大连圣迈7N系列超纯气体纯体装置

大连圣迈化学有限公司主要致力于高纯氮、氢、氩、氧、氩、氦、乙烯、丙烯等气体公司的气体终端纯化;电子材料气,MOCVD,半导体和LCD等气体纯化系统;高纯气体供应设施的安装和建造;超纯气体纯化装置;变压吸附装置。     

电子级高纯气体输送系统

从系统设计角度,论述了电子级高纯气体输送系统的主要设备,气体纯化器选型,输送管道、管件和阀门的材料和型式,安装施工验收的技术指标,以及微量污染的来源及控制措施等。     

使用点气体纯度保证技术

气体纯度仍然被认为是一个主要的工艺变量;只是在目前通过一种新的纯化方法的实际采用,使得使用点气体纯化处理得到了广泛认可。     

不需激活复合型常温吸气剂技术

本文介绍几种用于常温、102～10-2Pa真空度条件下以及气体纯化领域的吸气剂。这些吸气剂具有不需要激活,在空气中有一定稳定性,在中低真空环境中吸气容量大等特点。这些吸气剂技术有别于常用的传统蒸散型钡吸气剂和非蒸散型吸气剂（需要一定的激活条件）。在某些特殊的无激活条件的真空领域,利用多种吸气剂技术组合,有效吸收多种或定向吸收某种气体,从而达到维持真空或纯化气体的作用。其显著特点就是无激活过程,并可以短时间内暴露在于燥空气中,在真空绝热板、气体纯化、大型工业杜瓦等领域具有广泛的应用。     

高纯气体供应系统的杂质污染及防治

高纯气体的杂质污染,对电子产品生产来说,主要是指各种产品所需高纯气体中的微量气态杂质,如一氧化碳、二氧化碳、碳氢化合物和各种工序不需要、且有害的气态杂质,微量水份、微粒、金属离子等。     

高纯、高洁净气体输配管道的配管技术

文章以设计规范为基础,从理论与实践的结合上,阐述了高纯、高洁净气体管道的正确设计、施工与管理方法。及时总结经验或教训,对从事高纯、高洁净气体的专业人员,具有一定的参考价值。     

浅谈洁净室内高纯气体管道施工

洁净厂房中各种产品的生产过程需要各种不同的高纯气体,对气体的品质要求越来越高。必须了解、掌握如何有效地控制施工过程、如何提高高纯气体管道的安装质量、如何检测高纯气体的品质。介绍个人在安装施工过程中积累的一点心得,供同行参考。     

洁净厂房内气体管道的技术措施

内容涉及洁净厂房内高纯气体系统的管道合理设计，正确施工安装及科学运行管理等技术措施。     

气体中微量氢快速分析法的研究及其应用

一、前言 在电子工业常用的高纯氧、氮、氩等气体中,氢是主要的杂质之一,国内外标准中规定氢杂质含量低于1PPm,因此微量氢的测定是很重要的。在医学上临床应用的氢呼吸试验中,微量氢测定也是关键。用于气体中微量氢测定的气相色谱检测器有热导、氦离子化、放电等。这些检测器均要求使用高纯载     

909工程超大规模集成电路厂房高纯气体管道的应用

简述909工程高纯气体管道系统设计中气体管道材料的选用,及设计对管道的施工安装,试压及验收的要求。     

高纯气体中微量一氧化碳,甲烷,二氧化碳的气相色谱测定

气体中微量一氧化碳、甲烷、二氧化碳的测定,大多用灵敏度较高的氢焰离子化检测器(FiD)。随着半导体工业的发展,大规模集成电路的生产对高纯气体中一氧化碳、甲烷、二氧化碳的检测,提出了更高的要求。然而,对氢焰离子化检测器,随着灵敏度的提高,噪音明显增高,基线达到稳定需要较长的时间。我们采用液氮冷阱冷却载气,基线不仅能很快达到稳定,而且在高灵敏度时,噪音显著降低。长期测定结果表明,这一方法是完全可行的,能够满足集成电路生产对高纯气体中微量一氧化碳、甲烷、二氧化碳检测的需要。     

高纯气体输送系统的设计施工及管理

高纯气体的输送系统应该包括制造厂的充灌装置,贮存容器(钢瓶或贮槽),运输槽车,直到使用单位贮存设备、传输管道系统直到炉前管路,亦即凡与高纯气体相接触的一切设备、管路、仪表、阀门等。因为高纯气体     

二氯二氢硅终端纯化器的研制

采用化学改性的吸附剂和络合剂，能够有效地除去气体中的金属和硼、砷、磷等非金属杂质。纯化后的气体经气相色谱分析表明，化学改性的吸附剂和络合剂对二氯二氢硅无歧化作用。     

超净气体输配管道的施工验收技术

本文作为“高纯、高洁净气体输配管道的配管技术”一文的延续和补充。文中进一步阐述超净管道的配管标准，终端过滤器的真正功效和，严谨的施工保障措施，以及验收的检测方法等细节问题，为设计、施工人员提供一个良好的借鉴。     

高纯气体中痕量金属杂质的测定

本工作深入研究了高纯氮、氢、氯化氢、氨、硼烷、硅烷、砷烷及磷烷中钼、钙、铬、铜、铁、钾、锰、钠、铅和锌十种常见金属杂质的测定方法,解决了易燃、易爆及剧毒气体的取样,溶液的吸收条件及基体分离等问题.建立了无火焰原子吸收光谱法测定ng·g~(-1)量级的杂质,方法灵敏,简便,对生产及研制工艺将起积极的指导作用.     

激光法纳米硅粉的制备工艺研究

本文研究了制备纳米硅粉的工艺参数：获得了最佳工艺参数：激光功率密反１６００Ｗ／ｃｍ２，硅烷浓度１０％，高纯氩稀释，反应气体流量１００ｃｍ３／ｓ，反应池压力２６．７ｋＰａ。改变工艺参数可制备不同粒度的纳米硅粉。     

半导体工业中的化学气体

近年来半导体工业的飞速发展,推动了各个产业部门的技术进步.同时它又是各种高新技术综合发展的结果,特别是依赖于高纯水、高纯气、高纯试剂和洁净技术的发展.半导体工业中使用的化学试剂品种相对较少,而高纯水制备技术已基本成熟,所以本文重点介绍化学气体方面的情况.     

基于非分散红外法的二氧化碳浓度检测综述

二氧化碳(CO₂)是温室气体的重要组分之一,实时检测其浓度变化对缓解温室效应等方面具有非常重要的意义。非分散红外(Non-dispersion infrared, NDIR)法具有稳定性好、响应速度快、测量范围宽等优点,广泛应用于便携式气体检测等领域。首先分析了NDIR法应用在CO₂检测领域的优点,并对NDIR检测原理进行了简单的概述。然后对NDIR气体分析仪的基本结构进行了详细阐述,并对测量系统的经典气体标定方法进行了综述。最后综合分析了NDIR的特点,并展望了未来的发展趋势。     

一种高纯气体微量水微量氧自动检测装置

介绍了一种具有实时在线测量功能的高纯气体微量水微量氧自动检测装置,详细阐述了该装置的结构组成和性能特点,包括装置的硬件系统、软件系统、主要技术指标及研制过程中解决的关键技术和创新点。实践表明,此微量水微量氧自动检测装置成本较低、性能稳定可靠、精度较高,实现了小型化、自动化和智能化。     

大流量超纯氢气纯化设备制造技术

超纯氢气（大于6N）是半导体硅外延等工艺必备的工艺气体。文章介绍了利用超低温吸附的方法提纯大流量超纯氢气的工作原理，设备制造中的关键技术问题及难点，以及利用该技术制造的大流量超纯氢气纯化设备的使用效果。