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本文介绍了中国原子能科学研究院建立的准直中子束积分实验装置。该装置利用T(d,n)4He反应产生14.8 MeV脉冲中子束,经1.1 m厚重水泥屏蔽墙上的准直孔道后与样品作用,用飞行时间法测量样品不同方向的泄漏中子谱。首次测量了样品厚度分别为4.5、9、18和27 cm的大块板状聚乙烯样品在30°和50°方向的泄漏中子谱;考虑靶结构、源中子能谱和角分布、脉冲束宽度及探测器效率,利用MCNP程序模拟计算了相同实验条件下的泄漏中子飞行时间谱。实验结果与模拟结果符合较好。 相似文献
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就30MeV回旋加速器上建立快中子治癌装置的几个主要方面,如中子束特性参数、中子屏蔽准直器、中子靶、中子剂量监测及中子治癌控制等进行了可行性的研究。 相似文献
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基于强流氘氚中子源科学装置HINEG设计了一套快中子照相准直屏蔽系统。采用中子输运设计与安全评价软件系统SuperMC和ENDF/B-Ⅶ.0数据库计算了准直中子束的中子能谱及注量率、γ射线能谱及注量率、直射中子注量率与γ射线注量率比值(φd/φγ)、直射与散射中子注量率比值(φd/φs)、准直束中子注量率的不均匀度等特性参数,并采用MCNP5程序进行了对比验证。研究了准直屏蔽系统的内衬材料、尺寸等对特性参数的影响规律,并通过优化获取了最优设计方案。计算结果显示,在同等计算条件下,SuperMC计算结果与MCNP计算结果相对偏差小于1%,准直屏蔽系统的φd/φγ为50.1,φd/φs为5.7,在Φ30 cm视野范围内的中子注量率为4.80×107 cm-2•s-1,其中直射中子注量率为4.09×107 cm-2•s-1,中子注量率不均匀度为5.8%,满足快中子照相对准直束特性参数的要求。 相似文献
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影响中子射线照相性能的主要因素 总被引:2,自引:1,他引:1
唐彬 《核电子学与探测技术》2004,24(4):387-390
中子束注量率及其分布、镉比、准直比、信噪比、成像方式等是影响中子射线照相性能的主要因素,从实验和理论两方面针对这些因素进行了初步分析,并提出了应对技术措施。 相似文献
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《原子能科学技术》2019,(6)
基于强流氘氚中子源科学装置HINEG设计了一套快中子照相准直屏蔽系统。采用中子输运设计与安全评价软件系统SuperMC和ENDF/B-Ⅶ.0数据库计算了准直中子束的中子能谱及注量率、γ射线能谱及注量率、直射中子注量率与γ射线注量率比值(φ_d/φ_γ)、直射与散射中子注量率比值(φ_d/φ_s)、准直束中子注量率的不均匀度等特性参数,并采用MCNP5程序进行了对比验证。研究了准直屏蔽系统的内衬材料、尺寸等对特性参数的影响规律,并通过优化获取了最优设计方案。计算结果显示,在同等计算条件下,SuperMC计算结果与MCNP计算结果相对偏差小于1%,准直屏蔽系统的φ_d/φ_γ为50.1,φ_d/φ_s为5.7,在?30 cm视野范围内的中子注量率为4.80×10~7 cm~(-2)·s~(-1),其中直射中子注量率为4.09×10~7 cm~(-2)·s~(-1),中子注量率不均匀度为5.8%,满足快中子照相对准直束特性参数的要求。 相似文献
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等离子体焦点装置的中子产生机制有两种:热核机制和束-靶机制,热核机制产生的中子是各向同性的,而束-靶机制产生的中子是各向异性的。通过测量焦点装置的中子角分布,轴向中子产额比径向中子产额大1.6~1.8倍,说明本装置中子产生的主要机理为束-靶机制。可以验证焦点装置的中子产生机制。 相似文献