一种利用反相器翻转电压设置起拉电压、电容控制复位时间的新型结构。该上电复位电路在MXIC0.5μm CMOS工艺上得以验证实现。测试结果表明在正负电源分别为0V和-5V的情况下,电路的起拉电平为-4.5V,复位时间为3.44ms,满足工程要求。  相似文献   

2.
设计了一种低功耗高可靠上电复位电路。为了减小阈值电压受工艺及温度偏差的影响,采用改进的Kuijk带隙基准源结构;同时,设计了带迟滞功能的双阈值电压检测电路,减小了电源噪声对电路输出的干扰。采用HHNEC 0.13μm CMOS工艺,对电路进行仿真。结果显示,在5V电源电压及典型工艺和温度下,整体电路消耗稳态电流为8.5μA;在不同的电压、工艺角及温度组合下,均实现了稳定可靠的上电复位和低电平保护功能,达到了设计要求。  相似文献   

3.
本文设计了一种在低电压下工作的用于射频标签的上电复位电路。此电路一方面采用了一种新型电平检测模块,可以实现精准的电平检测;另一方面采用了一种新型延迟模块,该模块可在0.8V—5V电源电压下工作,可实现100nS到1mS之间的延时;此外,为了降低功耗,电路在产生上电复位信号将利用数字电路产生一个反馈信号来关断整个电路。本文采用smic0.18um的工艺,利用cadence对其功能进行仿真,结果表明该电路可在1.2V工作电压下进行有效复位,并且可以快速的二次复位,复位脉冲宽度为20us左右,功耗极低,完全满足RFID标签的要求。  相似文献   

4.
为了解决传统上电复位电路电源阈值电压受工艺和温度的影响,提出了以Brokaw带隙基准源为基础结构,由采样电路、电流比较电路和电平转换电路等模块组成的可实现精确复位的上电复位电路。增加带迟滞功能的设计,减小了电源噪声对输出电路的影响。采用0.5μm CMOS工艺并对电路进行仿真。结果显示该电路工作在5 V电源电压,典型工艺和温度下电源阈值为3.19 V,在不同的工艺和温度下对电源阈值的影响较小,误差范围在0.31%~4.7%。  相似文献   

5.
介绍了一种采用0.18μm CMOS工艺制作的上电复位电路。为了满足低电源电压的设计要求,采用低阈值电压(约0V)NMOS管和设计的电路结构,获得了合适的复位电压点;利用反馈结构加速充电,提高了复位信号的陡峭度;利用施密特触发器,增加了电路的迟滞效果。电路全部采用MOS管设计,大大缩小了版图面积。该上电复位电路用于一种数模混合信号芯片,采用0.18μm CMOS工艺进行流片。芯片样品电路测试表明,该上电复位电路工作状态正常。  相似文献   

6.
一种用于无源射频识别标签的上电复位电路   总被引:1,自引:0,他引:1  
安治龙  李永明 《微电子学》2007,37(6):785-789,793
提出了一种新型的低压低功耗上电复位电路。该电路利用MOS管多种二级效应,采用多种低压低功耗技术,满足降低功耗的需要。整个上电复位电路的静态功耗低于1μW,应用于1.8 V与1.2 V电源电压。设计采用SMIC 0.18μm EEPROM工艺,可应用于其他低电源电压以及低功耗要求的芯片设计。  相似文献   

7.
《电子与封装》2017,(1):24-26
基于FPGA芯片,设计实现了一种上电复位状态机。在电路内部产生一系列的复位信号,控制配置存储单元SRAM的数据、地址以及电源,使其在不同阶段保持合适的电压,帮助SRAM在上电过程中顺利完成初始化,提高FPGA芯片启动的稳定性。  相似文献   

8.
为了满足助听器SoC高精度、低功耗应用,提出一种基于8位逐次逼近模数转换器的混合信号型时分复用上电复位及模拟音量控制电路。该电路利用逐次逼近模数转换器输出结束标志信号作为时分信号,对电池电压和模拟音量电压进行交替检测。数字逻辑电路可实现对上电、欠压阈值以及延迟时间的灵活配置,同时也可进行信号处理以及产生上电复位和欠压报警信号。电路采用SMIC 130nm 1P8M混合信号工艺实现。测试结果表明,在供电电压1V时,电路能够完成高精度的上电复位、欠压报警和模拟音量检测功能;输入120 Hz正弦信号和15kHz时钟频率时,逐次逼近模数转换器输出信号最大信噪失真比为46.5dB,功耗仅有86μW。  相似文献   

9.
利用工作在亚阈值区的带隙基准源和比较器电路提供高精度的比较基准,利用电流可控制的环形振荡器和可编程数字计数电路提供低静态功耗及可编程的上电延时时间,提出了一种适用于卫星导航接收机的高精度上电复位及电源监控电路。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺流片验证,测试表明,电路在3.3V电源电压条件下静态电流为10μA,上电复位延时时间为200~400ms,触发电平为3V±2%。  相似文献   

10.
基于电平检测的上电复位电路   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
高鹏  蔡世俊  常昌远   《电子器件》2006,29(4):1107-1109
目前基于延时的上电复位电路,其延时电容在掉电后,所储存的电量影响了下一次上电的延时,容易出现复位电平太窄甚至无法产生复位电平的问题;并且电源电位的上升速度,也会影响到复位电路的可靠性;针对此类问题,提出一种基于电平检测的上电复位电路,利用电源回路中本身具有的RC延迟时间作脉冲宽度,可以达到较长的复位时间;并且本电路的复位电平与工艺参数相关,能保证实际电路在复位电平消失后的可靠工作;探讨了本电路的复位特征及可靠性,并从流片结果得到验证。通过理论上的分析和实际结果的测量,本复位电路具有良好的可控性和优秀的复位能力;而且还具有较小的芯片面积。在某些情况下,还可以替代欠压检测电路。  相似文献   

11.
STN盒边框均匀性及稳定性改善   总被引:1,自引:1,他引:0  
研究了STN—LCD盒边框均匀性和稳定性的改善方法.发现在制盒过程中,热压结束后将样品在170℃下进行2h退火处理能改善由压力不均匀引起的边框厚度不均匀.并且能提高边框的稳定性。  相似文献   

12.
郝建  原茵茵 《电子科技》2013,26(10):125-127
对FPGA设计中常用的复位设计方法进行了分类、分析和比较。针对FPGA在复位过程中存在不可靠复位的现象,提出了提高复位设计可靠性的4种方法,包括清除复位信号上的毛刺、异步复位同步释放、采用专用全局异步复位/置位资源和采用内部复位。上述方法可有效提高FPGA复位的可靠性。  相似文献   

13.
分析了目前使用比较广泛的四种单片机复位电路,为微分型、积分型复位电路建立了数学模型,提出了设计复位电路应注意的问题及提高抗干扰性的措施.  相似文献   

14.
随着各种新型彩电不断出现,彩电的可靠性问题愈来愈引起人们的重视。详细讨论了彩电中常用的几种可靠性设计方法,它们分别是:硬件方法、软件方法、复位电路设计及印刷电路板设计方法。  相似文献   

15.
工业计算机控制系统的抗干扰和可靠性   总被引:1,自引:0,他引:1  
方玲 《电子质量》2005,(4):62-64
介绍了几种提高工业控制计算机系统抗干扰能力的方法.  相似文献   

16.
雷达抗干扰技术直接关系到雷达作战能力的发挥,结合电子战技术发展趋势和雷达抗干扰中存在的问题,文中从抗干扰能力指标、总体设计和精细化设计三个方面,分析了现代雷达抗干扰设计需求。首先,从干扰源侦察分析、目标探测跟踪和自适应抗干扰三个方面,构建了反映雷达最终作战能力的抗干扰指标体系;然后,从自适应闭环、一体化兼容和大数据积累三个方面,提出了具体的抗干扰设计要求;最后,结合外场试验进行对比验证,提出了精细化设计要求。  相似文献   

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