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采用金属银(Ag)做为高反射镀膜材料,ZrO2介质膜作为与激光器端面的绝缘层和Ag保护膜,在激光器后腔面实现了高反射涂层。经激光器光电特性测试表明,该高反射膜系能使激光器输出功率提高60%,阈值电流减小20%~50%,并且具有良好的化学稳定性、热稳定性和机械强度,能有效保护半导体激光器后腔面。 相似文献
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为了研究多层介质高反射薄膜的散射特性减小光学薄膜的散射损耗,以多层光学薄膜矢量光散射理论为基础,利用光学薄膜的总散射损耗与光学薄膜双向反射分布函数的关系,研究了多层介质高反射薄膜分别在膜层界面粗糙度为完全相关和完全非相关模型下入射角和偏振状态对总散射损耗的影响,以及入射波长对总散射损耗的影响.理论研究结果表明,随着入射角的变化p偏振入射光引起的p偏振的总散射损耗强烈依赖于膜层界面粗糙度的相关特性,尤其是在布儒斯特角附近更为明显;此外,通过对介质高反射膜在两种不同模型下的总散射损耗随入射波长的变化与其反射率谱的比较发现,完全相关模型下的总散射损耗与反射率谱的变化趋势一致,完全非相关模型则恰好反之. 相似文献
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为探讨空间高能质子模拟试验方法,用基于蒙特卡罗方法的SRIM程序计算了质子在石英玻璃基银膜反射镜中的射程和能量损失分布,试验研究了不同能量质子辐照对反射镜光学性能的影响.能量低于160keV时,50%以上的质子能量损失在表面膜中,随着能量的增大,质子在膜系中的能量损失逐渐减小;在1016/cm2注量条件下,100keV质子辐照引起350~500nm波段反射率明显下降,而0.5MeV和1MeV质子辐照对光谱的影响很小;计算与试验结果表明,低能质子辐照对反射镜的膜系损伤起主要作用,在进行空间质子辐照模拟试验时,能量选取应低于200keV. 相似文献
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采用真空蒸发法制备相同厚度的PbTe薄膜,再利用RF磁控溅射法在上面制备不同厚度的Ag反射膜,采用XRD、SEM、FTIR和四探针法分别对制备样品的物相组成、表面形貌、透射率和电阻率进行测试,结果显示,所制备的薄膜具有明显的〈100〉方向择优取向,呈多晶结构,随着反射膜厚度的增加,薄膜结晶性能先降低后增加;晶粒尺寸增加,表面粗糙程度先降低后增加;薄膜光学性能在一定膜厚范围内,随着反射膜厚度的增加透射率降低,超过一定膜厚时,透射率降为零;随着反射膜厚度的增加,电阻率呈先急剧降低后缓慢降低的趋势。 相似文献
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为进一步改进以Ba(OH)2为电解液的微弧氧化薄膜的性能,在Ba(OH)2溶液中加入不同含量的甘油,在工业纯钛板材(99.5%)表面微弧氧化生成了BaTiO2陶瓷膜。利用X射线衍射、扫描电镜、能谱和电容探测研究了甘油含量对陶瓷膜的物相、元素组成、表面形貌、薄膜厚度以及介电性能的影响。结果表明:不同甘油含量下制备的薄膜主要由四方相BaTi03构成;甘油的加入降低了薄膜的生长速率,改善了BaTiO2薄膜的表面形貌,提高了薄膜的介电性能;甘油添加量为2g/L时,薄膜具有较好的表面形貌和较高的介电常数。 相似文献
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本文针对SiGe上Al2O3/NbAlO/Al2O3三明治结构介质栈的热稳定性和电学性能进行了研究.高分辨透射电镜(HRTEM)测试表明退火后薄膜是结晶的,同步辐射X射线反射率(XRR)和X射线衍射(XRD)分析表明在薄膜中存在超晶格结构,有0.5nm的界面层存在,X射线光电子谱(XPS)表明界面层主要成分是SiOx,... 相似文献
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本文研究了高温处理对ZnO薄膜及其忆阻效应的影响,发现利用经800℃高温处理后的ZnO薄膜制备的Cu/ZnO/Pt器件依然保持忆阻性能,并观察到无电形成过程的忆阻效应。研究表明,无电形成过程的原因在于高温处理后的ZnO薄膜出现了纳米级通道,使得在沉积顶电极Cu的过程中,形成天然的导电通道,使器件呈现低阻态。 相似文献
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Gavrilov G. A. Muratikov K. L. Panyutin E. A. Sotnikova G. Yu. Sharofidinov Sh. Sh. 《Technical Physics Letters》2020,46(1):16-18
Technical Physics Letters - Pyroelectric effect has been studied in quasi-bulk AlN layers with thickness of 10–170 μm produced by hydride–chloride vapor-phase epitaxy on standard... 相似文献
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MgO介质保护膜掺杂可以改变其性能,基于这一现象,本文利用电子束加热蒸镀法,在多种掺杂比和多种工艺条件下制备了MgO介质保护膜和宏单元气体放电屏。利用扫描电子显微镜(SEM)对制备的复合介质保护膜样品的进行了微观表征,并且,利用宏单元气体放电实验屏研究了介质保护膜的气体放电特性。结果表明:与纯Mg0介质保护膜相比,掺杂Sc2O3的介质保护膜具有较好的性能。 相似文献
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采用射频磁控溅射法, 在热氧化p型硅基片上制备了双沟道层非晶氧化铟锌(a-IZO)和氮掺杂氧化铟锌(a-IZON)薄膜晶体管(TFTs), 并研究了双沟道层对器件电学性能和温度稳定性的影响。研究发现, a-IZO/IZON双沟道层TFTs具有较高的场效应迁移率, 为23.26 cm2/(V•s), 并且其阈值电压相较于单层a-IZO-TFTs正向偏移。这是由于氮掺杂可以减少沟道层中的氧空位, 抑制载流子浓度, 使器件具有更好的阈值电压。而a-IZO层避免了由于氮掺杂导致的场效应迁移率和开态电流的下降, 提升了器件的电流开关比。从298 K至423 K的器件转移特性曲线中发现, 双沟道层器件相较于单沟道层器件的温度稳定性更佳, 这可归因于a-IZON层的保护作用。氮掺杂可以减少氧在背沟道层表面的吸收/解吸反应, 改善器件的稳定性。 相似文献
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采用射频磁控溅射法制备了非晶TbFeCo薄膜及其保护层AlN薄膜 ,并研究保护层对薄膜的磁和磁光特性的影响。结果表明 ,AlN薄膜可以增强薄膜磁光效应 ,同时 ,AlN薄膜对TbFeCo磁光薄膜的矫顽力、垂直磁各向异性以及本征克尔角都有一定的影响。其原因来自于溅射过程中N和Al原子对TbFeCo薄膜表面的轰击而导致的界面特性的改变 相似文献
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利用真空反应蒸发镀膜技术在PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)表面沉积AlOx+Al+AlOx三层镀层,通过改进传统蒸发镀膜设备,增添匀气管,控制氧气通入位置及流量,研究了氧气流量对膜层形貌、膜层结合力和阻隔性的影响。采用扫描电子显微镜、能谱仪、3M标准胶带、透氧仪等测试仪器对膜层形貌和表层元素进行了表征和分析,并得到最佳工艺条件。结果表明:改进设备后沉积的AlOx+Al+AlOx/PET复合膜,可以有效的提高薄膜的阻隔性、致密性以及镀层与薄膜间的结合力。在本底真空8×10-4Pa、反应气压1×10-2Pa、电流80 A、过渡层氧气流量50 m L/min、盖层充气流量100 m L/min等工艺下蒸镀的AlOx+Al+AlOx/PET复合膜,膜层薄膜的结合力为1.52 N/mm,氧气透过率为1.1 cm3/(m2·day·atm),与传统铝膜相比,结合力提高2倍,阻隔性提高4.5倍。 相似文献