用途广泛的翠绿宝石激光器

最近美国阿莱德（Allied）化学公司正式介绍了它的翠绿宝石激光器——在近红外区波长连续可调的第一台固体激光器，论证了翠绿宝石激光器的应用范围，认为从半导体退火到激光雷达，从光通讯到光谱学等领域都可能应用。     

880nm同带泵浦的高效率Nd:YVO4自拉曼激光器

利用880 nm半导体激光器同带泵浦声光调Q Nd:YVO4自拉曼激光器,以减轻热效应对泵浦功率的限制和对拉曼增益的影响,获得高效的1 176 nm一阶斯托克斯光输出。使用两块长度10 mm的Nd:YVO4晶体作为增益介质,脉冲重复频率190 kHz时,在26.8 W入射泵浦功率下获得6.11 W的平均输出功率,光光转换效率22.8%。实验研究了拉曼增益介质长度对输出功率和转换效率的影响,并对自拉曼激光器输出功率曲线中出现凹陷的原因进行分析,认为凹陷并非源自谐振腔稳定性,而是由于增益较弱的斯托克斯光对于谐振腔失调的敏感性所致。对照试验结果显示,与808 nm传统泵浦方式相比,880 nm同带泵浦下自拉曼激光器的输出功率和转换效率得到明显提高。     

用途广泛的硅激光器

按照常规,人们认为硅材料是不能成为制作激光器的材料,这是因为它是一种间接带隙半导体.然而,Intel公司最近采用标准的互补型金属氧化半导体(CMOS)技术成功制造出硅波导,并首次验证了基于受激喇曼散射的连续波硅光学放大器和激光器.此项研究成果不仅表明了硅材料可以用作光放大和产生激光的光子材料,而且标志着这一成果是向在单一硅基底上单片集成电子和光子线路发展的里程碑.     

用于光束传能的静电加速自由电子激光器

本文提出使用静电加速自由电子激光器来产生高强度、连续、单模激光辐射的方案，如ＳＥ－ＬＥＮＥ工程所设想的那样用于空间高功率光束传能，利用目前静电加速器技术以及首先为圣巴巴拉加州大学自由电子激光器开发的电子枪和电子收集器光束恢复技术，来讨论两种基本自由电子激光器构造。     

静电摇摆器自由电子激光器的高次谐波分析

讨论了一种静电摇摆器中电子的自发辐射谱和高次谐波的增益 ,其形式与平面磁摇摆器中的类似。这种静电摇摆器可由等离子体流波纹产生。当存在轴向静电力时 ,高次谐波就可能产生     

静电电子工业的隐形杀手

随着科学技术的飞速发展,电子、邮电通讯、航天航空等高新产业的迅速崛起,尤其需求电子仪器仪表和设备等电子产品日趋小型化,多功能及智能化。 高密度集成电路(HIGH DENSITY IC已成为电子工业对上述要求中不可缺少的器件。这种器件具有线间距短、线细、集成度高,运算速度快,低功率,低耐压和输入阻抗高的特点,因而导致这类器件对静电越来越敏感,称之为静电敏感(ESDS)器件。     

电子工业中的静电防护

一、电子工业中静电危害 电子工业中的静电危害大体分为两类：这就是由静电力引起的浮游尘埃的吸附和由静电放电引起的元器件的击穿或伤害。     

采用静电聚束的环形自由电子激光器

本文用线性理论研究了一种采用静电聚束系统和角向摆动场(Wiggler)的环形自由电子激光器,导出了自由电子激光不稳定性色散方程,并从此方程求得了最大自由电子激光不稳定性增长率。文中还就有关问题进行了讨论。     

LD泵浦NYAB自倍频激光器和双波长激光器的实验研究

研制出国内第一台用LD泵浦的NYAB自倍频激光器和双波长激光器。采用直接耦合方式进行端面泵浦。自倍频激光器产生0.531μm的绿色激光,基横模运转,阈值泵浦功率为14.31mW,输出功率达2.2mW,斜效率达2.1％。双波长激光器同时产生0.531μm的绿色激光和1.062μm的近红外激光,基横模运转,阈值泵涌功率力14.81mW,输出功率达9.2mW,斜效率达7％。     

电子企业制造过程中的静电防护研究

随着近几年电子企业制造业的发展,大部分生产企业都已经对静电防护有了一个深刻的认知,静电防护对电子产品的品质与寿命有着重要的影响。首先,从静电防护的管控重点出发,指明了如何在制造过程中以尽可能小的成本投入做到有效的静电防护,并展示了目前电子企业的一些防护现状,包括存在的一些薄弱环节。然后,从静电防护管理的体系和具体的静电管控标准两方面引出了具体的改善思路。最后,结合一家开关供应商的改善具体案例,完整地表述了怎样真正地把静电防护做到位。为静电防护的应用提供了一些实践的方法与启示,期望能引导我国电子企业通过完善的静电防护达到提高电子产品质量的目的。     

电子工业中的静电控制

本文介绍了电子工业中静电控制应该遵循的原则。     

GaAs基大功率激光器静电失效现象的研究

为了判别大功率半导体激光器是否为静电损毁失效,对大功率半导体激光器进行了静电损毁机制的研究。通过测量和表征大功率半导体激光器静电损毁现象,为判别其失效提供有效判据。首先,对GaAs基980 nm大功率半导体激光器(HPLD)分别施加了-200 V,-600 V,-800 V,-1200 V以及+5000 V的静电打击(ESD),每次打击后,测量样品电学参数和光学参数。其次,对打击后的器件进行腐蚀并显微观察其打击后损伤现象。反相ESD后,半导体激光器I-V曲线有明显的软击穿现象,在反向4 V电压下反向1200 V静电打击后漏电为打击的5883854.92倍。正向5000 V静电打击后器件没有明显的软击穿现象,且功率下降很小。在反向ESD后器件腐蚀金电极后表面有明显熔毁现象,正向静电打击后则没有此现象。通过正向静电打击和反向静电打击下器件反应的不同I-V特性和损伤表征,推测正向瞬时大电压大电流下,器件的I-V特性无明显变化,而反向大电压大电流打击会导致I-V曲线出现明显软击穿,功率下降和表面熔毁现象,为判别静电损毁提出了有效判据。     

固体自喇曼黄光激光器研究进展

黄光激光作为激光研究领域的一大热点,取得了丰硕的研究成果及广泛的应用。随着可同时作为激光晶体和喇曼晶体的自喇曼晶体的发展,逐渐掀起了自喇曼黄光激光器的研究热潮。总结归纳了近10年来固体自喇曼黄光激光器的研究进展。按激光器的工作方式将其分成连续式和脉冲式激光器,通过分类比较不同工作方式的激光器各自的优缺点,明确了自喇曼黄光激光器今后的研究趋势是多方法并用。结构紧凑、低阈值等特点使其在生物医疗领域拥有巨大的应用潜力。以后的研究重点更偏向于高转换率、高稳定性、低成本及小型化。该研究报告为后续研究方向提供了参考。     

电子工业中的静电控制程序

本文介绍了导致电子产业中静电危害越发突出的原因，提出并详细论述了建立有效的静电控制程序应该遵循的四项原则。     

电子封装净化间的静电防护及监控

随着电子产品集成度越来越高,器件对静电也越来越敏感,容易受静电放电导致损伤或损坏。文章介绍了静电的产生机理,阐述在生产制造过程中静电产生的来源以及危害。介绍了净化间内部抑制静电产生的三大措施:防止静电荷积聚,建立安全的静电泄放通路,以及采取静电监控设备进行静电监控。提出采用镀锡铜排环绕厂房内部的形式来消除静电防护死角,并重点描述了防静电门禁系统和静电在线监控系统的工作原理及功能实现,结合电子封装厂房结构特点,首次提出防静电门禁系统与风淋门联动控制,有效控制封装厂房的静电来源。