一种简易瞬态过压浪涌抑制电路的设计

分析过压浪涌特点及抑制电路工作原理,提出基于P沟道场效应管的浪涌抑制电路设计思路,详细阐述了浪涌抑制电路的场效应管选型原则和元器件参数计算方法,并对该电路进行了过压浪涌测试。结果表明,该浪涌抑制电路的性能可以达到应用要求。     

机载设备的浪涌抑制

首先分析了机载设备浪涌的特点,对GJB181-1986和GJB181A-2003的浪涌指标进行了详细的分析对比.在此基础上提出了对电压浪涌的抑制方法,分别实现了对机载设备的过压浪涌、欠压浪涌的抑制,并提出了同时实现过压浪涌和欠压浪涌抑制而不中断负载工作的方法.最后对电流浪涌的抑制方法进行了介绍.     

航天器DC-DC变换器的过压保护电路设计

本文对航天器DC-DC变换器的过压失效模式进行了分析,并提出了一种可靠性较高的基于PWM的输出过压保护电路的设计方法。     

浮动浪涌抑制器提供无限制的过压保护

凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出面向电子系统的过压保护控制器LTC4366。该器件在9V至高于500V的电压范围内工作,其浮动浪涌抑制器采用可调浮动拓扑,     

输出过压保护电路的设计思路

介绍了五种输出过压保护电路的设计思路,并根据每种方案的优缺点,分析如何在实际应用中选择最合适的输出过压保护电路。     

过压保护稳压器和浪涌电流限幅器

LT4356-3是一个新的可选版本，在故障情况下可以锁断工作。它也是一个产品系列的最新成员，这个产品系列用来抑制高压浪涌和电流，以保护下游电子组件免受损坏。性能特点：电压范围为4～80V；可调输出钳位电压；     

一种故障隔离电路设计

针对机载28V直流供电系统存在过压浪涌的问题,提出解决方案。采用浪涌控制器,实现输入过压/浪涌保护,同时具有过流保护、反向输入防护功能。     

MOSFET的驱动保护电路的设计与应用

率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用;但它承受短时过载的能力较弱,使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求;计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOS-FET的匹配;设计了基于IR2130驱动模块的MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在驱动无刷直流电机的应用中证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。     

基于TPS2491的热插拔保护电路设计

文章对主流热插拔控制策略进行了比较分析,在介绍热插拔控制器TPS2491功能结构后,以24V电源背板总线数据采集卡为设计实例,详细介绍了基于TPS2491进行热插拔保护电路的设计过程,并对设计电路进行了测试验证,验证结果表明设计电路可有效抑制热插拔过程中的浪涌电流.     

一种新颖的航空直流电源抗浪涌电路

针对28V航空直流电源系统中的过压浪涌和欠压浪涌,设计了一种双管Buck-Boost电路。该电路由Buck变换器和Boost变换器级联简化而成,对此电路设计了控制方法,使电路工作在降压、升压和LC滤波模式,能有效地抑制过压浪涌和对欠压进行提升,而且对额定输入时的效率影响较小。从对电路性能影响方面,阐述了输出电压设定值的选取。传统的航空直流电源抗浪涌电路,结构较复杂、效率低,对额定输入时的效率影响也较大,而且以往的文献和产品较少涉及对欠压浪涌的处理。设计了一台300W的原理样机,通过实验验证了电路和设计的控制方法能有效地抵抗航空直流电源中的浪涌,并使电路取得了较高的效率。     

A simple and versatile overcurrent protection circuit for power MOSFETs

This paper proposes an overcurrent protection (OCP) circuit for power MOSFETs employed in low voltage power converters. The proposed configuration requires only discrete components with a gate driver IC and uses the voltage drop across the device for overcurrent detection. It can operate independently in cycle-by-cycle shutdown and multiple cycle shutdown modes. In coordination with a micro-controller based driver IC input signal generator and controller, the proposed OCP circuit can also operate in a single cycle latch-up and hiccup OCP modes. The performance of the proposed scheme is evaluated experimentally at both, hard and soft fault conditions. By experimentation, it is shown that the proposed circuit can operate in various protection modes and capable of protecting a MOSFET in both, hard and soft fault conditions.     

一种新颖实用的激光电源充电电路

本文介绍了一种新疆实用的激光电源充电电路，在理论上对整个充电过程作了详细的分析计算，给出了计算公式和实验曲线。该电路原理简单，器件少，工作可靠，体积小，调试方便，适用于中，小功率的激光器，具有一定的应用价值。     

开关电源过流保护电路设计研究

本文研究了电源过流电路设计方案和特点以及一些常见的开关电源过流保护方式,寻找到良好的保护电路设计。     

模拟电路浪涌信号产生机理的研究与仿真

针对某型雷达模拟电路中存在的浪涌信号,提出了一种简单、实用的冲激响应理论分析方法。对雷达产生浪涌信号的一个典型电路进行仿真,得出模拟电路产生浪涌的一个重要原因是晶体管的瞬间导通电流过大。提出了一些防止浪涌信号对模拟电路冲击的措施。     

A novel charge pump drive circuit for power MOSFETs

Novel improved power metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) drive circuits are introduced. An anti-deadlock block is used in the P-channel power MOSFET drive circuit to avoid deadlocks and improve the transient response. An additional charging path is added to the N-channel power MOSFET drive circuit to enhance its drive capability and improve the transient response. The entire circuit is designed in a 0.6 μm BCD process and simulated with Cadence Spectre. Compared with traditional power MOSFET drive circuits, the simulation results show that improved P-channel power MOSFET drive circuit makes the rise time reduced from 60 to 14 ns, the fall time reduced from 240 to 30 ns, and its power dissipation reduced from 2 to 1 mW, while the improved N-channel power MOSFET drive circuit makes the rise time reduced from 360 to 27 ns and its power dissipation reduced from 1.1 to 0.8 mW.     

一款新型电荷泵功率管驱动电路

提出了一款新型功率管驱动电路。P沟道功率管驱动电路加入了防死锁模块防止了死锁的出现,提高了瞬态响应;N沟道功率管驱动电路加入了附加的充电支路,提高了驱动能力和瞬态响应。整个电路基于0.6μm BCD工艺,在Cadence Spectre下仿真。和传统的功率管驱动电路相比,新的P沟道功率管驱动电路的上升时间由60ns减少到14ns,下降时间由240ns减少到30ns,并且功耗从2mW减少到1mW;新的N沟道功率管驱动电路的上升时间由360ns减少到27ns,功耗从1.1mW减少到0.8mW。     

基于等值回路平衡方程的变压器保护原理

本文针对等值回路平衡方式的变压器保护原理及相关问题进行分析.