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提出并研制成一种新型硅三端负阻器件。该器件由一n沟耗尽型MOS管、一横向pnp双极晶体管和一个电阻集成而得。它具有“双负阻”特性和正阻区阻值易于控制等特点。由理论计算出的器件I_c—V_(CB)特性和负阻参数与实验结果符合良好。 相似文献
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UHF应用的低噪声GaAs双栅场效应晶体管 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报告的 UHF应用的低噪声 GaAs双栅金属肖特基势垒接触场效应晶体管,用 GaAs高阻衬底-n汽相外延材料,金属铝栅 1.5 ×300μm.器件封装用简化的环氧树脂粘结的陶瓷管壳.器件的工作参数为V(DS)~4V,V_(g_1s)~-2V,V_(g_2s)~0V,此时I_(DS)~6mA 1GHz 下NFmin 1.2dB(最佳0.8dB),G_a10dB,G_R45dB.场效应晶体管在UHF电视机和步话机上初步应用,性能良好. 相似文献
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<正> NJU7662是一种新型电压反转IC,输入正电压V_(IN),输出为负电压(-V_(IN))或两倍的正电压(2V_(IN))。该器件的特点是:工作电压范围宽(4.5~20V);电压转换率高(空载时可达99.9%);功率转换率高(可达96%);外围元件少;静态电流小(6V以下时最大值为150μA,6V以上时最大值为600μA);输出电流可达20mA;功耗为300mW;工作温度范围为-20~+70℃。 相似文献
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本文介绍一种与双极IC电路技术完全兼容的低压(CMOS)/高压(VDMOS)器件设计与制备工艺。VDMOS器件阈电压:1~2伏(根据注入剂量调节),漏击穿电压大于150伏。V_(GS)=5V时其跨导大于10m(?),导通电阻小于200Ω,最大输出电流约800mA。同时得到的NPN器件其β≥250,BV_(ceo)≥65V,BV_(CBO)≥90V。CMOS器件性能也合乎要求。利用这种工艺可制作任何低压和高压双极/MOS器件,这对于功率集成、高低压转换与驱动、等离子体显示等方面应用会有很多实用价值。 相似文献
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本文从测量多种小功率、大功率晶体管在规定条件下的△V_(BE),及其随加热功率P_(Hot)的变化规律,到详细讨论测试结果.如果在相同条件下测量不同器件的△V_(BE),可以迅速评价器件热阻的大小.通过测试△V_(BE),可以对晶体管制造工艺监控;100%测试产品的△V_(BE),可以对产品作高可靠筛选. 相似文献
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研究了HBT产生负阻的可能机制,通过对材料结构和器件结构的特殊设计,采用常规台面HBT工艺,先后研制出3类高电流峰谷比的恒压控制型负阻HBT.超薄基区HBT的负阻特性是由超薄基区串联电阻压降调制效应造成的,在GaAs基InGaP/GaAs和AlGaAs/GaAs体系DHBT中均得到了验证.双基区和电阻栅型负阻HBT均为复合型负阻器件.双基区负阻HBT通过刻断基区,电阻栅负阻HBT通过在集电区制作基极金属形成集电区反型层,构成纵向npn与横向pnp的复合结构,由反馈结构(pnp)的集电极电流来控制主结构(npn)的基极电流从而产生负阻特性.3类负阻HBT与常规HBT在结构和工艺上兼容,兼具HBT的高速高频特性和负阻器件的双稳、自锁、节省器件的优点. 相似文献
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梗概微波功率放大器,很多设计是采用晶体管、耿氏二极管、碰撞雪崩渡越时间二极管构成的注入锁定和负阻放大器。设计这些微波功率放大器时,需要根据其输出功率、效率和散热设计等因素,有效地灵活运用有源器件的固有功率。这就要求知道,所用的具有某一固有功率的有源器件,它能够构成什么样的功率放大器。为了弄清楚这些问题,本文分析了注入锁定和负阻放大器在大信号激励时的输出功率特性,弄清楚了有源器件的固有功率和放大器的激励功率以及与被激励放大后的功率之间的关系,并求出了激励功率与有源器件固有功率之间实现完全功率合成的条件。分析时把注入锁定和负阻放大器分为反射式和通过式两种,分别求出有关振幅和相位基础方程式,并把激励功率和有源器件的固有功率代入振幅基础方程式。此外,举出实际应用以上分析结果的例子。 相似文献
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《电子元件与材料》2016,(2):73-78
集电极峰值电流(I_(CM))、集电极-发射极击穿电压(V_(CEO))、最大耗散功率(P_(CM))、直流二次击穿临界电压(V_(SB))是衡量大功率晶体管可靠性优劣的重要指标。依据实际电参数指标要求,首先利用TCAD半导体器件仿真软件完成了一款基于三重扩散工艺的双极型高反压大功率开关晶体管的结构设计,然后全面系统地分析了高阻单晶硅电阻率和器件集电区厚度对I_(CM)、V_(CEO)、P_(CM)及V_(SB)影响。仿真结果表明:由器件仿真得到的电学性能满足大功率晶体管电参数指标要求,器件结构参数的选择及工艺条件的设计较合理。增大单晶硅电阻率,虽然有利于提高集-射击穿电压和器件抗二次击穿能力,但不利于集电极峰值电流和最大耗散功率的提高。增大器件集电区厚度只对集-射击穿电压的提高有利,而对集电极峰值电流、最大耗散功率及抗二次击穿能力均产生不利的影响。 相似文献
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聚合物发光器件中输运特性的模拟分析 总被引:2,自引:2,他引:0
对聚合物发光二极管 I- V特性的测量发现 ,被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和“迟滞回线”状场致漂移的伏安特性 .模拟分析表明 ,一种反向势垒的存在及其击穿 ,应是引起负阻现象的原因 .缺陷态的存在及其电荷填充的变化 ,是导致 I- V特性曲线随偏压扫描方向变化的主要原因 .而低场下的接触性能决定着发光二级管载流子的输运性质 :若为非欧姆接触 ,则 I- V曲线可用 F- N隧穿模型来描述 ;若为欧姆接触 ,则应用陷阱电荷限制电流 (TCL)模型来描述 相似文献
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本文较详细地介绍了3KD20900高反压大功率硅NPN晶体管的研制过程和生产工艺。该器件最大集电极电流I_(cm)=20A,最大耗散功率P_(cm)=250W,C-E结反向击穿电压V_[(BR)(ceo)]≥900V,C-B结反向击穿电压V_[(BR)(cbo)]≥1200V,属国内首创,技术性能指标基本达到国际同类军用产品水平。 相似文献
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VVMOS晶体管是一种开有V形槽的垂直沟道高频功率MOS场效应器件,它的一个主要优点是与其它MOS器件一样不会发生二次击穿,然而近来一些作者报道MOS器件有负阻击穿效应,而这种负阻击穿效应也会引起二次击穿,导致器件烧毁。我们在测量自制的VVMOS晶体管时,也观察到了负阻击穿,经过研究,提出了纵向寄生npn双极晶体管的VVMOS晶体管负阻击穿模型,在此基础上还提出了几种抑制负阻击穿效应的方法,在采用了这些方法后,负阻击穿效应被减弱,甚至被消除,从而证实了所提出的VVMOS晶体管负阻击穿模型。 相似文献