电子和中子辐照n型6H-SiC的光致发光谱

对用电子能量为1.7, 0.5和0.4MeV的电子辐照和中子辐照后的n型6H-SiC样品进行低温光致发光研究. 对于Ee≥0.5MeV电子辐照和中子辐照后的样品,首次发现了位于478.6/483.3/486.1nm的S1/S2/S3谱线.对样品进行热退火研究表明S1/S2/S3谱线在500℃下消失,而退火温度高于700℃时D1中心出现.考虑到产生C空位和Si空位所需的位移阈能以及热退火行为,说明S1/S2/S3为初级Si空位初级缺陷,而D1中心为二次缺陷.     

电子和中子辐照n型6H-SiC的光致发光谱

对用电子能量为1.7,0.5和0.4MeV的电子辐照和中子辐照后的n型6H-SiC样品进行低温光致发光研究.对于Ee≥0.5MeV电子辐照和中子辐照后的样品,首次发现了位于478.6/483.3/486.1n m的S1/S2/S3谱线.对样品进行热退火研究表明S1/S2/S3谱线在500℃下消失,而退火温度高于700℃时D1中心出现.考虑到产生C空位和Si空位所需的位移阈能以及热退火行为,说明S1/S2/S3为初级Si空位初级缺陷,而D1中心为二次缺陷.     

电子和中子辐照n型6H-SiC的光致发光谱

对用电子能量为1.7,0.5和0.4MeV的电子辐照和中子辐照后的n型6H-SiC样品进行低温光致发光研究.对于Ee≥0.5MeV电子辐照和中子辐照后的样品,首次发现了位于478.6/483.3/486.1n m的S1/S2/S3谱线.对样品进行热退火研究表明S1/S2/S3谱线在500℃下消失,而退火温度高于700℃时D1中心出现.考虑到产生C空位和Si空位所需的位移阈能以及热退火行为,说明S1/S2/S3为初级Si空位初级缺陷,而D1中心为二次缺陷.     

n-Si低剂量B~+、P~+离子注入产生的缺陷及其退火特性

对n-Si低剂量(10~(11)cm~(-2))B~+和P~+离子注入产生的电子和空穴陷阱及其热退火行为.用DLTS方法作了迄今最完整的研究.首次报道了空穴陷阱.注B~+引入五种空穴陷阱:高浓度的H_2(0.62)和H_3(0.43)两种可能与B有关的受主陷阱,还有H_4(0.37),H_1(0.63)和H_5(0.15),H_4可能是与C有关的受主缺陷,注 P~+引入四种空穴陷阱:高浓度的H_2~″(0.51),也引入H_4(0.37),H_2(0.63)和类似H_5的H_3~″.同时报道了注B~+引入七种和注P~+引入三种电子陷阱.注B~+引入可能与B有关的受主E_3(0.35),在280℃退火时有高浓度,在320℃退火后激烈退化.另外三种E_2(0.41),E_4(0.25),E_5(0.15)在注B~+和注P~+情况都测到,并基本符合过去离子、中子或电子辐照普遍报道的缺陷能级.研究了上述所有缺陷的退火行为,在800℃退火后,所有缺陷都退至 10~(12)cm~(-3)平均浓度以下.     

电子辐照N型LPE-GaAs层中复合中心能级的研究

本文用深能级瞬态谱(DLTS)法,结合表面光伏(SPV)法和某些常规测试,较系统地研究了1MeV能量和不同剂量的电子辐照下对N型LPE-GaAs层逐次引入的缺陷。研究了400～550K温区等时退火行为。讨论了随辐照剂量逐次增大及等时退火后,缺陷浓度N_T的变化和少子扩散长度L_p随N_T的变化情况。首次用理论和实验手段论证了由电子辐照引入的所有电子缺陷能级中,E_3为主要的复合中心能级。同时通过对Shockley-Read-Hall公式的简化提出了一个在诸多缺陷能级中判别出其中主要复合中心能级的方法,实验结果也证实了这种判别方法是行之有效的。     

Sigmund元素溅射率公式的修正

本文给出氦、氩离子法向轰击多晶元素靶时,原子溅射率Y_o随离子能量E变化的经验公式.采用下面二个步骤,可以导出这个公式.首先,把Sigmund 溅射率公式(1)中的表面升华能U_s改为离靶组合的溅射阈能E_(th). 其次,再把上式乘以Matsunami提出的低能修正因子g(E).另外,我们还导出了适用于轻、重离子的溅射阈能经验公式E_(th)=U_s·exp(r)/r.其中:r=4M/(1+M)~2,M=M_2/M_1是靶原子的相对原子量.计算结果表明:对于低能离子(E≤1keV)而言,由经验公式算出的溅射率Y_o与实验值Y之间的相对误差不超过20％.但是,低能下的Sigmund理论溅射率Y_s约为实验值的二至二十五倍.由此可知:经验溅射率公式(30)基本上是成功的.     

氖原子弱光电流谱线的观测

应用光电流光谱技术,在空心阴极放电管中首次观测到氖原子的2P_7→4d_5、2P_1→4S_2 和2P_6→4d_J"跃迁产生的三条弱谱线.     

纯化学燃烧驱动的HBr化学激光

对以D_2为燃料、NF_3为氧化剂的纯化学燃烧驱动的HBr化学激光进行了研究。抽运反应为H+Br_2→HBr(v≤6,J)+Br,氢原子由F+H_2→HF+H反应提供,氟原子则由D_2/NF_3混合气体燃烧热解生成,激光提取所需的低温低压和快速流动条件由超音速流动系统完成。对由全反反射镜和部分反射(98%)输出镜组成的稳定腔进行了能量提取,获得了P_2(4)、P_2(5)、P_3(5)和P_3(6)的稳定激光输出,最大激光输出功率为14.3 W。     

YAG和CO_2激光对活体组织作用机制研究

一、理论分子的各种运动能级的能量关系按量子理论为△AE=△E_(?)+△E_转+△E_电,△E_电约为10°—10~(-1)ev 的数量级,由△E=hv,其λ<1μm;△E_(?)约10~(-1)—10~(-2)eV,对应入为1—25μm;△E_转为10~(-3)—10~(-4)eV,λ为25—350μm。显然,如果以红外激光照射分子,只能引起分子振——转能级状态的变化:E_(?)=(n+1/2)hcv+BhcJ(J+1)。如果照射的红外激光的频率与分子的某一振动或转动跃迁频率吻合,就会产生共振,引起分子固有偶极矩的改变,这就是红外匹配吸收的量子解释。人体有着密集的分子原子,具有许许多多很宽的固有振动频     

钠共振线的自增宽和3~2P_(3/2,1/2)能级间的碰撞转移率

本文用实验方法确定钠D线的共振自增宽率系数K_(br)和钠的二个精细结构能级(3~2P_(3/2,1/2))与基态钠原子碰撞而产生的激发转移率.这个过程可用Na(3~2P_(3/2))+     

由分子和原子混合共振增强四波混频产生的宽范围可调谐相干辐射

本文报道了由Na_2-Na系统中不等频两步混合共振四波混频这一特殊过程产生紫外宽范围(319.2nm—354.2nm)可调谐相干辐射的新结果。 在实验过程中,用一YAG激光泵浦的脉冲染料激光激发钠分子,在激发波长550—670nm范围内,钠分子总能共振吸收入射光(设频率为ω_1)而跃迁到A~1∑_u~+态或B~1∏_u态,通过受激发分子与基态原子的碰转能量转移过程,分子的激发态能量可转移给原子而使钠原子3P_(1/2,3/2)态获得布居。将由同一YAG激光泵浦的染料激光调谐到3P_(1/2)→4D共     

ZnH分子的激发光谱和荧光光谱

ZnH分子的形成及能级 ZnH是一种不稳定分子,可以如下产生:先用307.6nm激光使锌原子由基态泵至亚稳态4~3P_1;此亚稳态原子与H_2分子碰撞截面很大,约为2nm~2;结果Zn4~3P_1原子激发能用来打断氢分子键,形成处于基态的ZnH分子。 Zn(4~3P_1)+H_2→ZnH(x~2∑~+)+H     

通过激发转移和碰撞能量合并研究Rb 52P精细结构混合

利用单模半导体激光器激发Rb原子到5P3/2态,将Rb空心阴极灯发射的6D5/2→5P3/2的629.8 nm线作为吸收线.测量5P3/2态原子密度,由测得的激发态原子密度结合荧光强度比,得到能量合并过程Rb(5P3/2) Rb(5P3/2)→Rb(5D) Rb(5S)的碰撞截面为(5.0士1.9)×10-14cm2.利用荧光法测量了Rb52P精细结构碰撞转移截面.直接荧光是由5P3/2态发射的,敏化荧光是由精细结构碰撞转移和碰撞能量合并产生的.由相对荧光强度得到了转移截面σ(5P3/2→5P1/2)=(3.0土0.9)×10-15cm2.碰撞能量合并速率系数比精细结构混合率大一个数量级,与其它实验结果进行了比较.     

Geant4模拟质子入射InP产生的位移损伤

磷化铟(InP)作为重要的第二代半导体材料,禁带宽度大,电子漂移速度快,抗辐照性能比Si,GaAs好,可作为制备空间飞行器上电学器件的备选材料。随着半导体器件的尺寸纳米化,空间环境中低能质子辐照元件所导致的位移损伤成为影响元件电学性能的主要因素之一。本文使用Geant4模拟得到低能质子入射InP产生的初级撞出原子(PKA)种类及占比和不同能量质子的非电离能量损失(NIEL)的深度分布。结果表明：质子俘获和核反应的概率随质子能量的增加而增加,进而使弹性碰撞产生的反冲原子In,P的占比减少,其他反冲原子占比增加;NIEL峰值随质子能量的增加而降低,且NIEL峰有向前移动的趋势,即随着质子能量增加,位移损伤严重区域逐渐由材料末端移至材料表面。     

InGaAs的电调制反射谱及其组份分析

本工作采用电解液电调制反射谱技术,对n型InGaAs外延片进行了研究.从所测得的光谱中,利用三点法计算出了临界点跃迁能量E_0、E_1,自旋轨道分裂△_0、△_1和线宽参数Γ_0、Γ_1,还研究了临界点能量E_1与含金组分x的关系.所得结果均与国内外报道的理论和实验值符合得较好.     

YBa_2Cu_3O_x和BiSrCaCu_2O_x红外吸收谱的研究

进一步研究了对YBa_2Cu_3O_x红外谱中P_1、P_2和P_3峰的指认,测量了YBa_2Cu_3O_x的晶格参数b、c和红外峰P_1、P_3的频率随淬火温度的变化,报道了P_4(410cm~(-1))及P_5(360cm~(-1))两个峰并分别指认为Ba-Ba层间及Y-Ba层间Cu-O弯曲振动产生的.还研究了不同氧含量BiSrCaGu_2O_x样品的红外吸收谱,并对其红外峰进行了指认.     

I_2和IBr分子光解产物的态分布及其多光子电离光谱的研究

本文报道了经多种激光波段解离I_2和IBr分子所生成的I(~2P_(3/2)~0)、I~*(~2P_(1/2)~0)和Br(~2P_(3/2)~0)、Br~*(~2P_(1/2)~0)原子的共振电离光谱。实验采用YAG激光泵浦的可调谐染料激光器,分别在470.0～490.0nm、364.7～369.0nm、277.5～282.5nm及222.0～223.2nm波长范围内,研究了I、Br原子的3+1、2+1及3+2、4+1电离过程中电离信号与光强的关系,标定了各个电离信号所对应的原子能级。本文通过对不同解离波长得到的I、Br原子电离谱的比较,定     

质子辐射环境下NPN输入运算放大器在不同偏置状态下的辐射效应

对NPN输入运算放大器LM741在不同偏置状态下进行了Co-60 γ射线辐照和3MeV与10MeV质子射线辐照以研究NPN输入运算放大器的质子辐照效应。通过比较Co-60 γ射线辐照和3MeV与10MeV质子射线辐照的实验结果可以发现,3MeV与10MeV质子射线辐照在LM741中主要产生电离损伤。在不同的偏置状态下,器件的损伤敏感程度不同,零偏置器件的输入偏置电流的退化明显高于正向偏置器件。对于相同吸收剂量的质子,质子通量的差别对器件的辐射效应影响很小。电源电流是另一个对质子辐照敏感的参数,Co-60 γ射线辐照和3MeV与10MeV质子射线辐照会对电源电流产生不同程度的影响,这是因为Co-60 γ射线辐照和3MeV与10MeV质子射线辐照引起的电离能量沉积和位移能量沉积不同     

起源于亚稳Zn原子的受激辐射及其布居反转机制

用YAG染料倍频307.6nm激光泵浦充有缓冲气体的热管炉中的基态Zn原子到4p~3P_1亚稳态,获得了相应于5s_3S_1—4p~3P_2跃迁的481.0nm受激辐射,并研究了其粒子数反转的机理。实验中荧光或激光从光束的反方向收集并列入末端装有光电倍增管的1束光栅光谱仪。光电信号由Boxcar平均器和300Hz示波器测量,最后由微机处理。热管炉温度范     

超强激光器:桌面上的物理极限

在过去十年里,激光强度增长了四个量级以上达到1020W／cm2,场强达到每厘米一个TV,为氢原子基态电子库仑场的100倍。其驱动的电子是相对论性的,振动能量为10MeV。如此光强下,光压P＝I／c达到极限,为（1014～1017）Pa。激光和物质（固体,气体,等离子体）相互作用产生入射光束的波长为3nm左右的二次谐波,MeV的高能离子和电子,109G的电磁场和1021g的巨大加速度（g是地球引力）．最后,超强光束与超相对论性粒子的相互作用产生场强接近临界场,在其中一个电子在康普顿波长处可获得能量两倍于静止能量．在这些条件下我们能观察到非…