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在气体传感器中金属Pd被广泛用作的催化剂,利用直流溅射和浆料涂覆的方法制备出SnO2气敏元件,在氧气氛中通过直流溅射对SnO2元件进行Pd掺杂,并对用不同制备方法所得元件的电导、灵敏度等进行比较。结果表明:Pd掺杂降低了元件的电导,并使得电导峰出现的位置从460℃转移到260℃和180℃,这和样品的制备方法有关。Pd掺杂有利于提高SnO2元件的灵敏度,特别在低温区(100~250℃)对不同气体的灵敏度有几十倍提高。 相似文献
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SnO_2/SiO_2双层薄膜的湿敏特性 总被引:2,自引:0,他引:2
本实验是在单晶硅片上热生长一层SiO2,然后用真空淀积的方法获得一层超微粒SnO2薄膜,通过对SnO2/SiO2薄膜电阻与相对湿度关系的测试,发现阻湿的线性特性和灵敏度明显优于SnO2薄膜和SiO2薄膜,测湿范围明显展宽。 相似文献
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介绍了一种新型Li_2SnO_3厚膜湿敏元件。用X-射线粉末衍射图和电子能谱分析了该湿敏元件感湿体的组成和价态。由这种材料的物理机制和极化机制,建立了等效电路模型。用复阻抗分析法分析了感湿机理并得出如下结论:(1)晶界表面电阻随相对湿度上升而下降,是主要敏感部分。(2)导电载流子不只是氢离子或水合氢离子而且还有锂离子。(3)在高湿下存在电解质电导。 相似文献
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用复阻抗法分析
MgCr2O4-TiO2 湿敏陶瓷感湿机理 总被引:4,自引:1,他引:4
本文研究了不同湿度条件下MgCr_2O_4-TiO_2的复阻抗平面图及其对应的等效电路图.根据介质极化理论,分析了不同湿度范围内的极化机制,得出结论:相对湿度大于25%RH时,主要是质子(H_3O)~+的电导起作用;相对湿度小于33%RH时,主要是电子电导起作用;两者之间是质子和电子共同起作用. 相似文献
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湿敏电阻器本体电阻对线性度的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
通过理论推导 ,获知了湿敏电阻器的感湿特性曲线与拟合直线之间的偏差随其本体电阻的变化关系。由此可知 ,当感湿特性曲线位于电阻 -湿度平面上某个确定的区域内时 ,可通过增加本体电阻以改善线性度 ;而位于该区域外时 ,应减小本体电阻。 相似文献
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通过对阳极氧化多孔Al2 O3 薄膜感湿材料的制备工艺及其电容湿敏特性进行研究 ,将阳极氧化参数对多孔Al2 O3 薄膜的结构和形态的影响与多孔Al2 O3 薄膜作为湿度传感器感湿材料的湿敏特性联系起来进行分析 ,为优化制备工艺参数提供更充分的实验数据 ,使新型多孔Al2 O3 薄膜湿度传感器具有更好的感湿特性。 相似文献
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通过水热法制备了粒状和片状两种不同形貌的ZnO,以这两种形貌的ZnO修饰QCM作为湿度传感器,结合饱和盐溶液法(相对湿度:11%~95%RH)和H2O分子在ZnO上的吸/脱附机制对此新型压电传感器的湿敏性能(线性度、响应时间和回复时间)进行评价和研究.实验结果表明:粒状ZnO修饰的QCM传感器相较于片状ZnO修饰的QCM传感器线性度更好,响应时间和恢复时间更短,且该型传感器在低湿条件(33%,55% RH)恢复时间大于响应时间而在高湿条件(75%,85%,95% RH)恢复时间小于响应时间.实验和理论研究说明:ZnO微观形貌对该型传感器湿敏性能至关重要,而H2O分子在ZnO上的吸/脱附机制决定了其恢复/响应时间随湿度变化的技术特点. 相似文献