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讨论了国产和进口超突变结构容二极要质浓度分布和n值,提出了提高国产超突变结变容二极管性能的措施。 相似文献
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在改进的超突变结变管掺杂分布模型的基础上,对超突变结的雪崩击穿电压进行了理论研究,并用二分法得到了通常实用范围的Vb,No数据表;同时用牛顿迭代法进行了数值求解,得出了归一化的C-V和W-V数据表。 相似文献
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评述当前变容二极管的新动态,如大电容比、双离子注入、嵌入到调谐器中、多管芯化、超小型化、低电压化和应用多样化等。 相似文献
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一种新的超突变结电容电压方程 总被引:3,自引:1,他引:2
本文对超突变结构变容二级管进行了深入的研究,在改进的杂质分布模型基础上,推出一种新的超突变结构电容电压特性方程,方程中的主要参数与实际工艺参数一致,解决了以在模型这方面的不足。 相似文献
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新模型基础上的超突变结变容管容压变化指数 总被引:1,自引:0,他引:1
在一种新改进的超突变结变容管杂质分布模型的基础上,对变容管的容压变化指数n与器件的材料和工艺参数之间的关系进行了研究,根据导出的关系进行了数值计算,并绘出实用的关系曲线图。 相似文献
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用MOCVD生长了用于GaAs变容二极管的结构材料。分别用SiH_4和CCl_4作为掺杂剂对GaAs进行n型和p型掺杂,找到了适合高质量变容管材料的方法.材料用于器件制作,得到了反向击穿电压大于25V、电容变化比大于40的变容管。 相似文献
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采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管--Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si:H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I-V,C-V,G-f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于单晶硅线性缓变异质结的电容变化系数,正向导电机制符合隧穿辅助辐射-复合模型,这是nc-Si:H层中nc-Si晶粒的量子效应所致;反向电流主要由异质结中空间电荷区的产生电流决定,且反向漏电流小,反向击穿电压高,表现出较好的整流特性. 相似文献
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通过建立一种超突变结变容二极管的杂质浓度分布模型,并基于求解一雏泊松方程、雪崩击穿条件方程和电阻计算公式,推导了该模型的C-V特性、VBR、Rs和Q值,设计了用于分析该模型的模拟软件,阐述了模拟软件的运行流程.基于该模型和模拟软件,采用外延-扩散的方法研制了一种硅超突变结变容二极管,采用C-V法测量了外延材料的杂质浓度分布,结果表明材料的浓度分布与模拟结果相符.研制的变容二极管的主要参数:击穿电压VBR为50~55 V;电容变化比(C_4v/C_8v为2.42~2.44;VR=-4 V,f=50 MHz时的品质因素Q为150~180,实测参数与模拟结果吻合得很好.设计模型和模拟软件得到了验证. 相似文献
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《Microwave Theory and Techniques》1983,31(2):235-238
The design of a hyperabrupt Schottky-barrier varactor is considered with an exponentially retrograded doping profile assumed. Resistance and capacitance models are used to determine optimum doping profile characteristic length and breakdown voltage with respect to device dynamic cutoff frequency. Device fabrication is discussed and test results are presented indicating conversion efficiencies of approximately 15 percent upon doubling to the 200-GHz frequency range. 相似文献
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采用红外透射法测n型HgCdTe晶片的组分x.范德堡法测晶片的载流子浓度n0。用实测值x和n0计算出在相同低温热处理条件下不同组分(0.190<x<0.230)的n型HgCdTe晶片77K时本征浓度ni和杂质浓度nd.得到比值nd/ni与组分x的关系曲线。对此曲线分析可知,77K时HgCdTe(0.190<X<0230)并不处于杂质电离饱和区,而是处于过渡区,故不可以将霍耳系数R确定的载流于浓度n0视为杂质浓度nd。 相似文献
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本文在菲克定律的基础上导出了瞬态退火过程中注入杂质浓度分布与退火时间的关系,并对此理论结果进行了实验验证,两者符合良好。本文还讨论了瞬态退火过程中的增强扩散效应。 相似文献
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硅片直接键合杂质分布的模型与模拟 总被引:3,自引:1,他引:2
根据键合过程和半导体中杂质扩散的规律建立了硅片直接键合工艺的数学模型,得到了键合后硅片中杂质的浓度分布.并利用MATLAB软件,编写了键合工艺模拟程序,计算结果与实验进行了比较.该模型可以为相关器件的研究提供参考. 相似文献
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根据键合过程和半导体中杂质扩散的规律建立了硅片直接键合工艺的数学模型,得到了键合后硅片中杂质的浓度分布.并利用MATLAB软件,编写了键合工艺模拟程序,计算结果与实验进行了比较.该模型可以为相关器件的研究提供参考. 相似文献