ULSI用硅片的缺陷与表面质量

提高大直径硅片质量的努力仍朝着提高晶体完整性，硅片表面的质量与洁净度等方向发展，新发现的ＣＯＰｓ缺陷与红外散射检出的微小缺陷是当前研究的重点，这些缺陷是在晶体生长过程中生成的，与晶体拉速和热历史有关，而且直接影响着ＵＬＳＩ的成品率。只靠调整拉晶条件，目前尚难以全面地改善单晶的质量。９０年代才引起注意的硅片微粗糙度对高集成度电路和成品率与直接键合硅片的质量有明显的影响。正在开发的硅片高温退火工艺可明     

硅片和硅器件工艺中的背面损伤吸除技术

本文介绍了硅片背面的三种主要损伤吸除技术：机械损伤、激光辐照和离子注入技术。对这三种吸除技术的机理、工艺条件、应用情况和近来进展，作了详细的评述。     

热处理钢板缺陷预防

南京钢铁股份有限公司板材事业部中板厂热处理。紧紧围绕南钢中板厂的经营目标、针对现场生产暴露出的典型质量问题,不断地对设备、操作、工艺、自动化控制进行改进和创新,运用质量管理理论、方法开展一系列质量改进活动。基于此,文章就热处理钢板缺陷预防的问题展开了探究。     

硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究

硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究刘峥，翟富义，张椿，尤重远（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：硅片，背损伤，雾缺陷，吸除作用（一）引言双极型与ＮＭＯＳ集成电路制造用硅抛光片经常会遇到“雾缺陷”问题，它是指经过高温（大于１０５０℃）氧化后的ｐ...     

高温氩/氢混合气氛退火对硅片表面质量的影响

研究了高温退火过程中氩/氢混合气氛对300 mm硅片表面质量(原生颗粒缺陷和微粗糙度)的影响。在氢气含量不同的氩/氢混合气氛中,对样品进行1100℃,1 h的高温退火处理,研究退火前后硅片表面原生颗粒缺陷和微粗糙度值的变化。实验结果表明,氩/氢混合气氛中氢气的含量对硅片表面原生颗粒缺陷的消除没有促进也没有抑制作用,增加氢气比例能促进硅片近表层处空洞型缺陷的消除;混合气氛中氢气的存在使得退火后硅片表面的微粗糙度值增加的更多,同时随着氢气比例的增加,表面微粗糙度增加的百分比总体呈递增趋势。最后就氢气对硅片近表面处空洞型缺陷的消除促进作用和氢气至表面微粗糙度变化机制做了分析。     

热挤压工模具真空热处理缺陷及预防对策

叙述了热挤压工模具的真空热处理缺陷,通过改进措施,提高了工模具质量,降低了生产成本。     

中厚板热处理表面质量缺陷分析与控制

对热处理易出现的丸料压入、钢板下表面炉底辊压痕和钢板边部挤压变形等质量缺陷进行原因分析。通过对抛丸机组改造,在抛丸机上表面增加刮板和吹扫装置,改造下表面抛丸辊道;采用专用的钢板进行洗炉,清理黏附在炉底辊道表面的氧化铁皮;优化装炉制度和工艺参数,制定装炉偏移控制等措施,有效控制热处理钢板的表面质量。钢板热处理质量得到明显改善,提高了产品质量的控制能力。     

低压铸造铝合金缺陷分析与热处理工艺分析

在本篇文章中,主要分析铸造铝合金存在的质量隐患,结合实际情况提出了相应的预防措施,探究了保温时间、时效、工艺等多项因素对铸造铝合金组织和性能产生的一系列影响,明确准确的热处理工艺参数。     

采用热处理技术消除转炉炉帽焊接缺陷的实践

通过对导致炉帽漏水的原因分析、采用高温回火的热处理方法，消除转炉帽的焊接内应力和焊接热影响区缺陷。     

Defects in Fast-Neutron Irradiated Nitrogen-Doped Czochralski Silicon after Annealing at High Temperature

Fast-neutron irradiated nitrogen-doped Czochralski silicon (NCZ-Si) was annealed at 1100 ℃ for different time, then FTIR and optical microscope were used to study the behavior of oxygen. It is found that [Oi] increase at the early stage then decrease along with the increasing of anneal time. High density induced-defects can be found in the cleavage plane. By comparing NCZ-Si with Czochralski silicon (CZ-Si), [Oi] in NCZ-Si decrease more after anneal 24 h.     

高温氩退火对直拉CZ硅单晶中空洞型微缺陷的影响

研究了高温氩退火对大直径直拉硅单晶中晶体原生粒子缺陷(COP)的消除作用.分别在不同温度和保温时间下进行退火,然后利用表面扫描检测系统SPI测量退火前后硅片表面COP的密度变化,来表征退火对COP的消除作用.研究发现,在1200℃退火2h能够显著降低硅单晶表面区域的COP密度,并且随着退火时间的延长COP的密度降低得越多.然后,把所有的退火硅片抛去不同的厚度,检测COP在厚度上的分布,进而得出退火对COP消除的有效距离为0～10 μm.因此,可以得到高温氩退火只能够消除硅片表面的COP缺陷,而对于硅片内部的这些缺陷影响较小.     

连续退火温度对高硅双相钢组织及性能影响

 用连续退火模拟试验机,在实验室试制了冷轧高硅DP590,并通过扫描电镜、EBSD、透射电镜和力学性能测试研究了不同退火温度（735~835℃）对其组织和力学性能的影响。结果表明：退火温度对高硅双相钢强度和塑性有重要的影响,当退火温度为785℃时,材料获得良好的综合力学性能。不同温度退火后得到的组织均为铁素体和均匀分布在其晶界上的岛状马氏体;利用EBSD技术清晰地观察到离散分布于铁素体和马氏体晶界处的残余奥氏体。运用透射电镜观察到马氏体周围的位错线及位错团,这是双相钢连续屈服特性的重要保障。     

退火温度对冷轧无取向硅钢组织结构和磁性能的影响

研究了成分为0.003%C- 1.6%Si的0.5mm无取向冷轧板850～1000℃退火后的晶粒、织构、铁 损和磁感应强度。试验结果表明,随退火温度增高,晶粒的平均尺寸由850 ℃23μm 增加至1000℃115 pm, 铁损由850℃4.36 W/kg降低至1000℃3.35W/kg,磁感应强度在920℃退火达到最大值1.732 T。随退火温 度继续升高,磁感应强度逐渐降低至1000℃1.717 T     

二次冷轧的中间退火温度对2.3Si无取向硅钢组织和性能的影响

试验2.3Si无取向硅钢(/%:0.003C,2.30Si,0.16Mn,≤0.020P,≤0.005S,0.54Al)冷轧板由常化和未常化的2.5 mm热轧板冷轧至0.6 mm(压下率76%),经750~950℃ 2.5 min中间退火后再冷轧至0.5 mm(压下率16.7%),成品板经890℃+960℃ 2.5 min退火。研究了中间退火温度对该钢晶粒尺寸、织构和磁性能的影响。结果表明,随中间退火温度的升高,二次冷轧前晶粒和成品晶粒增大,成品中不利织构组分{111}和{112}减弱,磁性能得到改善。热轧板经过常化时的磁性能明显好于未经常化时的磁性能,但中间退火温度较高时常化对磁性能的有利作用减弱。     

轻/重水堆中子辐照氢区熔硅退火特性的比较

用电阻率测量、金相观察以及红外光谱等方法分别研究了氢区熔硅单晶在轻水反应堆和重水反应堆进行中子辐照后的退火特性。电阻率退火曲线表明，两种中子辐照样品都存在氢致施主。随着退火温度由低到高，轻水堆辐照样品存在一个导电类型由ｐ型到ｎ型的转型过程，而且在这种转型过程中，有一个明显的“周边滞后”现象。在重水堆辐照样品中，热处理缺陷表现为氢致Φ型缺陷（大麻坑），而在轻水堆辐照样品中，热处理缺陷表现为尺寸小得多的氢沉淀。红外光谱测量结果表明，重水堆中子辐照的样品经短时退火后观察不到氧沉淀，而在轻水堆辐照样品中存在吸收峰在１２３０ｃｍ－１附近的氧沉淀。     

高硅难选氧化锌矿中锌及伴生金属碱浸出研究

考察了氧化锌矿的粒度、浸出温度、浸出时间、碱浓度及液固比对碱浸出高硅难选氧化锌矿中Zn及伴生金属浸出率的影响。结果表明:氧化锌矿粒级对Zn及伴生金属浸出率影响不大;随着碱浓度的增加,Zn、Al浸出率增加明显,Pb、Cd浸出率增加缓慢,Fe基本不被浸出;随着浸出温度的提高,Zn的浸出率大幅度增加,温度从25℃升高到85℃,浸出率增加了近50个百分点,Al的浸出率在25~60℃范围内增加缓慢,基本保持在20%附近;当温度从60℃升高到85℃时,Al的浸出率也由22.3%大幅度增加到45.5%;随着浸出时间的延长,Zn和Al的浸出率增加,但是增加缓慢,Pb、Cd的浸出率没有太大的变化。液固比从6∶1增加至12∶1,Zn、Al、Pb、Cd浸出率均有增加。     

浅析硅单晶COP缺陷的产生和消除

在集成电路飞速发展的过程中,特征线宽逐渐缩小,并要求无缺陷的衬底硅片。但由于单晶生长过程中会产生空洞性缺陷COP,直接影响了CMOS器件的GOI。通过改变热场温度梯度,可以有效改善单晶的COP,改善后的重掺Sb衬底经外延后,COP被"覆盖",而不对外延层造成影响。     

硅中的点缺陷的控制和利用

介绍依靠拉晶速度和固液界面处的轴向温度梯度之比，影响空位和自间隙原子在直拉硅单晶中的分布。合理设计热场分布，减少直拉硅单晶中的缺陷。低剂量氧离子注入能降低SIMOX硅片项层硅中的间隙原子浓度，从而降低穿透位错的密度。最近开发了一种称为MDZ的内吸除新技术，通过快速热退火控制硅片中空位浓度的分布，从而得到理想的氧沉淀行为，实现了可靠、可重复的内吸除。     

钼蓝分光光度法测定混合铅锌精矿中二氧化硅量的测量不确定度评定

对钼蓝分光光度法测定混合铅锌精矿中二氧化硅量的测量不确定度来源进行了分析，并对各不确定度分量进行了分析和量化，求得合成标准不确定度和扩展不确定度分别为0．12％和0．24％。