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在以前还只是处于想象境地的抗蚀剂干显影(等离子体显影)已展示了实现的可能性。一方面开发了能够干显影的抗蚀剂,另一方面还发展了能对现有抗蚀剂作干显影的新工艺。本文简述了至今为止所发表的抗蚀剂的干显影技术方法和技术动向,也介绍了我们所做的有关工作。 相似文献
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本文讨论了干法腐蚀工艺中作掩蔽的抗蚀剂和抗蚀剂系统.分析了在以等离子体为主的干法腐蚀工艺中增强抗蚀剂耐腐蚀能力、降低抗蚀剂腐蚀速率的几种方法.通过实验表明,等离子腐蚀前对抗蚀剂进行等离子体辐照的抗蚀剂处理技术,非常适合于目前国内半导体工艺3～5μm微细加工的需要. 相似文献
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现在刻蚀主要利用g线(436nm)和i线(365nm)来光刻。为了适应未来微细化的要求，正在研究超分辨刻蚀、短波长曝光的深紫外刻蚀以及电子束刻蚀(见图1)。本文就刻蚀所需要的抗蚀剂，特别是化学放大抗蚀剂的最新动向和今后的课题作以叙述。 相似文献
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将自制的三种α－氨基苯乙酮生物和常用光引发剂进行了光引发性能比较,将光引发性能较好的用在抗蚀剂的配方中,研究了光固化抗蚀剂的组成和配方,研究了复合光引剂的协同效应。实验证明,用复合引发剂的抗蚀剂具有优良的综合性能。 相似文献
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应用ＬＢ技术制备了厚度为２０－１００ｎｍ的聚甲基丙烯酸甲酯（ＰＭＭＡ）超薄高分辨率电子束抗蚀层。应用改装的日产Ｓ－４５０扫描电子显微镜（ＳＥＭ），研究了ＰＭＭＡ ＬＢ膜的曝光特性和刻蚀条件。结果得到线宽０．１５μｍ的铝掩模光栅图形，表明此种超薄膜具有良好的分辨率和足够的抗蚀性。 相似文献
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阐述了电子束曝光技术及电子束抗蚀剂在微电子器件制造中的重要性，着重介绍了电子束正性抗蚀剂P（MMA－MAA）的研制过程及为使之达到实用化所进行的各项研究及其结果和应用情况。 相似文献
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为了满足越来越多的特殊结构纳米电子器件的制作要求,亟需进一步提高电子束光刻的分辨率与质量,选择适合的高分辨率电子束抗蚀剂材料显得尤为重要。从曝光剂量以及显影与烘烤过程中具体工艺条件的影响等方面对三种新型抗蚀剂材料HSQ,Calixarene和ARN7520进行了电子束曝光性能的研究,同时也对三者的优缺点进行了讨论。通过实验可知,三种新型抗蚀剂均有小于50 nm的高曝光分辨率。HSQ与衬底有更好的附着力,具有较高的机械强度和对比度,在小面积密集图形的制作中具有较好的性能。而ARN7520具有较高的灵敏度,受电子束邻近效应的影响较小,更适合复杂版图的制作。Calixarene虽然也具有较高的曝光分辨率,但过低的灵敏度严重限制了其实用性。 相似文献
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纳米光刻对于纳米电子学的研究与发展具有非常重要的意义。分子尺寸为０．７纳米且可发生电子束诱导聚合的富勒烯（主要是Ｃ６０）,可以作为电子束抗蚀剂,用于电子束纳米光刻,制作纳米级精细图形。这类抗蚀剂主要有三种类型：纯Ｃ６０、、Ｃ６０衍生物及Ｃ６０与常用抗旬剂形成的纳米复合抗旬剂。介绍了这方面工作的研究现状、存在的问题及发展前景。 相似文献
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投影光刻技术的计算机模拟研究 总被引：2，自引：0，他引：2
投影光刻技术的计算机模拟分为三部分：空间像强度分布计算，曝光计算和显影计算。本文分别讨论了各部分数学模型的建立，计算方法及特点，并给出了一些研究结果。 相似文献