MCM 68308 MOS N沟硅栅1024×8位唯读存贮器

MCM60308是为母线结构系统而设计的掩膜可编程序字节结构存贮器,采用 N 沟硅栅工艺制造,为方便应用,器件以单电流工作,并与 TTL 及 DTL 兼容,由于静态工作,因此不需时钟或刷新。谈存贮器可与 M6800微计算机系列相容,以字节增量形式提供唯读误存贮。通过多级片选输入实现存贮器扩展,片选输入作用电平及再贮器容量由用户确定。     

MCM 6832 MOS N沟低阈值2048×8位唯读存贮器

MCM 6832是为在母线结构系统使用而设计的掩膜可编程序字节结构存贮器。采用 N 沟硅栅工艺制造。为便于应用,器件与 TTL 及 DTL 兼容,由于静态工作,因此无需时钟和刷新。该存贮器与 M6800微计算机系列兼容,以字节增量形式提供唯读存贮。通过片选输入实现扩展。片选输入的有效电平和存贮器内容由用户确定。     

高速MOS存贮器

作为现代电子计算机和电子交换机等信息处理装置的主存贮器和缓冲存贮器,半导体集成电路存贮器正受到注视。本文描述关于采用廉价的MOS集成电路作存贮单元而用双极集成电路作外围电路所构成的超高速缓冲存贮器的可能性的探讨、各个电路的设计、大规模集成(LSI)电路的构成和使用这样LSI电路存贮装置的试制研究结果。LSI是在同一陶瓷基片上把读出线和位线分离的MOS存贮单元和双极外围电路(矩阵、读出放大器)用梁式引线连接起来的多片形式。得到的高性能水平是单个512位LSI的取数时间为6毫微秒,1K字节存贮装置的取数时间为30毫微秒、周期时间为35毫微秒。从存贮装置的特性研究中判明了这次采用的电路形式和LSI的构成方法,对于高速化、高密度化是非常有效的。     

MAS-ROM-可以用电的方法重新编存程序的带译码器的只读存贮器

简介——本文对在芯片上进行X-Y矩阵译码的金属一氧化铝-硅(MAS)只读存贮器的电特性和可靠性进行评价。MAS只读存贮器利用栅绝缘物薄膜中的所谓电荷存贮现象,是可以反复用电编存程序和不易失信息的集成电路存贮器组件,其中一位存贮单元。仅由一个N沟道增强型MAS晶体管组成。有选择地从沟道注入电子使晶体管阀值电压增大,而在栅极外加大的负电压使阀值电压减小。可靠性试验表明长期衰减对时间呈对数依赖关系,在150℃栅压为+10伏下,每10年存贮时间的衰减斜率为0.7伏。 使用由一台中型计算机、一个命令输入键盘、一组舌簧开关板和一台存贮型阴极射线管图解输出装置组成的人-机相互会话操作系统,对MAS只读存贮器进行鉴定。为证明MAS只读存贮器是切实可行的,以一个4 K字节的只读存贮器系统作为一台小型计算机微程序存贮器的样机进行了评价,其取数和周期时间为150毫微秒。     

9404型软盘驱动器

<正> 一、概述9404型软盘驱动器(如照片所示)是一种利用单片可换软盘作为存贮介质的廉价、高可靠随机存取的存贮装置。该装置可使用硬扇区或软扇区两种类型的介质盘片。9404型软盘驱动器适用于许多方面,如:智能终端、可编程序计算器、电子测试设备、文字符号处理器、小型商业系统、计算机程序和数据存贮器、成批处理终端存贮器、键盘一软盘输入装置及许多其他小系统,例如:IBM系统/32型廉价存贮器等。     

动态存贮器构成的68000存贮系统

支持68000的最大存贮容量为16M字节,已在各方面有所应用,但大部使用的是静态存贮器(SRAM)。若用动态存贮器(DRAM)构成一个存贮系统,则具有体积小、功耗少、成本低、性能价格比好的特点,为人们所注意。但与静态存贮器相比,必须在线路上安排定期进行刷新。这类刷新的电路尽管各自特点不同,但统属二种类型,一类是由 TTL 门构成的,另一类是由 DRAM 控制器构成的。本文就这二类问题作个初步探讨。     

Z80-DMA在DJS-041机上的联机试验

Z80-DMA(直接存贮存取控制器)是可编程的对数据进行控制、处理和传送的部件。其基本思想是脱离CPU由DMA控制系统总线,从而大大提高数据的传送速率。其传送速率可达100万字节/秒(Z80-DMA_A)～200万字节/秒(Z80-DMA_C),检索速率可达1.25兆字节/秒～2.5兆字节/秒。其基本功能为: 1.在两口之间进行数据传送(存贮器、I/ON); 2.对一个存贮器或I/O设备检索; 3.在两口之间既传送又检索。系统连接示意图见图1。     

ROS设计中一种减少存贮单元的技术

引言 一台n个输入端(n位地址)和m个输出端(m位字)的只读存贮器存贮2~n×m位信息、简称为2~n×m位ROS。将单片阵列用作为ROS要依赖于一有效的存贮(写一次)程序(或ROS的定型(Personalization)。通常考     

高性能单片存贮器

本文包括三篇译文: (1)“高性能单片存贮器”——介绍IBM360/85系统等应用的高速双极缓冲存贮器的系统考虑、逻辑型式以及外围电路和使用情况。 (2)“64位平面双扩散存贮器芯片”——介绍上述存贮器所用的双极存贮芯片、工艺结构,布线图形和器件性能。 (3)“一种新型高性能双极单片存贮单元”——介绍上述存贮器阵列单元的电路原理、工艺图形设计及性能参数。     

64位平面双扩散单片存贮器芯片

本文将描述集成电路工艺在存贮器应用中的成功开拓。 两片相同的64位三维组织的单片硅存贮器芯片焊接点朝下安装在一块标准组件上,如图1所示构成高速不破坏读出缓冲存贮器。每个存贮芯片工作时功耗为112毫瓦,并给出差动集电极输出2毫安的“1”信号,相应的噪音信号可忽略。不破坏读“1”信号延迟为7毫     

80386高速缓冲存贮器的设计

Intel 80386微处理器能以每秒处理三、四百万条32位指令的持续速度工作。为发挥386全部潜力,需要一个胜能优越的存贮系统,从而使386能快速存取代码和数据。存贮系统不仅要求速度快,同时为了386能完成在许多大规模应同中存贮程序与数据的需要,存贮量要求很大。这样,系统设计者面临着提供价格合理、大容量高速度存贮器的挑战。微处理器通常使用DRAM.(动态随机存取存贮器),这种存贮器提供了价格合适的存贮,并可在上一代微处理器要求的速度     

大容量半导体存贮器

本文对采用双极晶体管技术的集成电路存贮器与采用各种绝缘门场效应晶体管(IGFET)存贮器进行了比较。P沟道IGFET存贮单元与双极晶体管存取电路结合,似乎能提供所希望的一些特性。文章考虑了存贮机构、单片设计、封装及互连等问题。在半导体存贮器中,梁式引线密封结工艺比其它封装和互连工艺有更大的优越性。 作者考察了兆位计算机存贮器设计中的某些问题,着重考察了有关功耗,互连、可靠性、维修、造价等问题。最后对基于现有技术的兆位半导体存贮器可能具有的特性与磁芯存贮器,平面薄膜存贮器和磁环线存贮器的特性进行了比较。从这些调查研究中得出结论:半导体存贮器不管在小容量或在大容量存贮器应用中都大有前途。     

80386DRAM存贮体的设计

一、前言80386 32位微处理器可与静态 RAM(SRAM)、动态 RAM(DRAM)和高速缓冲存贮系统进行接口。由于 DRAM 存贮器在访问和周期刷新之间需要预充时间,所以 DRAM 存贮器的数据传送速度往往要低于 SRAM 存贮器。然而 DRAM 存贮器具有以低价格构成大容量存贮系统的特点,因而得到了广泛的应用。     

MCM6810A MCM6810Ac MOS(N-沟硅柵)——128×8位静态随机存取存贮器

MCM6810是一种按字节存取的存储器,用于按总线选择的系统。用 N-沟硅栅工艺制造。为便于使用起见,器件由单一电源驱动,与 TTL,DTL 相容,由于静态操作,不需要时钟或刷新。存储器与 MC6800微处理机系列相容,按字节增量提供随机存储。通过多路片选输入,提供存储器展开.按128字节×8位.     

186机系统结构

<正>186计算机的系统结构在保留单总线结构的情况下,采用高速缓冲存贮器加速中央处理机与主存之间的信息交换,提高了总的系统的系统性能。 存贮管理部件提供了存贮扩充、存贮分配和保护,成为接纳先进操作系统的必要条件。 186计算机可选配功能很强的浮点处理机,用户微程序模块,和微诊断选件,使186机具有广阔的适应面。为了适应不同使用面的     

国际标准“十一片可换磁盘组”的磁道半径计算

可换磁盘组驱动器作为电子计算机的主要外存设备,由于存贮容量大、取数速度快、可换磁盘组既可随机存取、又可脱机保存,并可在同类型的不同驱动器上互换使用、扩大信息交换范围,因而获得广泛的应用。存贮容量为29兆字节的“十一片可换磁盘组”驱动器即是国内外广泛应用的一例。     

EPROM的特殊应用

<正> EPROM 是半导体材料制成的可擦除可编程只读存贮器,一般作为计算机系统中存贮程序指令、数据和表格的只读存贮器。一片EPROM 分为地址线、数     

IBM—PC个人计算机新价格

机型与选件(美元)(美元)PC机(内存256KB,36oKB软盘机)便携式PC(内存25eKB,一台360KB软盘机)PC一XT机(内存256KB,10兆字节硬盘机)64KB存贮器64/256KB内存扩充板(可扩至384KB)软盘机适配器36oKB软盘机1。兆字节硬盘机固定盘适配器单色显示器图形打印机运算处理器游戏控制器样机板     

第一部分 RUPI~(TM)—44系列:带有片上通讯控制器的微控制器

引言 RUPI—44系列是专门为要求远程节点智能化,节点间具有通讯能力的分布应用而设计的。RUPI—44将Intel高性能微控制器、8051单片机与一个智能串行通讯控制器,即串行接口部件SIU集成于一体,见图1。这种双控制器结构允许更有效地实现复杂的控制和高速数据通讯能力。 RUPI—44系列有三类; ·8344——带有SIU的8051微控制器。·8044——带有4K字节片上ROM程序存贮器的8344。·8744——带有4K字节片上EPROM程序存贮器的8344。     

存贮管理

操作系统的存贮管理模块涉及到主存的管理。此处所谓主存指的是处理机可直接存取指令和数据的存贮器(参见图1-1),通常称为磁芯存贮器。具体讲,存贮管理涉及到下面四个功能: