热处理与表面处理工艺、静电涂复

IELDVD060:9322:29630-229 0600665 在非电解镍镀层浸渍金衬垫金相表面抛光中的与失效机理有关的变色及其根源=Discoloration related failure mechanism and its root cause in electroless nickel immersion gold(ENIG)pad metallurgical surface finish[会, 英]／Chong Kam Meng／／Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits,2004．IPFA 2004．Proceedings of the 11th International Symposium on the．-229-233(A)     

热处理与表面处理工艺、静电涂复

0611628 蓝宝石衬底片化学机械抛光的研究[刊,中]／王娟／／微细加工技术．-2005,(4)．-65-68(D) 0611629 TIEC管内插入螺旋线强化一次空气传热的研究[刊, 中]／王玉刚／／纺织高校基础科学学报．-2005,18 (4)．-385-388(E)     

热处理与表面处理工艺、静电涂复

0603509 高速加工用AIP-TiAlN涂复工具特性=Performance evaluation of AIP-TiAlN coated tool for high speed machining[刊,英]／M．C．Kang,I．-W．Park／／Electronics Letters．-2003,163．-734-738(E)     

热处理与表面处理工艺、静电涂复

0620020涂层结构中温度场的边界元法分析[刊,中]／程长征／／台肥工业大学学报(自然科学版)．-2006,29(3)．- 326-329(C) 0620021因瓦合金箔电沉积的制备及其微观结构和耐蚀性[刊,中]／罗北平／／中南大学学报(自然科学版)．-2006,37 (2)．-263-268(L) 0620022空心微珠化学镀银的表面结构形态分析[刊,中]／孙洁／／西安工程科技学院学报．-2006,20(2)．-184-186 (C)     

热处理与表面处理工艺、静电涂复

0632264一种振动强化抛光装置及其试验[刊,中]／张新运／／西安工业大学学报．-2006,26(4)．-321-325(C) 0632265电解充氢及退火热处理与ZL114合金的力学性能[刊,中]／古可成／／沈阳工业大学学报．-2006,28 (4)．-372-374,392(C) 0632266热处理对挤压变形AZ61镁合金力学性能的影响[刊,中]／杨林／／沈阳工业大学学报．-2006．28(4)．-365- 368(C) 0632267退火对低钴贮氢合金的影响[刊,中]／李守英／／电源技术．-2006,30(9)．-710-712(D) 0632268钴-泡沫镍催化剂制备及性能研究[刊,中]／王书明／／电源技术．-2006,30(9)．-707-709,712(D)     

热处理与表面处理工艺、静电涂复

0605867 混合PECVD(硬涂复)特征和限制——钢和灰铸铁高速干铣用PVD磁控溅射(MoS2/Ti复合物)涂层嵌入     

热处理与表面处理工艺

2002049硅-硅直接键合的亲水处理及界面电特性[刊]/何进//微电子学.—1999,29(5).—354～357(AC)2002050MOCVD 法制备复合氧化物功能薄膜及其表征[刊]/潘铭//功能材料.—1999,30(5).—486～488,491(C)2002051化学镀镍磷合金工艺的改进及应用[刊]/刘立新//四川真空.—1999,(2).—36～40(C)     

热处理与表面处理工艺

9913279非晶态 Ni-P 合金镀液和镀层的稳定性[刊]/涂抚洲//中南工业大学学报.—1999,30(2).—157～161(G)通过对电沉积非晶态 Ni-P 合金镀液组成和镀层性能的稳定性进行研究,了解到对镀层质量影响最大的因素是镀液的 pH 值,其次是[H_3PO_3];找出了稳定     

热处理与表面处理工艺

Y98-61304-235 9905970在500～550℃温度范围内汽相反应对 LPCVD 硅薄膜生长速率的贡献=Contribution of gas phase reactions to     

热处理与表面处理工艺

Y2000-62422-104 0103786半导体上绝缘体——用于片上系统的一种新型材料组合=IOS-a new type of materials combination for system-on-a chip preparation[会,英]/Tong,Q-Y.& Huang,L-J.//1999 IEEE International SOI Conference Pro-ceedings.—104～105(EC)Y2000-62422-114 0103787在绝缘体上硅硅片上应用 SC1标准清洗薄化硅膜=Thinning of Si in SOI wafers by the SC1 standard clean[会,英]/Celler,G.K.& Barr,D.L.//1999 IEEEInternational SOI Conference Proceedings.—114～115(EC)     

热处理与表面处理工艺

0314362等离子喷涂金属/陶瓷颗粒的瞬态碰撞压力研究[刊]/范群波//北京理工大学学报.—2003.23(2).—168～171.193(L)采用有限元数值模拟方法,研究功能梯度材料中金属/陶瓷熔融颗粒高速碰撞到基体后的瞬态压力分     

热处理与表面处理工艺

0118533Ni-Cu-P 合金化学镀层制备及组织结构的研究[刊]/于会生//功能材料与器件学报.—2001,17(2).—191～194(E)0118534nc-Si/a-SiO_x:H 复合薄膜的结构及光吸收特性[刊]/郭震宁//功能材料与器件学报.—2001,17(2).—179～182(E)     

热处理与表面处理工艺

0219725激光选区烧结金属粉末的研究[刊.译,英]/张剑峰//南京航空航天大学学报(英文版).—2002,19(1).—77～83(E)采用激光选区烧结的方法,对铜、镍-铜混合粉末进行了一系列激光烧结试验。分析了烧结过程中出现的现象,讨论了工艺参数对金属粉末烧结成形的影响,用带能谱的扫描电镜、X 光衍射等手段分析了多层烧结体不同区域的成分、组织形貌和相结构特征。初步探讨了金属粉末直接烧结成形的基本机理,为金属粉末的激光快速成形提供了依据。参90219726LPCVD 自组织生长 Si 纳米量子点的发光机制分析[刊]/彭英才//发光学报.—2002,23(3).—261～264(E)     

热处理与表面处理工艺

Y2002-63234-133 0224707全轮廓层间电介质化学机械抛光分析=Full profile in-ter-layer dielectric CMP analysis[会,英]/Chang,R.&Spanos,C.J.//2001 IEEE International Symposium on Semiconductor Manufacturing.—133～136(E)Y2002-63234-145 0224708多硅片快速等温处理=Multi-wafer rapid isothermalprocessing[会,英]/Nakao,K.& Asarlo,T.//2001IEEE International Symposium on Semiconductor Manu-facturing.—145～148(E)Y2002-63234-155 0224709用于0.1μm 超大规模集成电路铜金属化的长期稳定性二步电镀工艺=Development of a two-step electro-     

热处理与表面处理工艺

Y2002-63196-706 0312069用非热能等离子工艺分解稀释的三氯乙烯-催化臭氧效应=Decomposition of dilute trichloroethyle by non-thermal plasma processing-catalyst and ozone effect[会,英]/Oda,T.& Yamaji,K.//2001 IEEE Industry Ap-plications Conference,Vol.1 of 4.—706～713(ME)0312070等离子喷涂Zr_(28)Y_2O_3涂层厚度测量方法研究[刊]/周晨波//光电子·激光.—2003,14(1).—71～74(C)     

热处理与表面处理工艺

Z99-51325-1 0012806镀银和防银变色技术的概况及发展趋势[会]/陈春成//中国电子学会电镀专业委员会第七届电子电镀年会论文集.—1～6(C)     

热处理与表面处理工艺

Y98-61429-192 9907417用高功率离子束改进基于 Al、Fe 和 Ti 的金属的特性的表面处理和合金=Surface treatment and alloyingwith high-power ion beams to improve properties in Al-,Fe-,and Ti-based metals[会,英]/Renk,T.J.&Buchheit,R.G.//1997 IEEE 11th International PulsedPower Conferenee,Vol.1.—192～197(AG)Y98-61442-377 9907418微电子器件生产用的激光化学汽相淀积=Laser chem-ical vapor deposition for microelectronics production[会,     

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9915157阴极弧离子镀磁过滤器[刊]/李刘合//真空.—1999,(3).—14～19(D)9915158大功率 AlGaAs-GaAs 激光器干涉镜和减反射膜的制备[刊]/罗江财//四川真空.—1999,(1).—34～37(C)分别用磁控溅射和电子束蒸发技术,在大功率AlGaA_3-GaA_3激光器条端面上,制作了 SiO_2/Si 干涉镜和 Al_2O_3减反射膜。讨论了 Si 靶反应磁控溅射下,氧化硅层的淀积速率和影响镀层质量的因素。参5     

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0005844微波等离子体化学气相沉识β-C_3N_4超硬膜的研究[刊]/张永平//河北科技大学学报.—1999,20(4),—1～4(A)0005845渐变滤光铬膜的遮板设计与真空镀制[刊]/李新昌//电子工业专用设备.—1999,(4).—16～19,59(A)论述了在平面光学零件上镀制渐变滤光铬膜时,     

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Y99-61677-39 0007628倒装片功率分布=Flip-chip power distribution[会,英]/Lipa,S.& Schaffer,J.T.//Characterization of flip-chipCMOS ASIC simultaneous switching noise on multilayerorganic and ceramic BGA/CGA packages.—39～41(EG)应用薄膜(MCM-D)和倒装片焊接块技术在 IC 上分配电源层与接地层,所需的金属百分比可以减少。然而,显著的减少需要密集的焊接块技术。参3