电视播控机房智能化改造技术探讨

电视播控机房是电视台的核心运营设施,负责节目控制、广告播放及信号传输等重要任务。随着信息技术的不断发展,电视播控机房智能化改造成为现代电视台的重要课题之一。为此,进行电视播控机房智能化改造技术研究,结合电视播控机房智能化改造目标,进行电视播控机房智能化改造方案设计,实现播控设备监控、播控信号检测、环境监测和智慧管理等核心功能,具有一定的实践应用价值。     

电视播控与总控系统搬迂工程设计与实践

本文从电视播控新机房播控与总控系统功能设计、新机房交流供电系统设计、新机房播控与总控系统集成施工、播控与总控系统搬迁进度安排、播控与总控系统传输链路技术指标测试等方面，对我局2004年实施完成的电视播控与总控系统搬迁工程，进行了较详细的总结与介绍。     

电视播控与总控系统搬迁工程设计与实践

本文从电视播控新机房播控与总控系统功能设计、新机房交流供电系统设计、新机房播控与总控系统集成施 工、播控与总控系统搬迁进度安排、播控与总控系统传输链路技术指标测试等方面。对我局2004年实施完成的电视播控 与总控系统搬迁工程。进行了较详细的总结与介绍。     

电视播控与总控系统搬迁工程设计与实践

本文从电视播控新机房播控与总控系统功能设计、新机房交流供电系统设计、新机房播控与总控系统集成施工、播控与总控系统搬迁进度安排、播控与总控系统传输链路技术指标测试等方面,对我局2004年实施完成的电视播控与总控系统搬迁工程,进行了较详细的总结与介绍。     

安全播出监控系统在基层电视播控机房中的应用

将数字信号应用于电视播控机房中，可有效提高其稳定性，信号在传输过程中，不易受外界干扰，能够从根本上提升信息传输效果。因此，需对安全播出监控系统在基层电视播控机房中的应用进行深入探索与分析，以保障电视广播播放安全。     

中波广播发射台智能化播控监测系统

本文介绍了一套自主研发的,用于中波发射台播控机房的智能化播控监测系统,该系统实现了低周信号的自动监测和切换、高周及发射机状态的自动监测和报警、多点联动报警、通过GSM对发射台安防,环境等进行远程监控。     

厦门电视台总控的数字化改造

本文概述了厦门广电集团技术中心电视播控机房总控系统数字化改造的紧迫性、必要性,把新技术应用到本系统中,大大提高了电视播出的安全性。阐述了当前电视播控机房完成从模拟向数字化改造进程中的如何建设合理、先进、高效、平稳的总控系统的设计思路。     

电视台播控机房的动力建设

电视台播控系统的数字化改造已酝酿多年,新的播控机房正在不断地建设,作为播控机房的基础,机房动力的建设是基础性的也是极其重要的,机房动力是整个播控系统的心脏,它为整个播控系统提供不间断的能源。机房动力设计、产品集成以及施工的优劣,直接关系到播控系统能否稳定、可靠、安全地运行。 本文结合欧美工业发达国家机房动力建设的发展趋势和国内播控系统数字化改造现状,对艾默生公司的电视台播控机房的动力建设一体化解决方案作简要介绍。     

电视播控机房交流配电系统设计与构建

本文主要从电视播控机房交流配电系统设计要求、交流市电配置、交流输入与输出开关设置、交流配电系统工作方式设计、交流配电系统主备UPS（不间断电源）配置、交流配电系统安装与调试等方面,详细介绍了扬州电视台电视播控机房交流配电系统设计与构建情况.     

原址改建的电视播出系统

区县级电视台的电视播出机房可以说是全台最重要与最复杂的专业设备系统.系统一般集成了许多的子系统,包括电视播出系统、安播监控系统、大屏监视系统、光缆系统、供电保障系统、环境监测系统、信号调度、空气调节与保温、控制台、机架与强弱电走线、等电位网,等等,是一个综合的体系.系统设计的完善度与各系统的协调运作,关系到播出的安全,是重中之重.杭州市余杭区广播电视台广电大楼的电视播出机房多年没有进行大规模的系统更新.随着硬盘播出的普及与成熟,根据高标清播出的要求,杭州市余杭区广播电视台对原有的播出机房与设备进行原址改造建设,其中经验可供技术人员参考.     

Modeling of noise parameters of MESFETs and MODFETs and theirfrequency and temperature dependence

A simple noise model of a microwave MESFET (MODFET, HEMT, etc.) is described and verified at room and cryogenic temperatures. Closed-form expressions for the minimum noise temperature, the optimum generator impedance, the noise conductance, and the generator-impedance-minimizing noise measure are given in terms of the frequency, the elements of a FET equivalent circuit, and the equivalent temperatures of intrinsic gate resistance and drain conductance to be determined from noise measurements. These equivalent temperatures are demonstrated in the case of a Fujitsu FHR01FH MODFET to be independent of frequency in the frequency range in which 1/f noise is negligible. Thus, the model allows prediction of noise parameters for a broad frequency range from a single frequency noise parameter measurement. The relationships between this approach and other relevant studies are established     

物联网技术发展及武汉政府可采取的对策

物联网的应用已逐步进入我国的某些领域,取得了很大成功.在未来的5至10年物联网将会在更大范围于全社会展开.本文首先介绍了物联网的概念和发展历史,分析了物联网应用的关键技术及体系,列举了物联网应用的现状及发展趋势,阐述了物联网应用过程中存在的主要问题,最后提出了武汉市在物联网发展过程中应采取的对策     

便携式温湿度无线监控系统的设计与实现

利用新一代单片全校准、高集成度、小体积的数字式温湿度传感器SHT71,通过单片机的控制实现对温湿度的采集与显示,再经由无线收发传输采集到的数据与遥控各温湿度调节设备,并结合了便携式与PC机操作。使得此系统具有体积小、适用面广、使用方便等特点。     

"杀手锏"、"产业链"问题及创新与发展策略

随着3G的演进与宽带多媒体业务的发展,用户需求、市场运营模式已发生了本质改变,在这种多方依赖、共赢合作的环境中,必须处理好技术驱动与市场驱动关系,以及“杀手锏”和“产业链”问题,企业才能作出正确的战略决策,在激烈的市场竞争中取得成功。本针对这些情况,并结合中国国情,介绍了应关注的新技术,重点论述“杀手锏”、“产业链”问题及持续发展与不断创新关系的一些策略考虑。     

宽带卫星多媒体系统与下一代网络的互连与集成

BSM是现有宽带卫星IP系统的代表．致力于卫星通信与互联网的结合．使得陆地IP网络协议可以应用于卫星系统。而NGN提出了下一代通信网络的特点与要求,这将成为通信系统未来发展的趋势。BSM与NGN的结合将对卫星通信的发展产生重要影响,本文将对BSM与NGN的功能架构做简要介绍,并针对BSM与NGN的互连与集成的适应性做介绍与分析。     

浆料的结冻与解冻

浆料的结冻与解冻张耿（国营４３２０厂西安７１００６５）ＦｒｅｅｚｅａｎｄＤｅｆｒｅｅｚｅｏｆＰａｓｔｅａｎｄＳｌｕｒｙＺｈａｎｇＧｅｎｇ（ＳｔａｔｅＲｕｎＦａｃｔｏｒｙＮｏ４３２０，Ｘｉ＇ａｎ，７１００６５）１引言在研制和生产浆料的过程中，无论是银浆...     

有人战斗机和无人战斗机打击性能比较分析

对敌威胁扇面角的确定是战斗机对敌舰进行打击、执行海上作战计划的重要环节,有助于提高编队体系作战能力。美国海军的“伯克”级驱逐舰拥有强大的攻击能力、卓越的防空和对舰作战能力。针对美国海军的“伯克”级驱逐舰,分析了有人战斗机和无人战斗机对其构成的威胁扇面角与预警半径、敌我距离、我机作战半径、导弹射程的关系,建立了对敌空中威胁扇面角定量模型。仿真结果表明了无人战斗机在远程打击上的优势。     

有线电视收费管理系统的研究与实现

随着我国有线电视的发展,有线电视的收费管理问题日益突出,收费难已经成为全国各有线电视台有待解决的难题之一,严重制约了我国有线电视的发展。提出一种成本低廉、效果明显的有线电视收费管理系统,能够较好地解决上述问题。     

浅谈科学技术发展的利与弊

21世纪是人类历史的一个蓬勃发展的时代。在信息高速发展的今天,科学技术迅速发展,带动了人类社会的进步,但是同时也带来了人类的生存危机。人类应该正确看待科学技术,使科学造福于人类,而不成为祸害。     

Mechanisms and kinetics of vapor-phase etching of GaAs and GaP

Vapor-phase etching of (111), (111), (110) GaAs and (111), (111) GaP wafer in H₂ + HBr or H₂ + PBr₃ gas mixtures has been conducted. The results of two cases, with liquid-forming metal (gold) layers or without coatings, are compared. Etching rates as a function of temperature in the range of 600? to 950? C were measured in Arrhenius coordinates. For both materials and for different gas environments, low-, medium- and high-temperature regions are distinguished, the activation energies in the low-temperature region (below about 650?c) being quite different for the two cases. The kinetic results are correlated with morphological changes arising from temperature variations. Some conclusions are made about the mechanisms of chemical vaporization in various temperature regions. The vaporization mechanisms have much in common with those for A^II - B^VI compounds.