LD泵浦Nd:YVO4晶体1342 nm激光实验研究

报道了采用不同腔长、不同透过率的输出镜及不同搀杂浓度的晶体时,激光二极管端面泵浦Ｎｄ：ＹＶＯ４晶体１３４２ｎｍ激光的输出特性。对三种不同搀杂浓度的晶体的实验结果表明,输出为基横模,在输出１Ｗ时,稳定性皆优于０．２％;搀杂浓度较高的晶体,在泵浦功率逐渐增加时更容易饱和。用用０．５％搀杂的晶体,最大获得３Ｗ激光输出,斜效率４３．７％。     

双端抽运Nd:YVO4激光晶体的半解析热分析

通过对激光二极管双端抽运Nd:YVO4晶体的分析,建立符合实际工作条件的热模型和边界条件,利用半解析热分析方法得出了激光晶体内部温度场和端面的热形变计算公式,并对影响温度场分布的各种因素进行了理论分析与计算。所得出的结论可以推广到其它激光晶体,为有效地解决激光晶体热效应问题提供了理论基础。     

LD泵浦的1.34 μm Nd:YVO4晶体高效率激光器

报道了光纤耦合输出大功率LD模块泵浦的1.34 μm Nd:YVO4晶体高效率激光器,在泵浦功率为6.6 W时,激光输出达2.27 W,光-光转换效率为34.4%,斜效率达45%.利用KTP晶体进行腔内倍频,得到70 mW的0.67 μm激光输出.     

Nd:YVO4激光辐照对绿豆幼苗生长影响的研究

用Nd:YVO4激光照射绿豆种子,对绿豆种子的照射时间设置为Os(CK),15s、25s、35s、45s、55s.试验结果表明Nd:YVO4激光照射绿豆种子,15s、25s、35s、45s对绿豆的发芽势、发芽率、株高有促进作用,25s、35s、45s对绿豆的胚根有促进作用.其中以Nd:YVO4激光照射绿豆种子45s时影响最明显,而55s激光照射处理对绿豆的发芽势、发芽率、株高有抑制作用.照射时间为15s,55s时胚根的生长受到抑制.     

LD抽运Nd:YVO4、Nd:GdVO4和Nd:YAG激光特性比较

报道了在相同实验条件下,分别用Nd：YVO4、Nd：GdVO4和Nd：YAG三种晶体作激光介质,实现了连续波和Cr^4 ：YAG被动调Q1．06μm激光输出,分析对比了三种增益介质的泵浦阈值、转换效率及脉冲宽度、重复频率和峰值功率等一系列激光特性,为在不同运转方式下选取合适的增益介质,提供了一定的实验依据。     

Nd:YVO4激光晶体对808nm附近光的吸收特性

研究了Nd:YVO4激光晶体对808nm附近光的吸收。定量给出了不同激活粒子浓度与其吸收808nm光的关系。在测试晶体透过率基础上,通过计算,给出了Nd:YVO4晶体808nm波长光的吸收系数。实验得出了在确定浓度和长度的情况下,晶体对808nm泵浦光吸收系数是一个不与泵浦源功率相关的确定值。计算了п和б两偏振吸收,比较出它们之间的关系。     

激光二极管侧抽运长方形Nd:YVO4激光晶体热分析

以解析分析理论为基础,研究长方形Nd∶YVO4激光晶体受到具有高斯分布半导体激光侧端面抽运时,晶体温度场和热形变的分布情况。通过对激光二极管(LD)侧面抽运晶体工作特点分析,建立了符合实际工作情况的热模型,利用正交各向异性材料热传导方程,得出长方形Nd∶YVO4晶体温度场和热形变场通解表达式,并提出了两种有效减小晶体热形变的方法。研究结果表明,当使用输出功率为30 W的激光二极管侧面中心抽运Nd∶YVO4激光晶体时,在抽运端面中心获得240.0℃最高温升和4.73μm最大热形变量。偏心0.6 mm时,端面最大热形变量减少31.1%。晶体厚度减小30%时,端面最大热形变量减少23.5%。     

应力双折射对Nd:YVO4激光输出功率的影响

从研究目前热门的激光晶体Nd:YVO4应力双折射入手,研究了其对激光非线性输出的影响.通过实验发现,激光晶体的应力双折射虽然很小,但是一定的应力双折射会导致激光的非线性输出.通过实验掌握了一套方法,可挑选质量好的激光晶体,以便获得稳定的激光输出.     

LD泵浦Nd:YVO4/KTP激光器晶体长度对输出的影响

利用四能级激光系统的速率方程,对激光二极管(LD)纵向泵浦Nd:YVO4/KTP腔内倍频绿光激光器激活介质和倍频晶体的长度对输出激光功率的影响进行了理论计算,给出了参数优化结果,分析了它的工作特性,得到与理论计算符合较好的实验结果.     

激光二极管端泵平板Nd:YAG、Nd:YVO4和Nd:GdVO4晶体热效应比较

以解析热分析理论为基础,建立了平板Nd:YAG、Nd:YVO4和Nd:GdVO4晶体在激光二极管阵列端泵抽运时的导热微分方程.通过方程求解,得到三种晶体内部温度场和热形变分布的解析式.温度场和热形变场的数值模拟表明:当泵浦光功率P0=30W、泵浦区域为0.5 mmx0.5 mm时,三种激光晶体的一维温度场、二维温度场分...     

全固化单频Nd:YVO4环形激光器

用激光二极管 L D 抽运 Nd:YVO4 晶体 ,采用四镜环形腔 ,腔内放置 TGG晶体和λ/ 2波片 ,组成光学单向器 ,利用 KTP内腔倍频技术 ,实现稳定的单频绿光输出 ,最大单频绿光输出 4 0m W,光 -光转换效率为 6 % .     

激光二极管抽运Nd:YVO4晶体声光调Q 1342 nm激光器

报道了激光二极管抽运ＮｄｖＹＶＯ４ 晶体声光调Ｑ的１３４２ ｎｍ 激光器,在重复频率为１５ ｋＨｚ时,获得最大单脉冲能量为７１ μＪ,脉宽为５６ ｎｓ,峰值功率为１．２７ ｋＷ,平均功率达到１．１４ Ｗ 。利用二类非临界相位匹配的ＬＢＯ晶体腔外倍频,得到约３０ ｍ Ｗ 的６７１ ｎｍ 激光输出     

LD泵浦Nd:YVO4/KTP单频绿光激光器

采用光纤耦合输出激光二极管阵列端面抽运Nd:YVO4晶体,采用"8"字环形腔,在腔内插入法拉第旋光器和半波片实现激光的单向运转以抑制空间烧孔效应,并选用二类临界相位匹配的KTP进行腔内倍频,获得了输出功率为2.6W,波长为532nm的单频绿光,光-光转换效率为12.1%.     

全固态高输出功率单频Nd:YVO4/KTP激光器

利用光纤耦合输出的半导体激光器(LD)端面抽运Nd∶YVO4晶体,激光谐振腔采用四镜环形腔结构,通过KTP晶体内腔倍频,获得了高功率全固态连续单频绿光激光输出。根据临界相位匹配下椭圆高斯光束的倍频理论,通过旋转Nd∶YVO4晶体的方向选取合适的基频光偏振方向,使KTP晶体的走离角所在平面与谐振腔弧矢面平行,可提高内腔倍频转换效率。当抽运功率为20 W时,激光器最大单频绿光输出功率达4.8 W。作为对比,控制基频光偏振方向使KTP晶体的走离角所在平面与谐振腔子午面平行时,激光器最大单频绿光输出功率为4.1 W。对比两种情形下的实验结果,激光器的光-光转换效率从21.8%提高到25.5%。     

Nd3+掺杂浓度对大功率全固态Nd:YVO4激光器输出特性影响的研究

通过对 Nd:YVO4晶体吸收特性的研究 ,对全固态 Nd:YVO4激光器中晶体的 Nd3 掺杂浓度在强光抽运条件下对激光输出特性的影响进行了分析 ,得出了激光器的输出功率和斜效率与晶体掺杂浓度的对应关系。对晶体长度为 5 mm,掺杂浓度分别为 0 .5% ,0 .7%和 1 .0 at- %的大功率全固态 Nd:YVO4激光器的输出进行了比较 ,实验与分析结果符合得较好。利用掺杂为 0 .5%的Nd:YVO4晶体 ,在抽运光功率为 5.1 W时获得 3.1 W的 TEM0 0 模激光输出 ,斜效率达到 71 %。     

Nd:YVO4和Nd:YAG全固态激光器输出特性的比较分析

基于Nd：YVO4晶体的能级结构和速率厅程，对激光二极管端面抽运Nd：YVO4同体激光器的输入输出特性参量进行了理论研究。并通过数值计算得到了其振荡光的光斑与抽运光斑的匹配程度、增益介质的长度、腔内同有损耗和输出镜透过率的最佳值，并通过与激光二极管抽运Nd：YAG同体激光器的输出特性进行比较，获得了在相同条件下Nd：YVO4晶体的输出特性优于Nd：YAG晶体的高功率端面抽运的全同态激光器，其理论值与实验结果相吻合。     

端面抽运高功率连续单频1064 nm Nd:YVO4环行腔激光器

采用808 nm光纤耦合输出激光二极管(FCLD)单端端面抽运Nd∶YVO4晶体,采用四镜折叠环行腔,在腔内插入法拉第旋光器和半波片实现激光的单向运转以抑制空间烧孔效应,并在腔内加入标准具,最终实现连续单频1064 nm激光输出.在24.6 W抽运功率时,最高输出功率达到9 W,光-光转换效率为36.6%,M2因子约为1.14,频率漂移约200 MHz.     

二极管激光泵浦的微型绿光调QNd:YVO4激光器

介绍了一种高效率腔内倍频及调QNd:YVO4激光器。激光器的Q开关工作是通过一块腔内KTP晶体实现的,该晶体同时用作倍频晶体,实现类相位匹配。连续工作情况下,在泵浦功率800mW时,得到115mW的绿光输出,光-光转换效率为14.4%。调Q工作时,获得脉宽为5.45ns,峰值功率为74W的脉冲绿光,工作频率为100Hz。     

连续波Nd:YVO4/LBO稳频倍频红光全固态激光器

利用激光二极管(LD)端面抽运YVO4-Nd∶YVO4复合晶体,采用四镜环形谐振腔及Ⅰ类临界相位匹配(CPM)LBO晶体进行腔内倍频,在腔中插入TGG晶体和λ/2波片组成的光学单向器,设计了满足热不灵敏条件和最佳倍频条件的谐振腔型,实现了全固态连续稳频倍频红光激光器。在19 W抽运功率下,同时获得了610 mW的671 nm单频红光输出和400 mW的单频1342 nm红外光输出。红光30 min内输出功率波动小于±0.6%。自由运转时,基频光(1342 nm)1 min频率漂移为±5 MHz,锁定后基频光1 min频率稳定性优于±1 MHz。