基于SiGe工艺的高增益射频功率放大器

基于0.13μm SiGe HBT工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g频段范围内的高增益射频功率放大器.该功放工作在AB类,由三级放大电路级联构成,并带有温度补偿和线性化的偏置电路.仿真结果显示:功率增益高达30dB,1dB压缩点输出功率为24dBm,电路的S参数S11在1.5～4GHz大的频率范围内均小于-17dB,S21大于30dB,输出匹配S22小于-10dB,S12小于-90dB.最高效率可达42.7%,1dB压缩点效率为37%.     

射频功率放大器的非线性研究

本文提出了一种基于幂级数法(Power级数法)的射频功率放大器的非线性带通模型;并对典型限带信号通过射频功率放大器后的频谱密度进行了分析与计算,对功率放大器的设计及其失真研究具有指导意义.     

基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高线性射频功率放大器

采用0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计应用于无线局域网(WLAN )802.11b/g 2.4 GHz 频段的Class AB 射频功率放大器.该放大器采用两级放大结构,具有带温度补偿的线性化偏置电路.仿真结果显示:电路的输入匹配S11小于-13 dB,输出匹配S22小于-20 dB,功率增益达27.3 dB,输出1 dB压缩点为23 dBm, 最大功率附加效率(PAE)为21.3%;实现了匹配电路、放大电路和偏置电路的片上全集成,芯片面积为1 148 μm×1 140 μm.     

射频功率放大器的建模

提出了运用模糊神经网络对射频功放电路进行建模的方法,模糊神经网络是近年来发展起来的一种新型的网络结构,具有万能函数逼近器的功能,文中用MATALAB中自带的自适应神经模糊系统ANFIS对仿真得到的数据进行建模,并利用得到的模型计算功放的频谱,功率压缩曲线,功率增益曲线,与ADS仿真的结果进行比较,取得了较好的结果,证明了建模方法的有效性.     

电视发射机射频功率放大器的调试

电视发射机射频功率放大器的调试·调试与维护·河南鹤壁市广播电视局刘志学电视发射机末级电子管功率放大器是整机发射功率扩展的关键部位。它工作状态的好坏，直接影响到整机的性能和技术指标。由于该级功率放大器，一般均采用矩形谐振腔（米波）、同轴谐振腔（分米波）...     

射频功率放大器线性化技术研究

在当今社会,随着无线通信技术的发展和应用,人们开始追求高功率效率和高频谱利用率。基于此,高效射频功率放大器、线性调制技术等,都开始得到越来越广泛的应用。但是,经过非线性射频功率放大的包络变化调制信号,时常会产生互调失真的情况,会引发较为严重的临近信道干扰以及码间干扰等问题。对此,在对射频功率放大器进行应用的过程中,应当注重采用线性化技术,以确保良好的通信质量。     

基于时域RF-DNA的功率放大器射频指纹识别

射频(RF)功率放大器是辐射源射频指纹特征产生的关键器件之一,是射频指纹(RFF)产生机理和个体识别的重要突破口。设计一种功率放大器射频指纹提取实验方法,利用时域射频独特原生属性(RF-DNA)方法成功提取了功率放大器的射频指纹,并对RF-DNA指纹进行了可视化处理。研究结果表明,功率放大器的射频指纹主要反映在幅度失真特性上,利用瞬时幅度生成的时域RF-DNA指纹能够实现对放大器个体的分类,在信噪比大于12 dB时,分类正确率在91%以上。可视化后,能直观观察RF-DNA指纹及不同功率放大器之间统计特征的相似性和差异性。     

关于提升射频功率放大器效率的探讨

当前,人们生活离不开手机通信、互联网等现代科学技术,现代社会也正日趋走向智能时代快速发展,而智能时代离不开无线通信技术,功率放大器作为无线通信系统中射频前端重要的核心模块之一,其对通信系统的整体性能有着至关重要的影响,因而得到了人们广泛的重视和研究。如何提升射频功率放大器的效率,一直是科研工作者关注研究的一门课题,搞清楚功率放大器的电路基础,提升放大器的线性度,了解功率放大器的相关技术等才是推进射频放大器的功率的关键所在。     

基于负载牵引技术的射频功率放大器设计

本文描述了微波电路中基于负载牵引技术的WLAN功率放大器的设计方法。笔者采用CMOS工艺设计了两级差分放大电路,并对该差分放大电路进行负载牵引。在此基础上,我们设计了输入输出匹配网络,最后使用ADS软件进行整体仿真。结果表明,在1．8V电源电压下,放大器增益为29dB,1dB压缩点的输出功率为18．3dBm,功率附加效率为16．8％,满足系统指标要求。     

射频E类功率放大器并联电容技术研究

为了使E类放大器工作效率最大,需要得到并联电容的确切数值.分析了含线性并联电容E类放大器的和含非线性晶体管寄生输出电容E类放大器的不同特性,给出了不同的设计方法.指出了E类功率放大器设计过程中分析和计算并联电容的难点,阐述了E类功率放大器中并联电容对电路性能的影响,同时给出了考虑并联电容的E类功率放大器的设计方法.     

CMOS射频功率放大器中的变压器合成技术

设计了一种可在CMOS射频功率放大器中用于功率合成的宽带变压器。通过对变压器的并联和串联两种功率合成形式进行分析与比较,指出了匝数比、功率单元数目以及寄生电阻对变压器功率合成性能的影响;提出了一种片上变压器的设计方法,即采用多层金属叠层并联以及将功放单元内置于变压器线圈中的方式,解决了在CMOS工艺中设计变压器时面临的寄生电阻过大及有效耦合长度不足等困难。设计的变压器在2～3 GHz频段内的损耗小于1.35 dB,其功率合成效率高达76%以上,适合多模多频段射频前端的应用。     

基于谐波平衡法的射频功率放大器分析与仿真

随着射频频段的不断提高,功率放大器表现的非线性现象越来越严重。为了实现在大功率作用下快速方便地分析和设计射频电路,介绍一种射频功率放大器的分析与仿真方法：谐波平衡法。在ADS2002仿真环境下,利用谐波平衡法对一种LDMOS器件的非线性参数进行了单音和双音频率下的仿真,通过对仿真结果的分析,突出显示了在大功率作用下,谐波平衡法在设计与研发射频电路方面的优势。     

可重构多波段射频功率放大器设计

在未来通信系统发展中,多波段多模式的射频功率放大器具有很大的应用前景。在众多解决方案中,利用可重构器件实现的可重构多波段射频功率放大器最具优势。利用PIN二极管的单向导电性,提出了基于PIN二极管开关的可重构多波段功放的设计思路。介绍了可重构器件的仿真设计,并进行了实际测试。在1 750 MHz、2 100 MHz和2 600 MHz频点设计了可重构多波段功放电路,并做了仿真测试。为验证仿真设计的准确性,完成了实际电路板制作和功放的调试工作。实验测试结果表明,提出的设计方法可行并达到了设计指标,对今后的研究工作具有重要的指导意义。     

射频功率模块的热性能分析

随着高密度电子组装技术的不断发展,电子设备的体积越来越小,而功率却越来越大。热功耗的显著增加将对半导体芯片的正常工作产生很大的影响。对装有功率放大器芯片的射频模块热性能进行了分析,提出了有效热控制的解决方法,为射频功率模块的可靠、稳定工作提供了保障。     

射频功率放大器的自适应前馈线性化技术

介绍了射频功率放大器的自适应前馈技术以及几种自适应前馈控制方法．并利用梯度法时射频功率放大器进行自适应前馈调整．使其线性度得到明显改变。     

一种基于双查找表自适应预失真结构的射频功率放大器线性化方法

同其它使用简单函数实现数据查找表索引的自适应预失真结构不同，本文采用专门的地址查找表来实现数据查找表索引，组成了双查找表结构的自适应预失真器。仿真结果表明，采用本文方法可以使得射频功率放大器对相邻信道的干扰得到25dB以上的性能改善。     

基于包络检测的射频功率放大器平均效率提高技术

提出了一种基于包络检测的射频功率放大器平均效率提高技术。该技术通过片上集成的包络检测器检测输入信号强度,通过动态配置功率放大管的尺寸,并调节输出阻抗匹配网络优化负载阻抗,提高功率放大器在低输出功率下的效率,达到提高功率放大器平均效率的目的。电路采用0.18 μm CMOS工艺实现,后仿真结果表明,在高输出功率模式下,该射频功率放大器的输出1 dB压缩点为18.05 dBm,PAE为30.2%;在两档低输出功率模式下的输出1 dB压缩点分别为14.9 dBm和11 dBm,PAE分别为24.11%和17.1%。     

射频电磁场辐射抗扰度系统中的功放选择

功放选择是射频电磁场辐射抗扰度测试系统设计中的重要一环.分析整个系统中各部件工作时的实际损耗,总结出选择功放的方法;通过实例,介绍如何选择与设计要求相符的功放.