March-Dollase函数在测量YBCO块状样品择优取向度上的应用

1 概述 高温超导体(HTSC)具有层状结构,择优取向(PO)可使样品在超导态承载的临界电流大大提高,所以PO是HTSC结构研究中的一个重要的问题.评估PO度对评价织构样品的特性是非常有用的.测量PO度的经典方法是极图分析,但是极图分析比较复杂,而且需要特殊的设备.     

AlN/Si衬底上ZnO薄膜的择优取向生长

当ZnO薄膜直接沉积在Si衬底上时,由于ZnO与Si的晶格失配度大,不易于获得高质量的ZnO薄膜.因此,选择合适的衬底材料沉积ZnO薄膜,对提高其质量非常重要.本文采用射频磁控溅射法,通过在Si(100)衬底上预沉积AlN作为ZnO薄膜生长的缓冲层,获得了择优取向的ZnO薄膜.我们还讨论了ZnO薄膜在AlN/Si衬底上的取向生长机理.     

热压氮化硅中晶粒的择优取向

本文以 X-衍射分析为主要手段,研究了热压氮化硅的晶粒择优取向生长。发现 β-Si_3N_4的两个主要衍射晶面(210)和(101)的生长与热压方向有关。(210)晶面在垂直于热压方向上具有最大取向度,而(101)晶面则在沿着热压方向的择优取向度最大。二种晶面的衍射强度,从垂直于热压方向到平行热压方向,呈单调变化。X光分析还表明这种取向生长是在相变过程中发生的。     

PI衬底上电沉积Cu薄膜的晶面择优取向

采用硫酸盐电沉积法,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段研究了不同电沉积条件下在PI膜表面制备的Cu薄膜的品而择优取向、平均晶粒尺寸及表面形貌.结果表明,沉积层的晶面择优取向受Cu薄膜厚度和电流密度影响,电流密度较小(0.2 A/dm2)和较大(3.5～5.5 A/dm2)时,电沉积Cu膜分别容易得到(111)和(220)晶面择优取向,较大电流密度有利于晶核的形成,薄膜表面平均颗粒尺寸较小.     

氮化铝压电薄膜的晶面择优取向

采用直流磁控反应溅射方法 ,在Si(111)基片上成功地沉积了表面粗糙度小、组成均匀、以 (10 0 )面和 (0 0 2 )面择优取向的AlN薄膜 ,研究了溅射气压、溅射功率和靶基距对AlN薄膜结构及晶面取向的影响。结果表明 ,溅射气压低 ,靶基距短 ,有利于以 (0 0 2 )面择优取向 ;相反 ,溅射气压高 ,靶基距长 ,则对 (10 0 )面择优取向有利 ;溅射功率过高或过低均不利于晶面择优取向。并从Al—N化学键的形成以及溅射粒子平均自由程的角度探讨了AlN压电薄膜晶面择优取向。     

Ti-N涂层晶体择优取向的电子衍射法研究

对用电子衍射法研究涂层晶体择优取向进行了尝试。首先从晶体电子衍射的基本原理出发从方法上进行探讨,然后用 Ti-N 涂层进行检验,给出了较为精确的结果。并将 X 射线衍射技术作为辅助手段研究了工艺参数对 Ti-N 涂层晶体择优取向的影响。     

冷轧形变量对钛板材再结晶织构形成的影响

采用三维晶体学取向分布函数（ＣＯＤＦ）分析法研究了工业纯钛板材不同冷轧形变量对织构形成的影响。结果表明，冷轧形变量为５０－７０％时，再结晶退火后形成了（２１１８）（０１１０）和（１０１８）（１２１０）的部分纤维织构，而在３０％较低或８６％较高的形变量冷轧时，形成典型的轧制织构（２１１５）（０１１０）和再结晶织构（１０１３）（１２１０）型式。     

高气压下温度对金刚石膜择优取向的影响

采用自主改进的圆柱谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源、反应腔压强30kPa、微波功率6kW、CH4浓度2%,在不同的沉积温度下进行了多晶金刚石膜的制备研究。采用扫描电镜、X-射线衍射技术对所制备样品的表面形貌、物相及晶面取向进行了分析。结果表明,在高气压条件下,沉积温度由800℃升高至900℃时,金刚石膜的表面形貌由(111)晶面择优取向逐渐转向(100)晶面择优取向;沉积温度由900℃升高至1050℃时,金刚石的表面形貌由(100)晶面择优取向逐渐转向(111)晶面择优取向。     

热处理对立方织构Ni-5%(体积分数)W基带上Ag薄膜择优取向的影响

采用磁控溅射法在立方织构Ni-5%(原子分数,下同)W基底上沉积了Ag薄膜作为第二代高温超导带材--YBaCuO涂层导体的导电缓冲层,并通过后期在Ar气氛下热处理使Ag膜具有(200)择优取向.磁控溅射后Ag膜的择优取向为(111),随着热处理温度的升高,(200)择优取向强度增加.采用慢降温工艺即在900℃下恒温30min,然后以较慢的速率10℃/h降至800℃后样品随炉冷却,有利于Ag薄膜由(111)向(200)的择优生长转变.     

择优取向铁电薄膜制备影响因素的分析

制备性能优良、高度择优取向或外延生长、成分均匀、结构可控的晶态铁电薄膜材料，是发展铁电薄膜应用的基础。随着铁电薄膜在微电子学，光电子学和集成光学等领域的应用不断扩大，如何制备高性能的铁电薄膜材料一直称为人们关注的热点。对择优取向铁电薄膜材料制备技术中的主要影响因素进行了分析，希望能为从事此方面工作的研究者提供一定的借鉴。     

定向凝固Tb0.3Dy0.7Fe1.95合金的取向与组织研究

利用区熔定向凝固设备制备了Tb0.3Dy0.7Fe1.95合金,研究了不同定向凝固生长速度下Tb0.3Dy0.7Fe1.95合金的轴向择优取向、晶体的生长方式、结晶形貌的变化规律以及它们之间的关系。结果表明,随着定向凝固生长速度V从低速10μm/s逐步增大到380μm/s,Tb0.3Dy0.7Fe1.95合金的轴向择优取向从〈110〉方向转变为〈311〉及〈110〉、〈211〉、〈533〉多种混合轴向取向,之后又转变为原来的〈110〉方向,当V≥350μm/s后,轴向择优取向变得不明显。在整个过程中出现了2个不稳定过渡阶段,即180μm/s相似文献   

脉冲参数对氨基磺酸盐镀镍择优取向的影响

采用脉冲电镀在氨基磺酸盐镀液中以相同的平均电流密度不同脉冲导通／间歇时间制备镍镀层，用X射线衍射仪(XRD)研究了镀层结构及脉冲参数对镀层择优取向的影响。结果表明，所有镍镀层皆为面心立方结构，在(200)面有明显择优取向；脉冲间歇时间(toff)为9ms时，(200)面的相对取向密度(J200)随脉冲导通时间(ton)的增加而减小；ton为0．1ms时，J200随toff的增加而增大；当脉冲峰值电流密度(ip)大于19A／dm^2时，J200随ip的增大而增大；(200)面择优取向密度受过电位、镍离子的还原速度和氢氧化镍在阴极表面吸附的共同作用。     

渗硼层中择尤取向沿渗层深度的分布

本文研究了碳钢及两种合金钢,经渗硼后渗层中Fe_2B的择尤取向程度与沿渗层深度的分布。研究结果表明:在相同的渗硼条件下(950℃/6h),钢的含碳量及合金元素含量不同,除渗硼层的形态具有众所周知的明显不同外,剥层x射线衍射分析结果表明:1),无论哪种渗层形态,沿方向均有明显的择尤取向;2),渗硼初期生成的Fe_2B是无择尤取向的;3),在层深较厚时,Fe_2B的晶向与试样表面相垂直的择尤取向程度由表面向心部逐渐加大,但在这一加大过程中择尤取向程度是有波动的;4),经第二次渗硼后的试样,Fe_2B的晶向的择尤取向程度较第一次渗硼试样的更大。     

C轴择优取向ZnO薄膜的溅射工艺与结构研究

通过改变直流磁控反应溅射法的工艺条件,同时在玻璃和Si(100)、Si(111)两种硅基底上制备了ZnO薄膜。用x射线衍射方法(xRD和xRC)对薄膜结构性能进行测试表明,这些基底上生长的ZnO薄膜都得到了明显的c轴择优取向和较高的结晶度,硅基底上的薄膜结构性能普遍好于玻璃基底上淀积的薄膜。并对溅射工艺与结构的关系进行了分析。     

Improving All‐Inorganic Perovskite Photodetectors by Preferred Orientation and Plasmonic Effect

All‐inorganic perovskites have high carrier mobility, long carrier diffusion length, excellent visible light absorption, and well overlapping with localized surface plasmon resonance (LSPR) of noble metal nanocrystals (NCs). The high‐performance photodetectors can be constructed by means of the intrinsic outstanding photoelectric properties, especially plasma coupling. Here, for the first time, inorganic perovskite photodetectors are demonstrated with synergetic effect of preferred‐orientation film and plasmonic with both high performance and solution process virtues, evidenced by 238% plasmonic enhancement factor and 10⁶ on/off ratio. The CsPbBr₃ and Au NC inks are assembled into high‐quality films by centrifugal‐casting and spin‐coating, respectively, which lead to the low cost and solution‐processed photodetectors. The remarkable near‐field enhancement effect induced by the coupling between Au LSPR and CsPbBr₃ photogenerated carriers is revealed by finite‐difference time‐domain simulations. The photodetector exhibits a light on/off ratio of more than 10⁶ under 532 nm laser illumination of 4.65 mW cm^?2. The photocurrent increases from 0.67 to 2.77 μA with centrifugal‐casting. Moreover, the photocurrent rises from 245.6 to 831.1 μA with Au NCs plasma enhancement, leading to an enhancement factor of 238%, which is the most optimal report among the LSPR‐enhanced photodetectors, to the best of our knowledge. The results of this study suggest that all‐inorganic perovskites are promising semiconductors for high‐performance solution‐processed photodetectors, which can be further enhanced by Au plasmonic effect, and hence have huge potentials in optical communication, safety monitoring, and biological sensing.     

ZnO薄膜的择优取向生长

ZnO薄膜是一种具有广泛用途的材料,近来成为了研究的热点.高度c轴择优取向是优质ZnO薄膜的重要特点.在已开发的众多生长技术中,磁控溅射、金属有机物气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、电子束反应蒸镀法是生长出高度c轴择优取向优质薄膜的主要方法.介绍了这些方法及其研究进展,同时介绍了目前ZnO薄膜主要研究方面.     

单晶高温合金晶体取向的研究进展

单晶高温合金晶体取向与轴向的偏离已成为单晶叶片的一个重要缺陷.简述了单晶生长过程中在不同界面形态下择优取向的转变规律,以及取向对枝晶形貌和尺度的作用;分析了不同取向晶粒的竞争机制,并展望了晶体取向今后研究发展方向;指出了温度梯度、界面形状、熔体等是影响单晶高温合金晶体择优取向的重要因素.