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用正电子湮没方法鉴别InP半导体中的缺陷 总被引:1,自引:0,他引:1
本文测量了各种InP样品中的正电子寿命谱,用正电子湮没率连续分布测量(CON-TIN分析)结合PATFIT分析正电子寿命谱,肯定了在n型和半绝缘型InP中有In空位VIn和P空位VP,而在p型InP中只观察到In空位VIn.正电子寿命的温度关系表明所观察到的n型和半绝缘型中的VIn和VP以及p型InP中的VIn均为电中性.改进了常规的多普勒展宽谱仪.利用这一谱仪测量了n型及半绝缘型InP的多普勒展宽谱,结合正电子寿命测量结果,观察到在掺Fe的半绝缘型InP中存在VP-Fe络合物 相似文献
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利用同步辐射光电子能谱研究了室温下Na吸附下于P型InP(100)表面对其氮化反应的影响.通过P2p、In4d芯能级谱的变化,对Na/InP(100)表面的氮化反应的研究表明,碱金属Na的吸附对InP(100)无明显的催化氮化作用,即使采用N2/Na/N2/Na/N2/Na/InP(100)的类多层结构,在室温下也只有极少量的氨化物形成,而无明显的催化氮化反应发生.碱金属吸附层对Ⅲ-Ⅴ族半导体氮化反应的催化机制不同于碱金属对于元素半导体的催化反应机制,碱金属对元素半导体的催化氮化反应,吸附的碱金属与元素半 相似文献
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2MeV、(1~2)×1014cm-2硅离子注入SI-InP(Fe)造成负的(-3.4×10-4~-2.9×10-4)晶格应变,光快速退火的激活能为0.26eV。880℃/10s退火可得到100%的施主激活。间断两步退火(375℃/30s+880℃/10s)使注入层单晶恢复完全,较大程度(20%~35%)地改善了载流子的迁移率。四能量叠加注入已能在0.5~3.0μm的深度区域形成满足某些器件要求的低电阻(7.5Ω)高浓度[(2~3)×1018cm-3]的n型导电层。 相似文献
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X射线衍射动力学理论研究As~+注入Si 总被引:1,自引:0,他引:1
本文用DCD法测量了注入能量为160keV,剂量为1e14~3e16cm-2,退火温度为500~700℃的As+注入Si<111>的Rockingcurve.在建立台阶模型和分布函数的基础上,用XRD动力学理论和最小二乘法拟合实验曲线,得到晶格应变随注入深度的变化,以及在不同退火温度下的恢复情况.实验发现,剂量为1e16cm-2、600℃退火,Rockingcurve出现双峰,说明有固相外延层形成.剂量大于1e15cm-2,呈现了非晶特性. 相似文献
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本文报道Si+注入InP材料与AuGeNi合金和W金属膜的欧姆接触特性.发现Si+单注入样品与二者均形成较好的欧姆接触,共P+注入的样品中比接触电阻则大大下降(约小一个数量级).卢瑟福背散射分析表明,600℃热处理后W金属膜与InP界面作用很小,而800℃热处理后界面有一定的互扩散. 相似文献
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硅分子束外延中硼δ掺杂生长研究 总被引:3,自引:0,他引:3
利用硅分子束外延技术和B2O3掺杂源,成功地实现了硅中的硼δ掺杂,硼δ掺杂面密度NB可达3.4e14cm-2(1/2单层)以上,透射电镜所示宽度为1.5nm.我们首次用原位俄歇电子能谱(AES)对硼在Si(100)表面上的δ掺杂行为进行了初步的研究,发现在NB<3.4e14cm-2时,硼δ掺杂面密度与时间成正比,衬底温度650℃,掺杂源温度9000℃时,粘附速率为4.4e13cm-2/min;在NB>3.4e14cm-2时,粘附有饱和趋势,测量表明在硼δ掺杂面密度NB高达4.4e14c 相似文献
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本文报道了平面结构正面进光高速GaInAs/InP平面PIN光电二极管(使用Si-InP衬底)。该器件具有高的稳定性(在150℃下经1440小时高温老化后,暗电流无变化),大带宽(15GHz),高响应度(在1.3μm波长下,响应度为0.94A/W)。 相似文献
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研究了快速热退火对应变InAs/InP单晶子阱结构光学性质的影响。样品经最佳条件700℃,5s的快速热退火,8K温度下量子阱的荧光强度地加了4倍,量子阱荧光峰仅蓝移1.5meV。 相似文献
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本文指出两种不同的补偿机理是引起深硼注入后观测到的载流子移出的原因:1)注入损伤,它主要引进导带下约0.55eV处的一个深能级窄带并且可在500℃左右温度下退火消除;2)形成硼施主络合物,可用它解释S70℃退火后仍观测到的载流子移出效应。 相似文献
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本文应用量子限制Stark效应理论计算了InP系量子阱中激子的波函数及激子的能量.在此基础上,计算了不同电场条件下激子能量的红移,以及吸收系数的变化.然后,根据K-K关系计算了折射率的变化,得到了一定强度外电场条件下,折射率变化与波长、组份及阱宽的关系.按照我们的计算,折射率变化可达2.54e-2. 相似文献