论电子电气设备加速贮存寿命试验的可行性

本文讨论了电子电气系统及其所属设备在长期贮存过程中，在温度、湿度、时间三因素的作用下，设备的失效机理和失效模式，以及它们和应用的作用关系；论述了在贮存过程中，湿度、湿度和温度联合对设备的失效作用大于单独温度对设备的失效作用；论述了阿伦尼斯文程及导出的１０℃法则不能普遍应用于电子电气设备的贮存试验，只适用于由随温度的长期作用而老化的关键元器件、零件、材料构成的设备。     

光纤连接器插针体端面的超声波研磨

探讨了在普通研磨的基础上引入超声波的复合研磨方式,将普通研磨和引入超声波后研磨的效果进行了对比,并对超声波复合研磨的机理进行了简单的分析。     

砷化镓高电子迁移率晶体管的贮存试验与失效分析

高电子迁移率晶体管(HEMT)能在高频(>60GHz)下工作,具有增益高和噪声系数小的优点,因而成为微波通信和高速微电子应用中的关键器件.今天,这些器件已成功地用于卫星接收器、微波振荡器、混频器和多路转换器中.文献中描述过的限制HEMT可靠性的失效机理包括:界面和陷阱相关效应、2度泄漏、欧姆与肖特基接点退化、ESD和紫斑.本文的目的是介绍通过商用晶格匹配的AlGaAs/GaAs低噪声HEMT的无偏压贮存试验来鉴别的失效机理。     

电子元器件的贮存可靠性及评价技术

贮存可靠性是元器件可靠性研究的重要方面.阐述了国内外元器件的贮存可靠性研究现状,从应用性角度出发,对现场贮存、长期自然贮存试验、极限应力、加速贮存寿命试验等贮存可靠性评价技术进行了对比分析.     

电子元器件的贮存可靠性及评价技术

综述了国内外元器件的贮存可靠性研究现状,分析了元器件贮存失效模式及原因,表明减少元器件自身缺陷、改善固有可靠性是提高其贮存可靠性的关键。并从应用性角度出发,对现场贮存、长期自然贮存试验、极限应力、加速贮存寿命试验等贮存可靠性评价技术进行了对比分析。     

获取导弹贮存试验最佳效益的途径选择

针对当前导弹贮存试验投入经费减少、研制周期缩短、贮存指标要求提高和不断采用新技术的特点 ,论述了确保贮存试验在经济性、时间性和充分性方面获取最佳效益的途径。     

贮存环境对某型霍尔电路性能参数的影响研究

在A(寒温）、 B(亚湿热）、 C(亚湿热）、 D(热带海洋）4地的库房内对某型霍尔集成电路开展了为期17年的库房贮存试验,跟踪测试了该型霍尔集成电路的高电平－低电平磁感应强度(工作点） BH－L、低电平－高电平磁感应强度(释放点） BL－H和回差BH等性能参数,并应用T－检验法对4地贮存环境对样品的性能参数的影响进行了分析研究,结果表明各地贮存环境条件对样品的性能参数的影响各不相同。     

海洋环境下晶体管的现场贮存可靠性研究

介绍了我国海洋环境的特点及其对双极型晶体管特性的影响.基于典型近海仓库贮存环境,以具有代表性的、用量较大的中小功率晶体管为研究对象,具体分析了近海仓库贮存30～40年的双极型晶体管的性能退化情况和失效模式.研究经过了13个环节的筛选检测,统计并分析了晶体管失效情况,并以失效数目最多的筛选环节中失效的晶体管为例,进行了电学参数测试与开帽检查.研究结果表明,击穿电压、反向漏电流与电流增益是相对较敏感的失效参数.     

应用GM(1,1)模型研究军用电子元器件的长期贮存寿命

现代武器装备“长期贮存,一次使用”的特性,要求装备的各个部件和元器件都具有良好的环境适应性与长期贮存寿命。根据灰色系统理论,以某电阻器为例,应用GM(1,1)模型及其改进模型预测了其长期贮存寿命,所建立的模型具有较好的精度,有一定的参考价值。实践证明：灰色预测方法简单、实用,具有一定的工程应用价值。     

铜表面硫化膜形成及其电接触特性

用库仑分析法测定了在湿热含Ｈ２Ｏ气氛中铜表面腐蚀膜层的厚度及其随腐蚀时间的变化，对不同Ｈ２Ｓ浓度的膜层变化曲线存在的差异进行了探讨。分析了膜层厚度变化对电接触性能的影响及其异常现蟓 。     

车载电子模块管脚处接触放电特性仿真分析

静电放电是车载电子模块失效的一个重要原因.该文总结了接触放电测试的要求,仿真分析了某车载电子模块PCB板管脚处的接触放电特性,得到的仿真结果对于PCB板静电放电抗扰度的设计和抑制措施的施加具有指导意义.     

基于纳米尺寸的分子电子信息存储研究

以有机分子为基础的"纳米存储"是一种新型的数据存储系统,具有替代目前广泛应用的半导体存储器件的趋势。目前,有两种"分子"被潜在地应用于"纳米存储",一种是分子电子器件,包括分子导线、分子整流器、分子开关以及分子晶体管;另外一种应用了纳米结构的材料,如纳米管、纳米导线以及纳米粒子等。本文以分子电子器件的制备和构筑单元的设计为视角,根据分子结构、装置类型、终端电极的数目以及分子介质的状态对分子电子器件进行了分类,同时也对分子结的制备、特征、电荷转移机制以及三终端分子器件、树状化合物分子尺寸纳米电荷存储的发展进行了探讨,并对纳米信息存储存在的问题及发展方向进行了展望。     

触点镀金材料的自然腐蚀和电接触特性研究

由于国内环境污染严重,镀金表面经过长期室内自然暴露后生成了大量呈岛状离散分布的腐蚀物。腐蚀物由处于中心的腐蚀核及环绕的腐蚀晕圈组成,腐蚀核下是微孔。在镀金表面的腐蚀物上进行微动试验,发现较薄的腐蚀晕圈同样会造成高且波动的接触电阻,随微动周期增加,腐蚀物被推开后电阻降低。加大接触正压力,初始接触电阻降低,波动减弱,较少微动周期后电阻降为正常值。由于腐蚀晕圈远大于腐蚀核在表面覆盖的面积,因此腐蚀晕圈上的高电阻及其不稳定性造成电接触失效概率大大提高。     

长期自然暴露镀金表面接触阻抗的测试与研究

采用阻抗分析仪对室内长期暴露镀金样品腐蚀表面进行接触阻抗特性实验,结果表明:接触阻抗随触点的表面污染、腐蚀状况及信号频率而变化;接触阻抗中电阻分量随表面污染程度增大出现电阻增高、不稳定,而阻值亦出现随频率上升的趋势;当表面腐蚀物严重堆积时,接触电容成为主要影响参数。镀金表面自然腐蚀后接触阻抗的测试为进一步研究传输过程中接触阻抗可能产生的影响提供了必要的基础。     

电子材料的腐蚀

计算机等电子设备所使用的各种电子材料，在大气环境下，因潮湿及其他条件下发生大气腐蚀，从而致使电子材料腐蚀、电子系统发生故障如短路，电接触不良等。论述因空气污染、塑料材料分解气体等导致的电子材料腐蚀现象     

单一失效机理引起的元器件贮存寿命评价方法研究

电子元器件长期贮存过程发生的失效是由多种失效机理共同作用的结果．以器件贮存寿命整体为基础的寿命评价难度很大。选择对器件贮存寿命影响最大的单一失效机理．以失效物理为基础．通过高加速应力试验进行寿命评价研究,获得的寿命可以较准确地反映器件真实的贮存寿命。单一失效机理贮存寿命的研究是元器件贮存可靠性工作的重要内容。     

表面处理对p-GaN欧姆接触的影响

分别用稀盐酸、王水以及(NH4)2S溶液处理p-GaN表面,通过测试样品表面Ols的X射线光电子能谱(XPS),比较了这些溶液去除p-GaN表面氧化层的能力;在经不同溶液处理后的样品表面,以相同的条件制作Ni/Au电极,并测试其与p-GaN的比接触电阻,结果表明经稀盐酸处理后的样品表面,由于其氧含量较高,不能与Ni/Au形成良好的欧姆接触,而经王水和(NH4)2S溶液处理后的p-GaN表面,能与Ni/Au形成良好的欧姆接触;最后,通过比较样品表面的Ga/N原子浓度比,探讨了王水处理p-GaN表面能够形成良好欧姆接触的原因.