新型噻吩单体的合成与电化学聚合

以3,4-二溴噻吩(DBrT)为原料,通过亲核取代和醚交换反应制备了带有羟基的双烷氧基取代噻吩,再采用开环-取代反应引入磺酸官能团,得到新型取代噻吩单体EDOT-S。采用红外光谱、紫外光谱和核磁共振氢谱、碳谱对此单体进行了表征。采用循环伏安法进行电化学聚合制得PEDOT-S,该聚合物的氧化电位和还原电位分别为442mV和371mV(vs.SCE)。PEDOT-S膜具有可逆的电致变色性能,在氧化态呈蓝绿色,还原态呈紫红色。     

导电高分子聚噻吩衍生物的研究进展

聚噻吩是研究最为广泛的功能高分子材料。介绍了烷基取代、带支链和杂原子取代的各类聚噻吩衍生物的结构和合成方法 ,以及其作为新型的导电高分子材料的电光学性能和应用研究     

溶液混合与界面渗透法制备聚噻吩衍生物/聚酰亚胺导电复合材料的研究

本文介绍了高分子溶液混合与界面渗透法制备导电高分子复合材料的方法并对复合材料的结构和性能进行了表征.十二烷基取代聚噻吩四氢呋喃溶液与聚酰亚胺酸N-甲基吡咯烷酮在一定时间界面的互相渗透,十二烷基取代聚噻吩可嵌入聚酰亚胺酸层中.在溶剂挥发后,用化学或加热的方法进行酰胺化而得到稳定的导电高分子复合膜.表面电阻率、热失重及扫描电镜分析表明,与溶液混合法相比,界面渗透法制备的复合材料具有良好导电性能和稳定性.     

两种聚噻吩类新型电致发光材料的合成与性能

报道了以无水FeCl3为催化剂合成异戊基取代和戊氧基取代聚噻吩的实验过程,两种聚合物稀溶液和薄膜的光发射、光吸收性能和用这两种材料作发光层制作的发光二极管的光电性能的初步研究结果.两种聚合物均具有较高的纯度和分子量.两种材料均显示了较好的发光性能,其电致发光颜色均为红橙色.烷氧基取代聚噻吩均聚物电致发光性能在学术界尚属首次发现.     

噻吩类电致发光材料的能级结构及光电性能研究

用循环伏安法测试了一系列噻吩类聚合物和单体的氧化还原电位,确定了系列化合物的能级结构,比较了主链上不同取代基团及形成共聚物对聚合物能级和光电性能的影响,为高性能发光器件的制作提供了依据.结果表明,随着噻吩环3位取代烷基碳链的增长,单体带隙减小;形成聚合物有利于降低带隙;通过共聚方式引入聚合物主链的噁二唑吸电子基团可以改进其电子传输性能.     

导电高分子聚噻吩及其衍生物的研究进展

介绍了无取代、烷基取代和杂原子取代的导电高分子聚噻吩等衍生物的结构、单体的制备,概述了聚噻吩的化学聚合、电化学合成方法以及近几年新兴的紫外辐射及微波辐射促进合成方法,综述了聚噻吩作为新型的功能高分子材料的合成研究现状及发展前景。     

基于芴和噻吩的共轭聚合物的固相合成及其表征

通过Stille偶合反应合成了2,7位二噻吩基取代的新型芴类衍生物并首次应用固相聚合法合成出聚-2,7-二噻吩基芴.在25℃测得聚合物的特性粘度为0.68dl/g.通过核磁共振(1H-NMR)、红外光谱(FTIR)对单体和聚合物的结构进行了表征确认,同时研究了聚合物的光学、结晶态形貌及热学性能.研究发现,2,7-二噻吩基芴在研磨过程中发生了聚合反应且其偶合发生在e,e′位置.     

末端为噻吩基团酯类化合物的合成、表征及液晶性能研究

以噻吩甲醛、对氨基苯甲酸、溴丙烷、对羟基苯甲酸为原料,经过醚化反应、希夫碱反应、DCC/DMAP酯化反应合成了噻吩衍生物液晶。化合物的结构由红外光谱、核磁共振氢谱进行了表征,噻吩衍生物的液晶性能用偏光显微镜进行了研究。结果表明:以噻吩为末端的化合物在升温和降温过程中均表现出很好的向列相液晶性能;特别是在降温过程中表现出较低的结晶点和更宽的液晶相温度范围。     

聚噻吩乙炔的合成及其导电性

对在水和甲醇－水混合介质中合成的聚噻吩乙炔（ＰＴＶ）前聚物（ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ ｐｏｌｙｍｅｒ）的结构和性能进行了研究。不同聚合介质条件对单体转化率及前聚物的产率有一定影响。不同取代侧基影响ＰＴＶ前聚物的溶解性和热处理性能。并对ＰＴＶ膜碘掺杂后的导电率进行了初步研究。     

聚噻吩/碳纳米管复合材料的制备与性能研究

利用原位化学氧化聚合法将噻吩单体原位聚合包覆在碳纳米管上,制备出聚噻吩/碳纳米管(PTh/CNT)复合材料,并对其形貌、结构、电性能和热稳定性等进行了初步的研究.研究结果表明聚噻吩包覆在碳纳米管上形成以碳纳米管为核,以聚噻吩为壳的核壳纳米线结构.加入少量的碳纳米管就能显著改善导电聚合物的电性能和热性能.碳纳米管的加入没有改变聚噻吩的主链结构,对聚噻吩的结晶状况也没有产生很大的影响.