IR推出超小型优化DirectFET MOSFET芯片组

功率半导体厂商国际整流器公司(IR)日前推出超小体积的控制和同步MOSFET芯片组,适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能要求的VRM10.x大电流同步降压转换器。 最新IRF6608控制MOSFET的典型通态电阻(R_(DS(on)))为8.5毫欧,IRF6618同步MOS-FET的典型通态电阻则为1.7毫欧,两者均采用IR的DirectFET封装。     

IR展示超小型DirectFET MOSFET

功率半导体公司——国际整流器公司(IR)9月推出了超小体积的控制和同步MOSFET芯片组,适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能要求的现有及新一代VRM10.x大电流同步降压转换器。最新IRF6608控制MOSFET的典型通态电阻 (RDS(on))为8.5mW,IRF6618同步MOSFET的典型通态电阻则为1.7mW,两者均采用IR的DirectFET封装。IRF6608的体积较标准SO-8封装小一半,它是首项采用崭新双面冷却、表面贴装式DirectFET“S”封装的HEXFET MOSFET。器件仅高0.7mm,远小于SO-8封装的1.75mm。与市场上的同类控制MOSFET产品相比,IRF6…     

IR DirectFET MOSFET芯片组使功率密度翻番

对主板设计者来说最需要解决的是散热问题,DC-DC转换器对电流、功率密度要求日益提高,以及英特尔公司CPU电压调整模块(VRM)规格发展的推动,供应商不断加紧新一轮功率MOSFET的研发,推出革命性的崭新工具。国际整流器公司(IR)近日推出超小体积DirectFET MOSFET芯片组──IRF6608、IRF6618,分别为控制和同步MOSFET,适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能要求的现有及新一代VRM10.x大电流同步降压转换器。IRF6608封装体积仅有SO-8封装的一半,由于采用专利的钝化技术,封装高度只有 0.7mm,远小于SO-8封装的1.75mm,是首…     

IR全新30V DirectFET同步MOSFET-IRF6612 30V

功率半导体供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出了全新IRF6612 30V同步MOSFET,新器件采用IR专有的表面贴装DirectFET封装.IRF6612兼具低导通电阻(4.4mOhms@VGS=4.5V)和低封装电感,体现最佳性能组合,可用作非隔离直流-直流转换器中的同步整流器,大幅提升笔记本电脑和服务器的效率.IRF6612还可用于隔离式直流-直流转换器的付边同步整流,适用于网络及通信领域.     

元器件与组件

小体积的BiCMOS逻辑器件//高效率的双极晶体管//D类音频DirectFET MOSFET//低导通电阻的同步整流MOSFET//NAND闪存采用BGA封装     

IR新型DirectFET MOSFET转换器芯片组

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出新款20V DirectFETMOSFET同步降压转换器芯片组———IRF6610和IRF6636。据称这款小型罐式DirectFET MOSFET对性能相当于一对SO-8MOSFET,但体积却减小了40%,特别适合对尺寸、效率和热性能有重大要求的高频负载点(Point-of-l     

IRF6708S2和IRF6728M DirectFET MOSFET芯片组

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出了IRF6708S2和IRF6728M 30 V DirectFET MOSFET芯片组,特别为注重成本的19 V输入同步降压应用(如笔记本电脑)而设计。     

IR针对高频率DC-DC开关应用新推25V DirectFET芯片组

国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）推出IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET MOSFET芯片组．为12V输入同步降压应用（包括服务器、台式电脑和笔记本电脑）提供最佳效率。     

25VDirectFET芯片组为高频率DC—DC开关应用带来业界领先效率

国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）推出IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET MOSFET芯片组．为12V输入同步降压应用（包括服务器、台式电脑和笔记本电脑）提供最佳效率。     

IR推出DirectFET MOSFET芯片组专为注重成本的DC-DC应用而设计

国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）推出了IRF6708S2和IRF6728M30V DirectFET MOSFET芯片组,特别为注重成本的19V输入同步降压应用（如笔记本电脑）而设计。IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可减少部件数量达30%,大幅降低了整体系统成本。     

效率高达95%的200V DirectFET MOSFET

国际整流器公司(IR)新推出的200V DirectFET器件是应用于专为36V～75V通用输入范围内操作的隔离式设计DC/DC转换器。其超低的51mΩ典型10V导通电阻RDS(on)及减低了的栅极电荷,使IRF6641TRPbF特别适合应用于高效同步整流MOSFET、推动大电流负载     

IRF711W/IRF7822高效HEXFET功率MOSFET

由IR公司(国际整流公司,International Rectifier)研制出的IRF7811W/IRF7822两款新型HEXFET功率MOSFET将降压式及隔离式直流-直流拓扑结构的效率提高了3%。采用新型带状沟槽工艺,能去耦器件导通电阻及电容,成功解决了要求极低导通电阻及栅电荷的功率MOSFET的制造问题。 IRF7811W控制场效应管及IRF7822同步场效应管,能使高电流降压变换器拓扑结构的元件数量减少25%～50%。而且能在更低温度下运行直流-直流变换器,还大大提高了功率密度。 在输入电压为12V、输出电压为1.4V、每管脚工作频率为700kHz的多相降压变换器中,可改善效率达3%,还大大减少了元件数量。将两个并联的IRF7822作为同步场效应管,两个IRF7811W作为控制场效应管,可在SO-8封装MOSFET中获得每管脚35A的输出电流。 在集成电路驱动的拓扑结构中,同时采用IR最新的IRF7822同步MOSFET及IR1176同步整流集成电路,隔离式变换器可在40A及1.5V输出电压环境下,并实现了85%的效率。     

电源技术

国际整流器公司(IR)推出200V额定IRF7492及150V额定IRF7494HEXFETN沟道功率MOSFET,成功地把器件通态电阻减低高达56％。与市场上同类器件中相应通态电阻的电荷值相比,新器件的栅漏电荷减低达50％。若在典型的150W正激转换器应用中,以IR新一代SO-8 IRF7492或IRF7494取代业界标准SO-8器件,效率可提升0.5％,这将使器件结温降低15℃～20℃。新MOSFET专为正激或推挽式功率     

NS推出100V半桥式PWM控制器LM5035

国际整流器公司（IR）近日推出IR3084和IR3084U两款XPhase控制IC，延伸了XPhase可扩展多相转换器芯片组产品。新的IC能与IR3086A相位IC和IRF6617、IRF6691等DirectFET功率MOSFET配合使用，在130A的应用中实现7相位，可比5相垃的设计提高3％的工作效率。     

面向动态ORing和热插拔应用的MOSFET

IRF6718在新款大罐式DirectFET封装中融入了IR新一代硅技术，可提供极低的通态电阻（在10V Vgs时典型值为0．5m（2），同时kgD2PAK的占位面积缩小60％，高度缩小85％。新器件大幅减少了有关旁路元件的传导损耗，     

IR推出最新型200V DirectFET MOSFET效率高达95％并可大幅节省占位空间

全球功率半导体和管理方案供应商-国际整流器公司（International Rectifier．简称IR）日前推出了一款IRF6641TRPbF功率MOSFET，这种采用IR标准的DirectFET封装技术结合IR最新的200 VHEXFET MOSFET硅技术的新器件可实现95％的效率，并可大幅节省占位空间。     

IR推出应用于高频率DC-DC开关的25VDjrectFET芯片组

国际整流器公司（简称IR）推出IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET MOSFET芯片组，为12V输入同步降压应用（包括服务器、台式电脑和笔记本电脑）提供最佳效率。     

电源管理

英飞凌推出兼具超结技术和传统高压器件优势的MOSFET英飞凌科技股份公司推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)600V CoolMOS C6系列。有了600V CoolMOS C6系列器件,诸如PFC(功率因数校正)级或PWM(脉宽调制)级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻(例如采用TO-220封装,电阻仅为99毫欧)     

新产品新技术

功率半导体专家国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出突破性表面贴装功率MOSFET封装技术——DirectFET(双侧直焊)功率封装。它是为高效顶侧冷却而设计的首个SO-8占位的表面贴装封装。 全新封装结合经改善的底侧冷却技术,与SO-8型解决方案相比,可作双面冷却,减少多达60％的MOSFET元件数目,并缩减多达50％的主板空间,从而有效地将电流密度(A/in2)提高一倍。 双面冷却的 DirectFET 芯片组结合一对 MOSFET,     

IR推出新型HOSFET

国际整流器公司（IR）日前发布了最新的HEXFET系列N沟道型功率MOSFET,该产品具有较低的通态电阻（RDS（on））,采用TO-247封装,其典型应用包括：同步整流、有源ORing、大功率直流电机驱动,直-交逆变器、电动工具等。