GaN外延薄膜的研究进展

首先回顾GaN外延薄膜生长工艺。然后综述了高质量GaN外延薄膜生长技术的最新重要进展，主要的新技术有：横向外延生长技术；柔性衬底技术；多缓冲层技术；短周期超晶格（SPS）技术；沟道接触结技术以及四组分AlInGaN合金技术，最后对GaN外延薄膜生长技术的发展方向及应用前景提出了展望。     

华灿光电成功研制新型蓝绿光LED芯片

武汉华灿光电有限公司的技术团队采用超晶体缓释应力等新型衬底技术，通过优化结构设计，优化分子束外延和金属有机化学气相沉积工艺，开发出具有独立知识产权的超高亮度GaN绿色发光二极管外延片，实现了GaN外延片的批量生产。一般在蓝宝石上制造的蓝绿光LED芯片，由于其单向导电，所以抗静电性能差。公司在提高器件ESD水平上投入了大量的人物力研发，     

LED相关专利简介

1纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法公开(公告)号:CN102610715A摘要:一种纳米无荧光粉白光氮化镓发光二极管的制作方法,包括以下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上外延生长GaN缓冲层1和n-GaN层;步骤3:在n-GaN层上通过纳米技术制作GaN纳米线模     

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答案下期发表1试述使用局部照明对视力影响的几个有显著作用的因素?2何谓照度?试述教室中的照度要求?3何谓闪烁效应?目前市场上无闪烁灯有哪两种?如何选择?4何谓显色性?试述常用光源的显色指数?5何谓色温?试述各种常用光源的色温?上期答案1LED的工作原理是什么?目前主要有哪些L     

多结太阳电池用键合技术

介绍了使用键合技术制备高效多结太阳电池的方法,即在不同材料衬底依次外延生长晶格匹配子电池,再通过键合技术将二者集成至一起。着重介绍了多种实现子电池集成的键合技术,并分析了其技术特点。     

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答案下期发表 1 目前市场上供应的台灯 可分为哪三种类型?试述其性 能? 2试述一般读写作业台灯 的照明要求? 3试述电脑作业台灯的照 明要求? 4现有台灯存在哪些问 题?     

六英寸Si基GaN功率电子材料及器件的制备与研究

氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表,具有优异的材料物理特性,更加适合于下一代电力电子系统对功率开关器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣工作温度的要求。为了兼容Si基CMOS工艺流程,以及考虑到大尺寸、低成本等优势,在Si衬底上进行GaN材料的异质外延及器件制备已经成为业界主要技术路线。详细介绍了在6英寸Si衬底上外延生长的AlGaN/GaN HEMT结构功率电子材料,以及基于6英寸CMOS产线制造Si基GaN功率MIS-HEMT和常关型Cascode GaN器件的相关成果。     

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答案下期发表1.试述LED的结温。2.试述LED的热阻。1试述LED的光谱特性。LED所发出的光并不是单一波长,其波长分布如图1所示。LED的波长分布有的不对称,有的则具有很好的对称性,具体取决于LED所使用的材料种类及其结构等因素。不同LED的光谱分布     

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答案下期发表1．试述LED的发光原理。2．试述LED的基本结构。3．试述LED的分类。     

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答案下期发表 1．试述LED的伏一安特性。 2．试述LED的响应时间。 3．试述LED电容及电容一电压特性。     

深紫外LED的外延技术进展

深紫外LED (UVC LED)是新型紫外线光源,可应用于病毒消杀、工业、通信等领域。近年来,AlGaN基UVC LED的外延技术取得了显著的发展,器件性能不断提升,展现出了良好的应用前景。本文综述了UVC LED外延技术的研究进展,主要介绍衬底、外延工艺与外延结构对UVC LED光电性能的影响。     

多晶硅光电池

p-Si(多晶硅,包括微晶)光电池没有光致衰退效应,材料质量有所下降时也不会导致光电池受影响,是国际上正掀起的前沿性研究热点。在单晶硅衬底上用液相外延制备的p-Si光电池转换效率     

4H-SiC外延晶片表面三角型缺陷形成机制及其优化工艺的研究

通过光学显微镜和表面缺陷检测仪对4H-SiC外延晶片表面三角型缺陷进行观测和分析,发现三角型缺陷大致可以分为两类:头部无任何异物的三角型缺陷和头部带有异物的三角型缺陷。通过理论分析认为:头部无异物缺陷主要是由于缓冲层和外延层的生长条件不同引起的;头部有异物缺陷主要是由于衬底玷污和生长过程中的掉落物引起的。在此基础上针对两种不同缺陷分别提出了相应外延优化工艺:缓冲层优化工艺和生长前衬底刻蚀优化工艺。实验结果显示,这两种优化工艺有效降低了三角型缺陷的数量,提高了外延晶片质量。     

Si衬底GaN基功率电子材料及器件的研制

目前,采用Si上生长氮化镓(GaN)材料这一技术路线制备功率电子器件,已成为业界共识。而这一技术路线最大的挑战就是Si衬底GaN外延生长应力调控、高耐压和导通电阻稳定性控制技术。成功地制备了无裂纹、低翘曲、高导通、均一性好、耐压高的2~8英寸Si衬底GaN外延片,外延材料满足650 V功率器件要求,并在6英寸互补金属氧化物半导体(CMOS)产线上成功开发出650 V,200 mΩ的功率场效应晶体管(FET)器件。     

春兰集团：半导体照明，潜力巨大

春兰股份的子公司春兰电子有限公司成立了博士后课题项目组，其中一个重点研究项目为“GaN基蓝、绿光LED的研制”。据春兰电子公司资料介绍，公司重点研究MOCVD(又称外延炉)工艺在蓝宝石上生长符合制管要求的优质GaN薄膜，并用以上GaN基半导体材料制备高亮度蓝、绿光LED，而且生产工艺和产品合格率要符合批量生产要求。公司将通过引进先进的MOCVD以及刻蚀、划片等设备，大批量生产GaN基蓝、绿光发光二极管。     

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答案下期发表1试述光纤照明的构成。2试述光纤照明的原理。3试述光纤照明的特点。上期答案1什么是视敏特性?视敏特性是指人眼对不同波长的光具有不同灵敏度的特性,即对于辐射功率相同的各色光具有不同的亮度感觉。在相同的辐射功率条件下,人眼感到最亮的光是黄绿光,而感觉最暗的光是     

上期答案

答案下期发表1试述光纤照明的发展。2试述光纤照明系统的分类。3试述光纤照明的应用。1何谓绿色照明?绿色照明是指通过科学的照明设计,采用效率高、寿命长、安全和性能稳定的照明电器产品(电光源、灯用电器附件、灯具、配线器材以及调光控制设备和控     

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1荧光灯分几类？它的主要发光材料是什么？ 2试述常用灯用稀土荧光粉的适用范围。 3灯用荧光粉的R．G．B指什么？     

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答案下期发表1何谓绿色照明? 2能效标准的主要内容有哪些? 3试述荧光灯镇流器中能效标准的作用?上期答案1试述光纤照明的构成光纤照明系统可分成点发光(即末端发光)系统和线发光(即侧面发光)系统。光纤照明系统一般由发光器、导光体和终端附件三部分组成。(1)发光器发光器装置包括光源、反     

外延生长单晶FeRh/MgO/PMN-PT异质结与电场调控磁性能

引入MgO薄膜作为缓冲层,采用磁控溅射镀膜方法在(001)取向[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]0.7—x[PbTiO3]0.3(PMN-PT)单晶铁电衬底上外延生长单晶FeRh二元合金薄膜,从而获得单晶FeRh/MgO/PMN-PT多层膜异质结.利用XRD进行物相分析和结构表征,表明MgO缓冲层的插入促使单晶FeR...