阶跃电压法测量产生寿命的简单方法

采用Ｚｅｒｂｓｔ产生区宽度模型，提出了阶跃电压法中一个计算简单、方便、快捷的确定产生寿命的方法。     

阶跃电压法确定产生寿命的计算公式

采用一个最近发展起来的产生区宽度模型，导出了描述阶跃电压作用下ＭＯＳ电容器的电容－时间瞬态特性方程，给出了阶跃电压法确定产生寿命的一个计算公式。     

适用于少子产生寿命CAM的线性电压扫描法

提出了 MOS电容线性电压扫描法测量半导体少子产生寿命的新方法。通过在 MOS C-t瞬态曲线上读取 n个不同时刻的电容值 ,确定出相应的少子产生寿命值。该方法基于最小二乘法原理 ,可有效地消除测量误差的影响 ,其精度随读取点的增加而提高 ,特别适合于少子产生寿命的计算机辅助测量。     

半导体少子产生区宽度线性模型的研究

基于对半导体表面产生区宽度特点的分析，提出了与表面空间电荷区宽度呈线性关系的产生区宽度新模型。该模型形式简单，精度较高。数理统计分析结果表明，该线性模型是合理的。     

饱和电容法快速确定体产生寿命和表面产生速度

本文分析了线性电压扫描下MOS电容的C-t瞬态响应,在此基础上,发展了一种快速确定体产生寿命和表面产生速度的新方法.该方法实验手续和计算均较简单,适于在需要确定很多样品的体产生寿命和表面产生速度场合下应用.     

钠乙烷准分子产生钠D_2线荧光寿命的实验研究

准分子宽带抽运钠金属激光器具有实现钠信标光源的潜质,该激光器在运转过程中需要借助准分子将钠原子由基态转换为激发态,因此有必要对由准分子解离产生的钠原子激发态荧光寿命开展实验研究。采用不同波长的蓝翼抽运光对不同温度的钠乙烷准分子体系进行激发,分别测量钠D_1线和钠D_2线的荧光寿命。结果表明,3~2P_(3/2)与3~2P_(1/2)能级的荧光寿命明显长于其自然寿命,且激发波长越长,荧光寿命延长得越明显。辐射捕获效应是导致荧光寿命延长的另一个因素。随着泵浦单光子能量下降,钠乙烷准分子被激发到A~2Π_(3/2)态的概率变大,能够长时间产生激发态钠原子,这也会使荧光寿命延长。与钠D_1线相比,钠乙烷准分子体系钠D_2线的放大自发辐射信号的可放大性更好。更好的可放大性以及较长的荧光寿命使得钠D_2线激光更易于实现。     

非饱和C-t法确定体产生寿命和表面产生速度

本文在分析线性扫描电压下MOS电容的C-t瞬态响应基础上,提出了一种直接由测量得到的非饱和C-t曲线确定体产生寿命和表面产生速度的新方法.该方法尤其适用于长寿命测量.所测结果与阶跃电压法和饱和电容法相符.     

脉冲MOS结构少子产生寿命的统一表征

本文提出了一种采用脉冲ＭＯＳ结构测量少子产生寿命的统一表征谱方法，此方法基于任何一种收敛弛豫过程均可以转换成一种衰减的指数函数的思想，应用关以样原理获得脉冲ＭＯＳ结构瞬态电容差值谱，从谱图中我们可以直接得到关于少子产生寿命信息。本文综合了众多脉冲ＭＯＳ结构测量少子产生寿命的物理模型，分析了不同模型之间的精细差别。     

确定性退火算法在"伪装"入侵行为检测中的应用

本文提出了一种基于确定性退火算法的检测"伪装"入侵行为的方法.在该方法中,每一个用户被看作是一个离散变长记忆的平稳信源,被"伪装"的入侵者利用的账户所产生的命令行字符序列可以被看作是由该账户的相应用户和"伪装"的入侵者两个不同信源在不同时段活动的混合结果.我们通过对命令行字符序列的分析来重构原信源模型以判断是否存在入侵行为.实验结果表明该模型是可行的.     

染料放大介质中新纵横的产生

实验上首次观察到多纵模超短腔染料激光脉冲经染料放大器放大时产生纵模的新现象,产生的新模处于增益带内紫端,强度可与旧模相比拟。理论上用三阶非线性极化来解释。由于多重共振放大,使产生新模的转换效率很高。该效应可作为扩展染     

两次线性电压扫描法测量半导体的产生参数

采用形式简单但较为精确的Ｐｉｅｒｒｅｔ的产生区宽度模型，分析了线性扫描电压作用下ＭＯＳ电容器的电容一时间（Ｃ—ｔ）瞬态特性。在此基础上，建议了一种通过两次不同电压扫描率的线性电压扫描来测定半导体的体产生寿命和表面产生速度的方法。     

一种适合于计算机辅助测量的产生寿命确定方法

提出了MOS电容线性电压扫描法产生寿命测量的新方法。通过在MOSC t曲线上读取n个不同时刻的电容值 ,计算出相应的产生寿命值 ,其精度随读取点的增加而提高 ,该方法也特别适合于计算机辅助测量系统。     

一种新的确定少子产生特性的方法--瞬态电容弛豫谱方法

本文基于差值取样谱定理,提出一种用于同时确定少子寿命及表面产生速度的新方法———瞬态电容弛豫谱方法,该方法利用谱的峰值位置和高度能同时、准确、唯一地得到少子寿命及表面产生速度．同时将该方法与Ｚｅｒｂｓｔ方法得到的结果进行了对比．     

Theoretical and practical investigation of the thermal generation in gate controlled diodes

The different components of thermal generation in a gate controlled diode are studied theoretically and experimentally. Expressions for the generation current in the space charge layer, the diffusion current from the quasi-neutral bulk and the surface generation current are derived for a gated-diode. The width of the generation zone within the space charge layer is calculated as a function of the energy level of the trap and the diode reverse voltage. This leads to a characteristic of the leakage current as a function of the space charge layer width. It is pointed out that the diffusion current can influence the leakage current and cannot be neglected in structures with a low dark current. In the second part the gate controlled diode is used to characterize the thermal generation in structures with a homogeneous and low dark current. A generation lifetime of 5.5 msec and a surface generation velocity at a depleted surface of 1.5 cm/sec is derived. The generation lifetime is found to be constant as a function of depth into the substrate. A considerable diffusion current is measured which is comparable to the generation current in the space charge layer.     

Characterization of Generation Lifetime and Surface Generation Velocity of Semiconductor Wafers by a Contactless Zerbst Method

A contactless Zerbst method has been developed to characterize the generation lifetime and the surface generation velocity of a semiconductor wafer. This characterization is unaffected by the gate leakage current or the device fabrication process. In this study, this contactless Zerbst method was used to characterize the generation lifetime and the surface generation velocity of a partially Au-doped Si wafer. The results demonstrate that the contactless Zerbst method is a powerful technique for characterizing the generation lifetimes and the surface recombination velocities of semiconductor wafers.     

Field enhanced carrier generation in MOS-capacitors containing defects

Minority carrier generation lifetime was measured as a function of depletion width on wafers with different densities of defects. The results were compared with theoretical predictions for field enhanced carrier emission from coulomb centers. We found that capacitors with a very low lifetime due to stacking faults or metallic precipitations show a drastically enhanced field dependence of generation rate. Agreement with theory can be obtained if we assume a locally enhanced electric field at the defects which can be one order of magnitude higher than the average bulk field.     

光伏发电系统并网的母线保护研究

针对光伏发电系统并网技术的特点,分析了系统并网后对配电网继电保护的影响,提出了通过利用母线保护物理对象的函数关系来构建光伏发电系统并网的交流母线保护的ANN模型的新方法。采用该方法解决了光伏发电系统并网造成交流母线保护误动作的问题。     

大模场光子晶体光纤中超连续谱的产生与控制

探索利用大模场光子晶体光纤产生大功率、高光束质量的超连续谱。采用分步傅里叶方法求解广义非线性薛定谔方程(GNLSE), 模拟了光脉冲在大模场光子晶体光纤中非线性传输和超连续谱的产生过程。着重分析了光子晶体光纤长度和抽运脉冲的峰值功率、啁啾等对超连续谱产生的影响, 讨论了大模场光子晶体光纤中光谱的非线性展宽机制。发现可将超连续谱产生过程分为初始展宽、剧烈展宽和饱和展宽三个阶段。合理选择光纤长度, 使产生的超连续谱处于剧烈展宽阶段时输出, 既能够得到较宽的光谱, 又能够保证较高的效率。抽运峰值功率对超连续谱的产生有重要影响, 当输入功率较小时, 脉冲的频谱成对称展宽, 仅有自相位调制(SPM)效应起作用, 其他高阶效应的影响都很弱。随着脉冲功率的增加, 频谱短波方向变化较小, 光谱向长波方向展宽。同时, 脉冲时域出现振荡调制, 振荡的起因与光波分裂现象有关。抽运光初始啁啾对超连续谱的产生也有重要影响。当啁啾为正时, 啁啾量的大小对产生超连续谱的影响较小, 蓝移方向基本没有影响, 而红移部分能量随着啁啾量的增大向长波方向转移, 超连续谱总的宽度变化较小; 当啁啾为负且满足一定条件时, 其中的非线性作用得到增强, 有利于光谱展宽。