关于电功率与器件储能和作用力的有条件叠加性讨论

讨论了在某些特殊电路中,功率满足叠加性的问题,其中包括含有正序和负序电源的三相电路,多频电路,二端口网络,均匀传输线等。还扩展性地讨论了元件平均储能,以及电容极板之间和互感线圈之间平均作用力的叠加性。教学中,用这些特殊电路启发学生思考,可以培养学生具体问题具体分析的认识论观点,以及敢于质疑的科学精神。     

关于互易二端口网络互连的讨论

互易电路及二端口电路互连是电路课程教学中的重要内容。本文讨论了互易二端口电路互连后总二端口电路的互易性,给出了一般性结论及证明,即互易二端电路互连后如仍满足端口定义,则互连后的总二端电路仍然是互易的。对于对称二端电路,也有类似的结论。本文的讨论对电路课程的教学具有一定的参考价值。     

适用于MMIC的功率合成器设计

设计了一种适用于对MMIC功率放大器进行合成的新型功率合成器。采用多端口网络理论对功率合成结构进行分析, 结合MMIC功放单片的工作特点总结出该功率合成器最重要的设计指标, 设计出工作在5GHz~6GHz的16路辐射线型功率合成器。通过测试发现该功率合成器的驻波〈1.5dB, 各端口幅度不平衡度〈±0.4dB, 相位不平衡度〈±2°, 并具有较好的隔离度, 整个功率合成器的直径小于56mm, 非常适合用于C波段大功率的合成。最终采用该功率合成器在5GHz~6GHz的工作频率内成功获得160W的合成功率。     

旋转对称n端口网络

本文推导了旋转对称n端口网络S的参数一般表达式,具体讨论了无耗可逆转对称3至8端口网络的性质。     

互易多端口网络的等效二端口测量方程组及其应用

本文推导了互易n端口网络的等效二端口测量方程组;以三端口网络为例,讨论了这种方程组的应用、测量细节和数据处理;提出了用自动测量线和程控短路活塞组成一套测试系统,以实现对多端口网络S参数的快速、自动测量;给出了H面T三端口网络的实验结果。     

二端口RC网络的实现条件

本文提出了二端口RC网络单、双端侧接任意RC负载时转移函数可实现的充要条件,使RC网络综合理论得到完善。     

用二维S参数分析动态功率调配网络

动态功率调配网络在移动通信系统中有着广泛应用,为了从整体上把握动态功率调配网络的性能,提出用基于二维S参数的多端口网络级联理论对含有非线性器件的动态功率调配网络进行建模及分析,使得线性系统与非线性系统可以统一考虑,这种建模分析方法对微波网络的描述更加准确、全面.     

无源二端口网络的综合

本文论述了双端接阻容负载RC二端口网络转移电压函数的极点与RC阻抗和导纳乘积的零,极点位置分布关系定理.导出了双端接载与等效单端接载网络转移电压函数之间关系的数学模型,利用一次归并和两次分解途径给出了双端接任意阻容负载网络的实现方法.     

复合多端口网络的参数矩阵计算

一些电路教材对二端口网络的连接方式进行了介绍并给出复合二端口参数矩阵的计算方法。多个二端口的任意连接可以构成复合多端口网络,其参数矩阵也可以由构成它的二端口网络的参数矩阵表示。本文类比了电路网络中的关联矩阵,建立描述二端口和复合多端口关系的端口关联矩阵,并利用二端口的特性和串并联的特点,给出了求解复合多端口网络参数矩阵的新方法。     

测量互易多端口网络S参数的多短路活塞法的进一步改进

本文提出互易多端口网络的广义等效二端口测量方程组,解决了S参数测量中被测网络的互等效参数的利用问题,从而大大地缩短了S参数的测量过程,节省了大量的测量时间。文中给出测量实例。     

Thermal investigation of LED array with multiple packages based on the superposition method

In this paper, the superposition method is used to investigate the complete temperature field of a light-emitting diode (LED) packaging substrate, based on the results of transient temperature rise measurements and the thermal resistance coupling matrix. The feasibility of use of the superposition method in an LED array with multiple packages has been proved first by temperature comparisons with the simultaneous operation of an array (5×5) of 25 high power LEDs mounted on a metal core printed circuit board (MCPCB). Compared with existing approaches, the superposition method will measure the internal temperature of chip directly, accurately and nondestructively. According to the relatively accurate and reliable self-heating and coupling temperature rise data, optimization scheme of LED lamp with multiple packages is proposed. The results show that increasing the heat source separation distance and improving the thermal conductivity of thermal interface materials will reduce the temperature rise and thermal non-uniformity.     

县情资源网建设方略初探

为了能充分发挥县情资料库的作用,更好地为领导决策服务,全面为社会各界提供丰富翔实的地情资料,县政府网络平台将设计县情资源网,并以县政府网站为核心,设计发布基于大型文档管理数据库的具有全文检索功能的站点。从而将大量的信息资源发布到互联网。     

螺旋扭曲力常数对常黑聚合物稳定胆甾液晶光电性能的影响

本文研究了螺旋扭曲力常数(HTP)对常黑模式聚合物稳定的胆甾相液晶(NB-PSCT)网络形貌和光电性能的影响。选用3种不同HTP值的手性剂,通过紫外光聚合诱导相分离法(PIPS)制备了具有相同螺距的常黑模式聚合物稳定的胆甾相液晶。结果表明:随着手性剂的螺旋扭曲力常数增大,聚合物网络变得致密,网络和液晶分子之间的弹性作用力增大,阈值饱和电压减小,响应过程中的关闭时间增加,迟滞宽度增大。     

内生无铅复合钎料在不同工艺条件下的制备及性能研究

通过采用不同工艺的内生法在Sn-3.5Ag共晶钎料基体中引入弥散分布的Cu6Sn5颗粒,制得了内生无铅复合钎料。研究了不同工艺条件对该钎料力学性能及电迁移行为的影响。结果表明,在冷却速度(0.1℃/s)较慢时制备的钎料,其内生Cu6Sn5颗粒细小,分布最均匀,且团聚程度较轻,另外,其钎焊接头力学性能最好;通5 A电流384 h后,其正负极金属间化合物层厚度的差异保持在约1.2μm,说明Cu6Sn5颗粒的引入提高了钎料的抗电迁移性能。     

Quantifying the effect of local interconnects on on-chip power distribution

Existing methods to analyze and optimize on-chip power distribution networks typically focus only on global power network modeled as a two-dimensional mesh. In practice, current is supplied to switching transistors through a local power network at the lower metal layers. The local power network is connected to a global network through a stack of vias. The effect of these vias and the resistance of the local power network are typically ignored when optimizing a power network and placing decoupling capacitors. By modeling the power distribution network as a three-dimensional mesh, the error due to ignoring via and local interconnect resistances is quantified. It is demonstrated that ignoring the local power network and vias can both underestimate (by up to 45%) or overestimate (by up to 50%) the effective resistance of a power distribution network. The error depends upon multiple parameters such as the width of local and global power lines and via resistance. A design space is also generated to indicate the valid width of local and global power lines where the target resistance is satisfied. It is shown that a wider global network can be used to obtain a narrower local network, providing additional flexibility in the physical design process since routability is an important concern at lower metal layers. At high via resistances, however, this approach causes significant increase in the width of a global power network, indicating the growing significance of local power network and vias.     

硅微波功率晶体管内匹配设计技术研究

着重论述了硅微波功率晶体管内匹配网络的设计方法，对内匹配网络的功率均分特性、带宽特性，增益性能做了分析研究。在上述基础上，通过优化设计，对Ｐ波段百瓦级硅微波功率晶体管的内匹配网络进行了分析和计算并通过了样品试验     

模拟电子电路的两端口网络阻抗等效变换

模拟电子技术中的很多基本电路都可视为三端子两端口网络。在学习过程中,为有效分析其输入-输出特性,往往需要对其进行输入回路和输出回路的拆分式解耦等效分析,而阻抗参数等效变换成为一大难点。基于电路理论基础知识,对三端子两端口网络的串联式和并联式阻抗参数等效变换进行了详细推导,并将所提的参数等效变换方法应用于三个典型模拟电路的特性分析,有效简化了电路分析过程。     

强激光下4H-SiC晶体电子特性的第一性原理研究

为了研究4H-SiC晶体在强激光辐照下电子特性及其变化,采用基于密度泛函微扰理论的第一性原理赝势的方法,对纤锌矿4H-SiC晶体在强激光照射下的电子特性的变化进行了理论分析和实验验证。结果表明,电子温度T_e在0eV~2.75eV范围内时,4H-SiC仍然是间接带隙的半导体晶体;当电子温度T_e升高达到并超过3.0eV以上时,4H-SiC变为直接带隙的半导体晶体;电子温度T_e在0eV~2.0eV变化时,带隙值随电子温度升高而增大;电子温度T_e在2.0eV~3.5eV变化时,带隙值随电子温度T_e的升高而迅速地减小;当电子温度T_e高于3.5eV以后,带隙已经消失而呈现出金属特性。该研究对制作4H-SiC晶体特殊功能电子元件是有帮助的。     

Optoelectronic modelling of perovskite solar cells under humid conditions and their correlation with power losses to quantify material degradation

This work describes the role of relative humidity (R.H.) on the performance degradation of methyl-ammonium lead-iodide (CH₃NH₃PbI₃) based hole transport material (HTM) free hetero-junction perovskite solar cell. It has been observed that the power conversion efficiency (η) of perovskite solar cells decreases from 4.52% to 1.28% with increases in R.H. from <40% to 75%. A semi-analytical optoelectronic model is further developed to explore the effect of humidity on performance limiting parameters, i.e. absorption coefficient, diffusion length. The shunt resistance decreases whereas space charge region width and series resistance increases with respect to the increase in R.H. from <40% to 75%. The charge carrier losses through recombination, spatial relaxation and thermalization are also analysed and found to increase from 76% at <40%R.H to 84% at 75%R.H.