几种双面对准原理的分析与比较

根据国内外双面对准曝光机中双面对准曝光技术及工艺的发展 ,系统地对目前国内外典型的几种双面对准原理进行了比较与分析。     

国外双面对准曝光机的发展及其应用

综述了国外近十多年来双面对准曝光机及其对准技术的发展，介绍了双面曝光机采用的红外对准技术和ＫａｒｌＳｕｓ、ＪＢＡ、ＯＡＩ、ＵＳＨＩＯＩｎｃ、Ｕｎｉｏｎ、ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＶｉｓｉｏｎｓＣｏ等公司研制的双面曝光机性能及其用途；并预测了今后电力电子器件、微机械制造、传感器件、调节器等微小功能器件的广阔市场，为双面曝光技术的发展提供了良好的发展机会和潜在的应用市场。     

科利登在SEMICON China2005展会上展示存储器和RF测试系统

EVG在SEMICON CHINA2005展出了最新的掩模曝光机。EVC6200 Infinity掩模对准曝光机可以在近距离对很厚的整个阻光层近距离曝光，针对先进的封装市场而设计的。它可以通过升级，安装底部显微镜，用于MEMS的双面曝光。在市场上所有200mm淹没对准曝光机中，这种新的曝光机是面积最小的，产量是最高的，两次故障之间的无故障平均时间是最大的，光刻间隙的设定也是最精确的。     

双面对准曝光设备

本文概括介绍了双面对准曝光机的应用范围、种类，着重介绍了我所研制的ＢＧ—７０３型双面对准曝光机的性能、结构特点及有关技术措施。     

不用大尺寸掩膜版的曝光机

V．Tech．公司开发了6、7代TFT-LCD生产线的不用大尺寸掩膜版的曝光机。该曝光设备只要设定基板第一层的图形之后，在不使用大尺寸掩膜版的情况下能够完成后面工序的曝光工艺；同时具有图形监测系统和许多个曝光光源，以及在基板移动方向上约5cm宽度的形成图形的掩膜版装置，可边移动基板边曝光，     

SB-601型曝光机

SB-601型曝光机主要用于功率电子器件、传感器、光电子器件、GaAs微波器件、微波电路、MEMS(微电子机械系统)以及其它新型电子元器件的单、双面对准及曝光工艺.     

双面曝光机Suss MA25

本文简要介绍了ＳｕｓｓＭＡ２５双面对准曝光机的特点、对准原理以及它的一些关键结构     

BG—703型双面曝光机对准系统及误差分析

本文介绍了ＢＧ—７０３型双面曝光机的对准系统，并对该系统的误差及其产生因素进行理论分析，提出了减小误差的措施。     

一种采用双面对准的硅LIGA掩模制作研究

深Ｘ射线光刻是制作高深宽比ＭＥＭＳ结构的一个重要的方法。提出一种基于硅工艺和双面对准技术的ＬＩＧＡ掩模技术,工艺十分简单。采用该掩模,可进一步解决深Ｘ射线光刻中的重复对准多次曝光问题,给出了该掩模设计制作工艺过程及深Ｘ射线光刻结果,整个过程包括常常氮化夺、采用Ｋａｒｌ Ｓｕｓｓ双面对准曝光机进行ＵＶ光刻、电化学沉积金吸收体、体硅腐蚀形成支撑等。利用该掩模在北京ＢＥＰＣ的Ｘ射线光刻光束线上进行曝光。     

电子束缩小投影曝光机对准模拟软件应用

介绍了用于电子束缩小投影曝光机的标记对准模拟软件及标记图形，模拟出标准对准的背散射信号，并与实际实验信号图形进行了对比。     

DY2001A型电子束曝光机软件系统设计

DY2001A型电子束曝光机是作为实用化的小型曝光系统而研制的。从设计角度详细阐述了DY2001A型电子束曝光机软件系统的构成，包括数据转换、对准校正套刻、硬件系统控制、曝光控制及数据建立和管理。     

掩模图形切割方式对曝光时间的影响研究

掩模生产过程中,数据处理为至关重要的一环,利用专用数据处理软件,将客户设计的图形数据进行图形分割后转换成满足不同曝光机台的数据格式。通过调整数据处理软件的相关参数来研究对激光束曝光机、电子束曝光机曝光数据图形切割方式(fracture)的影响。通过实验数据确认图形切割方式的改变对两种曝光机台曝光时间的影响,最后通过合理优化参数值,在保证图形稳定性的同时,缩短曝光机台曝光时间,达到提升生产效率的目的。     

电子束投影复印曝光机

本文介绍电子束投影复印曝光机的结构和性能。此复印曝光机的特点是采用电子束能够同时曝光大面积的图形,复印图形的面积为φ50毫米,最高分辨率为0.5微米。此复印曝光机可在半导体技术中用于复制高分辨率的掩模版和制作声表面波器件,光栅器件等。     

EVG6200 Infinity掩模对准曝光机

总部设在奥地利的EV集团针对晶圆凸点和芯片级封装、MEMS、化合物半导体、功率器件及纳米技术设计的EVG6200 Infinity掩模对准曝光机，可以近距离对很厚的阻光层近距离曝光，能够通过升级、安装底部显微镜进行MEMS的双面曝光。     

EVG展出最新掩模对准曝光机EV6200 INFINITY

<正>在晶圆键合光刻设备领域领先的EVG近日在SEMICON China 2005展出了其最新的EVG6200 Infinity掩模对准曝光机,该机可以在近距离对很厚的整个阻光层近距离曝光,是针对先进的封装市场而设计的。它可以通过升级安装底部显微镜,用于MEMS的双面曝光。在市场上所有200 mm掩模对准曝光机中,这种新的曝光机是面积最     

双面曝光机中观察对准显微镜的机械设计

扼要介绍了适用于双面曝光观察对准显微镜的结构设计，并对双面观察对准的独特性和技术难点进行了剖析，成功地解决了该系统不能整体调焦的难题，使该系统在Ｚ向不移动的情况下达到了调焦和齐焦的目的。     

双面对准曝光中关键技术研究

对双面曝光技术中的对准方式、曝光光源系统、对准工作台等关键技术进行了研究 ,并通过多年工作实践经验 ,对对准工作台的精度分析作了论述。     

一种新的电子束曝光机中间图形及其数据格式

在一种新的电子束曝光机二次曲线单元图的基础上定义了一种中间图形数据格式。该数据格式是为了将版图制造业标准数据格式转换为电子束曝光机专用数据格式服务的。它采用Niklans Wirth的表示方法进行定义，消除了二义性。经过实验性的程序验证，它不仅能很好地解决版图制造业标准数据格式不支持二次曲线的问题，而且图形设计人员可以直接以该数据作为标准，进行曝光图形的设计与存储。该数据格式的出现，为二次曲线单元图形在电子束曝光技术中的广泛应用奠定了良好的基础。     

一种新型电子束曝光文件格式设计及其应用

提出一种新型的电子束曝光数据格式，引入了面向对象的设计和适应于矢量型电子束扫描方式的设计，提高了对通用图形数据格式转换的精确度和效率，同时更便于对电子束曝光机的曝光控制。该设计已在电工所的科研项目“纳米级电子束曝光系统”中得到应用，被称之为EDF数据格式。     

基于扫描电镜的电子束曝光机对准系统的研制

介绍了基于扫描电镜的电子束曝光机对准系统的原理,详细分析了此系统的硬件设计、软件设计以及扫描场的校正过程。利用硬件获取扫描图像,并进行实时标记校正,利用软件进行标记位置识别和校正参数计算,满足了曝光机对准系统在性能和精度上的要求。在100μm扫描场下进行拼接曝光实验,达到了77.3 nm(2σ)的拼接精度。