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霍芸生 《激光与光电子学进展》2001,(12):44-50
辐射蓝光的氮化镓半导体激光器研制工作中的最新成就可能具有广泛的技术和商业上意义。这种短波长激光的波长在 4 0 0 nm左右 ,仅为砷化镓激光的一半。因此将它们应用于光存贮和打印能得到更高的空间分辨率。高光子能量也将为这些价格低廉而小巧的光源打开新应用领域。将现有的红外和红光波段成熟的半导体激光技术延伸到包括蓝光及近紫外区域 ,让使整个可见光谱联结起来 ,让使半导体激光器成为一种完全令人满意的器件。同时由于对此类器件尚有大量的微观机制未搞清楚 ,因而提出了很多研究课题 ,例如电荷的控制、输运 ,以及受激辐射光增益的… 相似文献
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本文综述了蓝光LED和激光二极管的新进展。氮化镓材料系作为未来短波半导体光源的优质日益明显,以GaN为基的超高亮度的蓝,绿光LED获得重大进展,以GaN为基的蓝光激光二极管也已诞生。本文着重了介绍了GaN蓝光器件衬底的种类和制备方法,对量子阱LED和新诞生的多量子阱InGaN蓝光激光二极管的结构及特性也进行了重点介绍。 相似文献
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α-Al_2O_3衬底上GaN膜瞬态光电导性质研究 总被引:1,自引:2,他引:1
本文报道了蓝宝石(α-Al2O3)衬底上GaN薄膜的瞬态光电导性质.用YAG∶Nd脉冲激光器测量的光电导衰减曲线存在两个特征区域,即起始衰减区域和拖尾区域,分别对应时间常数:τ01~0.1ms和τ02~1.0ms.在相同偏压和光强下,加热样品至300℃,光电导衰减曲线的两个特征区域均发生变化,对应的两个时间常数都相应变小.实验结果说明在导带边几十meV内存在大量陷阱.对衰减曲线起始200ns取样,发现光照时光电导呈“S”形上升,停止光照,光电导锐利下降并出现振荡,表明光照停止后,载流子在导带和深陷阱能级的 相似文献
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报道了用国产APMOCVD系统生长GaN材料。研究了GaN过渡层生长温度、氮化时间、Ⅴ/Ⅲ比对GaN外延层晶体质量、光学性质的影响。发现低温生长GaN过渡层和氮化处理有利于提高GaN外延层晶体质量,高Ⅴ/Ⅲ比可以抑制GaN外延层中550左右的发光。 相似文献
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朝阳 《激光与光电子学进展》2006,43(11):12-13
美国加州大学的中村修二教授——蓝光二极管的发明者,由于其在发光二极管方面的卓越贡献而获得了由芬兰科技组织颁发的科技大奖——2006千禧技术奖。 相似文献
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InGaN/GaN多量子阱蓝光LED电学特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对不同温度(120~363 K)下InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构蓝光发光二极管(LED)的电学特性进行了测试与深入的研究.发现对数坐标下I-V特性曲线斜率随温度变化不大.分别用载流子扩散-复合模型和隧道复合模型对其进行计算,发现室温下其理想因子远大于2,并且随着温度的下降而升高;而隧穿能量参数随温度变化不大.这说明传统的扩散-复合载流子输运模型不再适用于InGaN/GaN MQW蓝光LED.分析指出由于晶格失配以及生长工艺的制约,外延层中具有较高的缺陷密度和界面能级密度,导致其主要输运机制为载流子的隧穿. 相似文献
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在蓝宝石衬底上低压MOVPE生长GaN单晶 总被引:5,自引:0,他引:5
研究用水平反应室低压金属有机物汽相外延方法在C面及R面蓝宝石衬上外延生长CaN单晶。讨论了反应室中气流分布和汽相反应对GaN外延生长的影响提出了不同的衬底晶向对外延GaN表面形貌产生影响的机制。 相似文献