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CMOS图像传感器奋力冲击CCD市场 总被引:1,自引:0,他引:1
目前,各种成像系统一般采用的是CCD图像传感器技术,然而,CCD图像传感器有如下缺点:(1)驱动电路和信号处理电路难与CCD成像阵列单片集成,图像系统为多芯片系统;(2)为了获得信号的完整性,在像元问信号需要进行完美的转移,随着阵列尺寸的增加,电荷转移要求更加严格准确;(3)时钟脉冲复杂,需要相对高的工作电压,不能 相似文献
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比较了CMOS图像传感器与CCD图像传感器的优缺点,分析了CMOS图像传感器的结构、研制现状、应用及市场前景。提出了随着CMOS图像传感器技术的发展,CMOS图像传感器可以代替CCD图像传感器,并对其发展趋势作了预见。 相似文献
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CCD图像传感器的现状及未来发展 总被引:1,自引:0,他引:1
叙述了CCD固体图像传感器的基本结构及工作原理;从缩小像元尺寸、提高灵敏度、改进暗电流及性能技术方面,介绍了CCD图像传感器技术的发展及现状,为提高CCD性能出现一些独特概念、结构与技术。 相似文献
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CCD与CMOS图像传感器特点比较 总被引:17,自引:0,他引:17
简要介绍了CCD(电荷耦合器件)与CMOS图像传感器的结构,并对二者的性能特点进行了比较,指出二者在未来的发展中不会出现谁消灭谁的结局. 相似文献
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高分辨率CCD图像传感器及CCD摄像机的性能评价 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了CCD图像传感器及CCD摄像机的性能及测试方法,重点探讨了高分辨率CCD摄像机的成像特点。论述了高分辨率CCD图像传感器和高分辨率CCD摄像机的性能。这些性能与当前厂商提供的商用CCD摄像机有许多不同之处,评价高分辨率CCD图像传感器的性能主要有灵敏度、动态范围、分辨率和拖影。评价高分辨率CCD摄像机性能有灵敏度、最小照度、分辨率和光学格式等,给出了高分辨CCD摄像机的性能评价实例,简述 相似文献
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新颖CCD图像传感器最新发展及应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本文概述了EMCCD、Super HAD CCD、ITO-CCD、ISIS-CCD、RGBE-CCD、FoveonX3全色CCD图像传感器等CCD图像传感器的最新发展现状,同时也介绍了CCD图像传感器的原理、特点、发展趋势及面临的众多挑战。 相似文献
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CCD,CMOS图像传感器的特点和比较 总被引:3,自引:0,他引:3
1.概述CCD(电容耦合器件)和CMOS传感器技术现在已经广泛应用于商用和安全保卫系统中的数字照相机、机器人视觉系统、视频游戏机、条形码扫描仪、传真机、照相机和摄像机的成像装置上及作为天文学、光谱学和结晶学研究中胶片照相的替代方法。而且还不断在交通辨... 相似文献
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LIUJikun ZHAOBaoyun 《半导体光子学与技术》1997,3(3):232-236
Work has been done with extending the useful imaging and detection rage of CCD.This was accomplished through direct optical coupling and bonding of image intensifiers to the CCD.It has been shown that the useful range of a CCD may be extended two orders of magnitude using these techniques in coupling a microchannel plate image intensifier to the CCD array.All of these works were done with presently available CCD made by China 相似文献
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IntensifiedCCDImageSensor①LIUJikun,ZHAOBaoyun(UniversityofElectronicScienceandTechnology,Chengdu610054,CHN)Abstract:Workhasbe... 相似文献
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分析一种多功能图像传感器-电荷耦合器件(CCD)的基本结构和工作原理,概述它在军事方面的应用及其发展前景。 相似文献
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各种蒸发光学薄膜都存在内应力,其性质和大小直接影响光学薄膜性能与质量。因此,薄膜内应力的精确检测具有重大的实用意义。本文介绍以高灵敏度的光纤传感器为变换器,以高分辨率的 CCD 为光信号检测器的内应力检测系统,具有灵活、结构小巧、精度高、实时测量等优点,实践证明是有效的。 相似文献
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《Solid-State Circuits, IEEE Journal of》1978,13(1):66-70
A new type of 1024-element linear image sensor has been developed using a CCD with a meander channel (MCCD). Its simple electrode pattern with no contact windows for clocking promises high yield in the production. 相似文献
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Bogaart E.W. Hoekstra W. Peters I.M. Kleimann A. Bosiers J.T. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2009,56(11):2462-2467
Very low dark current in charge-coupled-device image sensors is established by means of multipinned phase combined with vertical antiblooming, so-called all-gates pinning. Hereby, dark-current generation at the surface and diffusion from the bulk are suppressed. Using a conventional 6 times 6 mum2 image pixel with an additional n-type implant, a dark-current level of 1.5 pA/cm2 is obtained at 60degC without loss of optical performance. This means that the pixel dark current is reduced by a factor 80. 相似文献