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以解析分析理论为基础,研究长方形Nd∶YVO4激光晶体受到具有高斯分布半导体激光侧端面抽运时,晶体温度场和热形变的分布情况。通过对激光二极管(LD)侧面抽运晶体工作特点分析,建立了符合实际工作情况的热模型,利用正交各向异性材料热传导方程,得出长方形Nd∶YVO4晶体温度场和热形变场通解表达式,并提出了两种有效减小晶体热形变的方法。研究结果表明,当使用输出功率为30 W的激光二极管侧面中心抽运Nd∶YVO4激光晶体时,在抽运端面中心获得240.0℃最高温升和4.73μm最大热形变量。偏心0.6 mm时,端面最大热形变量减少31.1%。晶体厚度减小30%时,端面最大热形变量减少23.5%。 相似文献
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本试验采用Nd YVO4 激光照射蚕豆已萌发的种子。Nd YVO4 激光照射的时间分别为5min .10min .15min。对照射后蚕豆根尖下细胞中的染色体损伤情况进行了研究。经Nd YVO4 激光照射后,蚕豆根尖细胞中的染色体的畸变类型有染色体桥,断片,落后染色体,微核。经Nd YVO4 激光照射后,蚕豆根尖细胞中有丝分裂指数随着照射的时间的延长而降低。试验结果表明,Nd YVO4 激光对蚕豆根尖细胞染色体和有丝分裂有明显影响。 相似文献
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全固态高输出功率单频Nd:YVO4/KTP激光器 总被引:1,自引:2,他引:1
利用光纤耦合输出的半导体激光器(LD)端面抽运Nd∶YVO4晶体,激光谐振腔采用四镜环形腔结构,通过KTP晶体内腔倍频,获得了高功率全固态连续单频绿光激光输出。根据临界相位匹配下椭圆高斯光束的倍频理论,通过旋转Nd∶YVO4晶体的方向选取合适的基频光偏振方向,使KTP晶体的走离角所在平面与谐振腔弧矢面平行,可提高内腔倍频转换效率。当抽运功率为20 W时,激光器最大单频绿光输出功率达4.8 W。作为对比,控制基频光偏振方向使KTP晶体的走离角所在平面与谐振腔子午面平行时,激光器最大单频绿光输出功率为4.1 W。对比两种情形下的实验结果,激光器的光-光转换效率从21.8%提高到25.5%。 相似文献
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通过对 Nd:YVO4晶体吸收特性的研究 ,对全固态 Nd:YVO4激光器中晶体的 Nd3 掺杂浓度在强光抽运条件下对激光输出特性的影响进行了分析 ,得出了激光器的输出功率和斜效率与晶体掺杂浓度的对应关系。对晶体长度为 5 mm,掺杂浓度分别为 0 .5% ,0 .7%和 1 .0 at- %的大功率全固态 Nd:YVO4激光器的输出进行了比较 ,实验与分析结果符合得较好。利用掺杂为 0 .5%的Nd:YVO4晶体 ,在抽运光功率为 5.1 W时获得 3.1 W的 TEM0 0 模激光输出 ,斜效率达到 71 %。 相似文献
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Nd:YVO4和Nd:YAG全固态激光器输出特性的比较分析 总被引:5,自引:0,他引:5
基于Nd:YVO4晶体的能级结构和速率厅程,对激光二极管端面抽运Nd:YVO4同体激光器的输入输出特性参量进行了理论研究。并通过数值计算得到了其振荡光的光斑与抽运光斑的匹配程度、增益介质的长度、腔内同有损耗和输出镜透过率的最佳值,并通过与激光二极管抽运Nd:YAG同体激光器的输出特性进行比较,获得了在相同条件下Nd:YVO4晶体的输出特性优于Nd:YAG晶体的高功率端面抽运的全同态激光器,其理论值与实验结果相吻合。 相似文献
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