一种实用的八位D／A转换电路

工业控制中,D/A转换电路是最常用的电路之一。从复杂的工业控制系统到简单的工业控制器,都离不开D/A转换电路。下面向读者介绍一种简单实用的八位D/A转换电路。 1.电路组成 电路由D/A转换电路和电压/电流转换电路两部分组成。D/A转换电路由AD558集成电路组成,电路图如下:     

电子大赛二等奖 数控直流电流源

本文中的系统创新之处在于可以通过电路的改变来实现数控电压源,通过一个双路8位D/A的使用达到1mA的步进,大大的节约了成本。系统以ATMEGA128高档8位单片机为核心处理器,主要负责D/A输出和软件里的计算。在恒流源控制电路中,输出电压在4 V以内变化。D/A输出电压控制输出电流在0到4000mA之间调节,并保持稳定。在系统中,采用TLC7528双路D/A输出电压,通过一个电压转换电流的电路实现电流的输出。外围部分通过接口键盘,具有设定值调整,微调(步进量≤10mA)调整功能,中文LCD可同时显示设定值,按键功能。     

廉价隔离型高精度D／A转换器

介绍隔离型高精度D/A转换器的设计方法:由单片机89C52产生PWM,经过光电隔离和一个双RC电路,将数字信号转换为直流电压信号,再经过电压/电流转换电路(V/I),输出0～20 mA电流信号;通过软件校正,达到较高的精度。     

采用电压跟随结构的精密电流检测系统设计

设计了一种基于电阻采样法的电流检测系统。在电流检测电路和A/D电路之间设计了电压跟随结构以消除A/D电路对电流检测过程的扰动。系统地分析了电流检测的误差来源,其主要由取样电阻器的误差、运放失调电压和ADC的失调误差三部分造成,其中运放失调电压是主要的误差来源。测试结果表明:所设计的电流检测电路可实现电流的实时检测,电流测量精度达到10μA,测量误差率小于5%。     

廉价隔离型高精度D/A转换器

介绍隔离型高精度D/A转换器的设计方法由单片机89C52产生PWM,经过光电隔离和一个双RC电路,将数字信号转换为直流电压信号,再经过电压/电流转换电路(V/I),输出0～20 mA电流信号;通过软件校正,达到较高的精度.     

一种简易的多功能参数检测装置设计

叙述了一种基于单片机的多功能参数检测装置的设计与实现过程,采用STC89C52型单片机,设计了参数检测电路、电流电压转换电路、A/D转换接口电路、LCD1602显示电路、按键接口电路等,能够实时对温度、压力、流量、液位等物理量的采集与显示。     

PC风扇自启动恒流驱动电路的设计

pC风扇自启动恒流驱动电路主要由D/A转换器和恒流源驱动电路两大部分组成,与传统驱动电路相比具有启动电流小,风扇电压零纹波,线性驱动等优点。     

微机在现代电力运动系统中的应用(下)

<正> 3.A/D转换插件RTU在厂站进行采数时,因开关只有分合两种状态,得到“0”、“1”是较方使的,但对电流电压等众多的模拟量还必须变为二进制信号再送人控制机。常用的模拟量输入部件主要由采样切换电路、数据放大电路、A/D转换电路、控制电路组成。     

先反向后常规电压补偿式双积分A/D转换原理的研究

介绍了先反向后常规电压补偿式双积分A/D转换的原理.针对桥式电阻电路、在不需要基准参考电压的情况下,实现先反向后常规电压补偿的双积分A/D转换.     

基于PIC单片机的本质安全型电流-频率转换电路设计

针对模拟量传感器的信号输出形式存在多样性的问题,设计了一种基于PIC单片机的本质安全型电流-频率转换电路。该电路采用本质安全电源供电,将模拟量电流信号经高精度采样电阻接地转换为电压信号并送入PIC单片机的A/D采样口,由软件处理后转换为频率信号。实际应用表明,该电路能满足各种电流型传感器方便接入煤矿安全监控系统的需求。     

基于BiCMOS工艺可修调的高精度低温度系数带隙基准源设计

设计了一种利用电阻比值校正一阶温度系数带隙基准电路的非线性温度特性来实现低温度系数的高精度低温度系数带隙基准源;同时设置了修调电路提高基准电压的输出精度.该带隙基准源采用0.8μm BiCMOS(Bipolar-CMOS)工艺进行流片,带隙基准电路所占面积大小为0.04 mm2.测试结果表明:在5 V电源电压下,在温度-40℃～125℃范围内,基准电压的温度系数为1.2×10-5/℃,基准电流的温度系数为3.77×10-4/℃;电源电压在4.0 V～7.0 V之间变化时,基准电压的变化量为0.4 mV,电源调整率为0.13 mV/V;基准电流的变化量为变化量约为0.02μA,电源调整率为6.7 nA/V.     

一种消除失调电压的低温度系数带隙基准电路

提出了一种利用多晶硅电阻的温度系数补偿负温度系数电压实现低温度系数的带隙基准电路,并且引入由二分频时钟控制的CMOS开关,使产生的失调电压正负交替做周期性变化相互抵消。采用BiCMOS 0.35μm工艺设计。仿真结果表明,此方法能够使MOS管在失配10%的情况下降低97%的失配,温度系数可达5.2 ppm/℃。工作电压为1.5 V～3.3 V、工作温度为-40℃～+70℃且工作在1.8 V常温下时,电路的工作电压为1.144 3 V,总电流为29.13μA,低频处的电源抑制比为-70 dB。     

基于铂电阻的温度高精度测量研究

针对采用铂电阻对温度进行高精度测量,从硬件电路和曲线拟合2个方面进行了研究。电路上采用同一个电压给传感器恒电流驱动电路和A／D转换电路作参考电压,保证了温度检测的精度,并用最小二乘法直接拟合了描述采样值一温度关系的曲线,弥补了Pt100测温时信号从铂电阻到A／D转换的过程中各个中间环节所产生的偏差。该方法可使测量偏差优于0．05℃,并已在研制的高精度温度温差控制系统中得到应用。     

高精度电流偏置电路的设计

提出了一款应用于RF无线收发芯片的高精度电流偏置电路。综合考虑功耗、面积和失调电压对基准电压的影响,设计了一款符合实际应用的带隙基准电路。并以带隙基准电路作基准电流源的偏置,采用电压电流转换器结构设计了具有高电源电压抑制比（PSRR）的基准电流源。电流镜采用辅助运放的设计方法来提高电流镜的输出阻抗,减小沟道调制效应对输出的基准电流的影响,从而提高输出基准电流的精度。采用0．35μzmCMOS工艺设计芯片版图,版图面积为0．18mm^2。提取寄生参数（PEX）仿真结果表明,该电路在-55℃～＋90℃范围内的温度系数为15．5ppm／℃,室温下基准电压为1．2035V;在低频段电流源的电源抑制比为90dB;在外接电阻从1kΩ～400kΩ变化时,输出基准电流误差范围是0．0001μA。     

一种高线性调整率无电容型LDO的设计

提出了一种1.8 V、70 mA片上集成的低功耗无电容型LDO(Low Dropout)电路。电路中采用了一级增益自举运放作为误差放大器,通过消除零点的密勒补偿技术提高了环路稳定性;带隙基准源(BGR)采用了线性化VBE技术进行高阶补偿,可以获得温度稳定性更好的BGR,降低了BGR对线性调整率的影响。该设计采用HHNEC 0.13μm CMOS工艺(其中VTHN≈0.78 V、VTHP≈-0.9 V),整个芯片面积为0.33 mm×0.34 mm。测试结果显示:在2.5 V-5.5 V电源供电下,LDO输出的线性调整率小于2.14 mV/V,负载调整率小于1.56 mV/mA;在正常工作模式下,整个LDO消耗56μA静态电流(其中测试用的放大器消耗电流约18μA)。     

一种二阶温度补偿的CMOS带隙基准电路

提出了一种可用于标准CMOS工艺下且具有二阶温度补偿电路的带隙基准源。所采用的PTAT2电流电路是利用了饱和区MOSFET的电流特性产生的,具有完全可以与标准CMOS工艺兼容的优点。针对在该工艺和电源电压下传统的启动电路难以启动的问题,引入了一个电阻,使其可以正常启动。基准核心电路中的共源共栅结构和串联BJT管有效地提高了电源抑制比,降低了温度系数。基于TSMC 0.35μm CMOS工艺运用HSPICE软件进行了仿真验证。仿真结果表明,在3.3V供电电压下,输出基准电压为1.2254V,温度系数为2.91×10-6V/℃,低频的电源抑制比高达96dB,启动时间为7μs。     

电能质量干扰发生装置的研制

电能质量干扰发生器常用于检验电力设备受电能扰动时的性能,提出了一种基于波形信号发生器加线性功率放大器的电能质量干扰发生器装置的设计方案.以可编程逻辑器件EPM7128、双口RAM和数模转换器为基础,采用直接数字合成技术设计了正弦信号产生电路.利用SM5964单片机对数模转换器的参考电压进行控制来改变波形输出幅度,实现小信号的聚升、跌落、中断和凹陷等功能.通过高压高速集成功率运放PA89A对小信号进行幅度放大,采用高压高频三极管并联技术设计了扩流电路.使用Multisim软件对功率放大电路的参数进行仿真和优化,仿真实验结果表明,该电能干扰发生装置的输出电压幅值在0 ～264 V范围内任意可调,负载电流达到2A,并能实现电压跌落、聚升、中断和凹陷等功能.     

基于PT100的高精度温度测量电路的设计

普通四线制恒流源驱动测温系统受温度电流漂移等影响,温度测量准确率很低,很难超过0.1℃量级.基于PT100设计了一种改进的恒流源驱动四线制高精度温度测量电路,通过采样温度稳定系数高的高精密电阻的电压和铂电阻电压的比值,消除了恒流源由于温度漂移等因素影响的电流变化,使得输出电压比值与铂电阻成良好的线性关系.利用LTC2492A/D转换器对信号进行采样,将信号传送给ATMEGA32单片机,单片机进行数据处理并保存和显示数据.实验测试结果表明,该电路温度测量的精度和稳定性均可以达到5‰之内,与理论值一致.     

一种用于安全芯片的高性能温度监测传感器设计

基于Global Foundry（GF）0.18μm标准CMOS工艺,设计了用于安全芯片的高性能温度监测传感器。该传感器利用PN结正向偏置电压与温度的近似线性关系监测环境温度变化,其集成度高、可靠性高、功耗低,并且能够在宽温度范围内正常工作。测试结果表明：在一定温度范围（-50-140℃）内,其温度系数为-4.47mV/℃,线性度良好;当电源电压为3.3V时,功耗仅为10.04μW,满足安全芯片的设计要求。     

Low‐temperature poly‐Si TFT‐LCD with an integrated analog circuit

We have developed a 6‐bit D/A converter and amplifier integrated low‐temperature poly‐Si TFT‐LCD in which an integrated signal‐line driver is driven by a 5‐V power supply. We have employed a D/A converter including a new capacitor array and an original amplifier comprised of serially connected comparators to achieve high accuracy. The D/A converter performs gamma correction using upper significant bits of input data. Control signals for these circuits were generated by the integrated timing circuit. These advances in integration have been achieved for the first time using 3‐μm design rule and improved LTPS TFT technologies and provide an advanced display system with lower power consumption, smaller module size, and higher durability.