导电聚合物PEDT对固体钽电解电容器性能的影响

采用具有高导电率(1~500 S/cm)、热稳定性好的导电聚合物 PEDT(聚 3,4-乙烯二氧噻吩)取代 MnO)_2,在固体钽电解电容器芯子上制作 PEDT 阴极层。主要研究了化学聚合条件对电容器性能的影响,结果显示聚合温度对电容器的损耗有一定的影响;氧化剂与单体的体积比保持在 3~6 范围内有利于降低 Res值,达到 0.02~0.08 Ω,并改善了钽电容器的频率特性。     

二步聚合工艺在固体钽电容器生产中的应用

采用二步聚合工艺,在固体钽电解电容器阳极体上被覆具有高电导率、热稳定性好的导电聚合物PEDT(聚3,4-乙烯二氧噻吩)取代了MnO2阴极层,研究了工艺参数对电容器性能的影响。结果显示:电容器的tanδ和Res随聚合温度增加而增加;低含量的氧化剂(质量分数20%)有较好容量引出效果,高含量的氧化剂(对甲基苯磺酸铁正丁醇溶液)(40%)可以有效增加电容器外层聚合物的沉积。     

导电聚合物BAYTRON~R及其在固体电解电容器上的应用

介绍新一代导电聚合物——聚乙烯二氧噻吩 (3,4- Polyethylene dioxythiophene,简称 PEDT)的主要特点 ,分析了其对固体电解电容器等效串联电阻、高频特性等性能的影响。PEDT将是今后开发新一代高频固体电解电容器的重点研究领域     

导电高分子钽电解电容器的研究进展

综述了导电高分子钽电解电容器的最新研究进展。比较了导电高分子钽电解电容器和二氧化锰钽电解电容器在结构、制造工艺和性能方面的差别。还介绍了聚吡咯(PPy)、聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)和聚苯胺(PANi)钽电解电容器的研究状况。导电高分子膜的形成工艺对钽电解电容器性能影响很大。改进和开发新型阴极材料是降低钽电解电容器等效串联电阻Res的重要途径。     

热处理对钽芯及钽电容器电性能的影响北大核心CSCD

在实际使用过程中,钽电容器常因电容量、损耗和漏电流发生漂移而失效。为了改善钽电容器的电性能稳定性,系统研究了在空气环境中热处理对形成后的钽芯及钽电容器电性能的影响。采用阳极氧化法在烧结后的钽块表面形成Ta_(2)O_(5)介质氧化膜,然后对阳极钽芯进行热处理。研究结果表明:热处理对钽芯的击穿电压和漏电流传导机理无明显影响;热处理后的钽芯表面Ta_(2)O_(5)介质氧化膜的微观形貌未发生明显变化;经过适当热处理且补形成后的阳极钽芯的漏电流及所制备的钽电容器电容量稳定性、损耗和漏电流均得到了明显改善;合适的热处理工艺为300℃/45~60 min。     

有机固体电解质钽电容器的失效机理及预防措施

有机固体电解质钽电容器具有等效串联电阻(Res)小,温和的失效模式和高频特性好等特点,在很多电子信息领域都显示出独特的优势。结合传统钽电解电容器的失效机理和大量的统计实验结果,对有机电解质钽电容器的失效模式进行了详细分析,指出了介质氧化膜的晶化及导电聚合物膜层失效是导致有机钽电容器失效的主要因素,并提供了相应的解决方案,为高可靠性片式有机钽电容器的生产提供了技术支撑。     

超薄型钽浆阳极电容器的制备及性能分析

高体积效率、超薄型化是实现钽电容器进一步小型化的有效技术途径，基于丝网印刷技术，提出了一种新的钽阳极制作方法，即首先将高比容钽粉制成浆料，然后印刷在钽箔上进行高温烧结作为电容器的阳极片，接着利用传统的阳极氧化方法生成五氧化二钽(Ta2O5)作为电容器的电介质，并通过多次浸渍硝酸锰、高温热分解循环被覆二氧化锰(MnO2)作为阴极材料，该方法制备的电容器其钽芯厚度最薄可以达到 0.2ｍｍ，体积效率相比传统技术提高了30％，而且经过 125℃、2000ｈ寿命测试，试 验样品各项电性能参数稳定，基于丝网印刷工艺技术制造钽浆阳极的方法将加速钽电容器小型化和薄型化的发展。     

100 mF·V/g钽粉在片式钽电容器上的应用研究

通过对100mF·V/g钽粉电性能研究,及对成型、赋能、被膜关键工序进行研究,用此钽粉生产出两种代表规格的钽电容器6.3 V 10μF(S)、10 V 47μF(B),同时确定了钽粉的适用范围为16 V和16 V以下的钽电容器.     

提高钽电容器可靠性的一种新老化方法

通过对钽电容器自愈机理的研究,针对传统老化方法不能彻底剔除电介质有缺陷的钽电容器的缺点,提出一种新的老化方法并对多种钽电容器进行老化实验。新方法可以有效识别并100%剔除电容器不良品,钽电容器生产率提高了50%,钽电容器失效率达到0.1%/(1 000 h),可靠性提高。经验证,这种新老化方法适用于固体电容器、片式钽电容器、聚合物钽电容器和液体钽电容器等多种元件的老化筛选。     

基于片式固体钽电容器标准变更的质量风险管理

片式固体钽电容器新版国军标GJB2283A—2014《片式固体电解质钽固定电容器通用规范》相对于GJB2283—1995《有可靠性指标的片式固体电解质钽电容器总规范》,在增加宇航级质量等级(T级)及其相关要求的同时,还给出修改再流焊条件和浪涌电流条件的试验方法及要求,这对片式固体钽电容器研制过程的质量风险管理提出了新的要求与挑战。通过分析片式固体钽电容器标准变更的重点项目,研究制定质量风险检查表,为研制单位的质量风险管理提供指导和借鉴。     

高介电性纳米复合氧化膜的研究

首次在溴的丙酮溶液中,以钽作阳极,多孔型氧化铝为阴极,通过直流电沉积方法制备Ta/Al2O3复合氧化膜。结果表明:阳极钽在阴极氧化铝的表面和多孔结构内部均有沉积,并以纳米结构与多孔氧化铝结合生成复合氧化膜。     

高频固体钽电解电容器电性能与钽粉

对高频固体钽电容器应特别关注高频阻抗、电感量、等效串联电阻、纹波电流等参数。研究这类电容器电性能参数与钽粉性能的关系表明：当前对钽粉应以提高化学纯度、增多品种和规格、改善性能,以满足制造不同用途的电容器的需要     

Hafnium tantalum nitride resistive sea for the silicon diode-array camera tube target

A new material has been developed as a resistive sea for the silicon diode-array camera tube target. The material is prepared by reactive sputtering of a hafnium tantalum cathode in a nitrogen atmosphere. By adjusting the relative amounts of hafnium and tantalum in the cathode or by changing the sputtering parameters, the resistivity of the hafnium tantalum nitride sea may be optimized. The nitride may be heated to 350°C during camera tube bakeout with no degradation in performance. By controlling the film deposition conditions, electrostatic focus camera tubes have been made with excellent aging, dark current, lag, and resolution characteristics.     

高比容钽粉在电容器中的应用

优化了高比容钽阳极的烧结温度和压制密度,改进了氧化膜形成和被膜等工艺,最终解决了产品击穿电压低、阴极被膜不良等问题。产品的额定电压为4～16V、标称容量为10～100μF,各项指标均达到行业标准,成品合格率达到80%以上。产品容量约增加一倍、产品尺寸缩小一个壳号。     

最小的大容量电容器——Evans混合电容器

介绍了一种由钽阳极、Ta2O5介质、液体电解质和RuO2阴极组成的高能量密度电容器——Evans混合电容器 (Evans Hybrid capacitors)。它具有与电化学电容器相当的能量密度和比电解电容器更完善的交流特性。单元工作电压达215 V。目前已实现了用改进封装技术将若干个该类电容器并联封装在同一外壳内。给出了50 V,18 mF混合电容的性能数据。