CuW/CrCu自力型整体触头界面还原及结合强度

自力型CuW／CrCu整体弧触头的立式熔接工艺是指在立式气氛可控烧结炉内对CuW触头部分与尾部CrCu熔结的过程，是制造整体触头的关键技术。CuW／CrCu整体弧触头的立式熔接首先要对CuW合金的界面进行还原处理，以清除在熔接前由于种种原因界面上出现的氧化夹杂等，确保界面的良好结合，尾部CrCu的cr含量是影响CuW／CrCu界面结合强度的另一重要因素，适当的Cr含量是必须的。     

铜钨(70)自力型触头的研制

本文对CuW（80）／CrCu与CuW（70）／CrCu两种自力型触头界面结合强度作了比较。研究了不同W粒粒度对CuW（70）硬度、电阻率、抗弯强度及抗电弧烧损性能的影响，用扫描电镜观察了触头烧损后的组织结构。阐述了电子束焊接方法的优点，探讨了焊后的检验手段。制造的CuW（70）／CrCu自力型触头装于ELF．SL2－1Ⅱ断路器上，通过了全部开关试验。     

整体烧结自力型CuW/CrCu弧触头的静态性能

1前言触头是高压开关的关键部件,其质量高低对开关的整体质量至关重要,开关厂对其性能的要求和检测历来十分严格,西安高压开关厂（以下简称西开厂）是国内对触头质量要求极其严格的厂家之一,这一点在为西开户提供LWB－500动静弧触头样品的过程中深有体会。西开厂曾对国内有些厂家粉末冶金整体式CuW／CrCu触头的静态性能作过检测[1],认为CrCu尾部的抗张强度偏低,需要改进。文献[2]中指出动弧触头触指的变形不均或变形大,会导致电烧损增大或开断失败,因而自力型CuW／CrCu整体触头的综合性能有待提高。本文介绍采用整体烧结方法…     

制造整体式粉末冶金Cu-W/CrCu触头元件的方法

本文介绍了用整体熔渗技术制造CU－W／CrCu触头元件的可行性及其工业化生产的工艺特点，同时比较了目前国内外制造Cu－W／CrCu触头元件常用的钎焊、电子束焊及整体熔渗等工艺方法所能达到的性能指标及其优缺点，并特别强调了整体熔渗工艺是制造Cu—W／CrCu自力型触头元件的最佳工艺。     

2005年度国家科学技术进步奖推介

“立式烧结熔渗技术及制备自力型CuW／CrCu整体电触头的研究与应用”获国家科学技术进步奖二等奖，“几种无机纳米材料的制备及应用研究”获国家科学技术进步奖二等奖，“粒子与光电材料相互作用的应用基础研究”获国家科学技术进步奖二等奖，“镍氢电池、电池组及相关材料产业化关键技术的研究与系统集成”获国家科学技术进步奖二等奖……     

CuW/CrCu触头材料抗拉强度的研究

重点研究了真空烧结方法制造的Cuw／CrCu高压开关弧触头材料的结合强度，并分析了制造方法对Cuw／CrCu触头材料结合强度的影响。在万能材料试验机上进行抗拉强度试验，结果显示，真空烧结方法制造Cuw／CrCu触头材料的抗拉强度最好，可以达到400MPa以上，能够满足超、特高电压和特大容量高压开关的技术要求。通过对断口的扫描电镜分析，发现真空烧结的触头材料结合面杂质含量少、无氧化物、孔隙少，这可能是导致真空烧结Cuw／CrCu触头材料的结合强度高的主要原因。     

热处理工艺对CuW触头材料组织及性能影响的研究

在W骨架中熔渗铬铜合金获得CuW合金,通过后续不同的热处理工艺获得不同元素分布的CuW合金。通过硬度、导电率综合评价制定合适的固溶时效温度。采用扫描电镜研究了不同热处理工艺下Cr元素的分布规律。结果表明,CuW合金的拉伸与压缩强度随着热处理过程逐渐增大。合金的耐电蚀强度中最大的为时效态处理,依次为熔渗态和固溶态CuW。烧蚀后熔渗态合金表面烧蚀形貌严重程度,时效态合金表面喷溅程度最小。     

钨粉粒径对熔渗法制备的CuW触头材料硬度的影响

本文研究了钨粉粒径对熔渗法制备CuW触头材料硬度的影响。结果表明：钨粉粒径过大时,会降低CuW触头材料的硬度;钨粉粒径过细小时,易在CuW触头材料中产生铜的富集;钨粉粒径5－7μm比较合适。     

氮气氛烧结CuW/Cu触头材料结合强度的研究

重点研究了氮气氛烧结方法制造的CuW/Cu高压开关触头材料的结合强度,并比较了不同制造方法对CuW/Cu触头材料结合强度的影响。材料抗拉强度试验结果显示,氮气氛烧结方法制造的CuW/Cu触头材料具有最高抗拉强度,达到275MPa以上,能够满足超高电压GIS的技术要求。通过对断口的扫描电镜分析,发现氮气氛烧结的CuW/Cu触头材料结合面无氧化、无碳化、无杂质析出,材料的组织致密、孔隙少,W颗粒大小分布均匀、被Cu均匀包覆。结合面纯净和Cu端材料的高硬度可能是导致氮气氛烧结CuW/Cu触头材料结合强度高的主要原因。     

熔渗法CuW触头材料W骨架压坯密度理论计算公式的研究

从理论上推导出熔渗法CuW触头材料W骨架压坯密度的理论计算公式和CuW合金化学成分与W骨架压坯密度的关系公式,分析并提出了W骨架压坯密度的控制范围。用化学分析方法测定了CuW合金的化学成分,用分析天平测试了CuW合金的密度。结果显示：熔渗方法制造的CuW触头材料,使用压坯密度理论计算公式确定的W骨架压坯,熔渗Cu后CuW合金实际化学成分与成分设定值吻合很好,CuW合金实际密度与密度设定值也吻合很好,并符合GB／T8320标准和用户的使用要求。实验证明,用熔渗法CuW触头材料W骨架压坯密度的理论计算公式,能正确地计算出W骨架压坯的密度,是一种合理的计算方法．对CuW触头材料的制造具有指导意义。     

非晶-晶化法制备微晶铜铬真空触头材料

本文提出了一种非晶－晶化法制备微晶铜铬触头材料的新工艺。该工艺制备的铜铬触头材料，其组织中散着几个微米大小的铬细晶颗粒。由于经过电弧熔炼过程，消除了熔渗法和烧结法制造的触头中存在的大颗粒夹杂现象。可提高触头质量及在真空开关中运行的可靠性。另外，该工艺对原料铜和铬的要求可以降低，工艺相对简单，适用于各种铬含量铜铬头触头的材料的制造，是一种高质量，低成本，便于大规模生产铜铬触头材料的新的制造工艺。     

整体弧触指CuW80—Cu结合强度的研究

本文论述了整体弧触指CuW80—Cu制造工艺的合理性和先进性。分析了CuW80—Cu结合强度低的原因。对影响结合强度的工艺因素、配料中诱导铜含量以及熔片Cu—Ag的成分进行了试验研究。找出了能保证具有良好结合强度的最佳诱导铜含量、熔渗片成分和合适的工艺。     

真空灭弧室制造技术的发展

目前用于真空开关的触头材料大概有3种：半难熔金属＋良导体,如铜铬（CuCr）合金;熔融金属＋良导体,如铜钨合金;铜合金,如铜铋等。在中压真空开关中,铜铬被认为是最佳的触头材料,它结合了触头材料中最关键的电性能于一身,即优良的导电性,高的开断电流能力,良好的抗电弧熔蚀性和很好的抗表面熔焊能力以及截流值小等。     

铜钨触头中频钎焊研究与应用

触头元件由紫铜(铬铜)与(CuW70)组成,在开关设备中起着关键作用,承受高温、高压、耐磨,并有一定的强度要求(冲击),其焊接质量的好坏直接关系到开关产品质量的优劣。笔者单位对触头焊接多采用火焰钎焊,效率低,合格率低,严重地制约着生产。为了解决这个难题,笔者通过大量工艺试验和详细论证认为,高速局部加热,氧化少、硬度降低小,效率高的中频感应加热是触头焊接的最有效的方法。     

真空电弧熔炼的铜铬触头材料组织性能分析

论述了铜铬触头的金相组织与形成机理、金相组织对电气性能的影响及影响结晶组织的工艺因素,阐明了电弧熔炼法铜铬触头材料具有铬在铜基体中呈均匀细小弥散分布的铜铬组织;在开断能力、抗熔焊性、介质恢复强度等电气性能方面均明显优于传统粉末冶金法铜铬触头材料。     

铜钨（70）自力型触头的研制

本文对ＣｕＷ（８０）／ＣｒＣｕ与ＣｕＷ（７０）／ＣｒＣｕ两种自力型触头界面结合强度作了比较。研究了不同Ｗ粉粒度对ＣｕＷ（７０）硬度、电阻率、抗弯强度及抗电弧烧损性能的影响扫描电了触头烧损后的组织结构。阐述了电子束焊接方法的优点，探讨了焊后的检验手段，制造的ＣｕＷ（７０）／ＣｒＣｕ自力型触头装于ＥＬＦ．ＳＬ２－１Ⅱ路器上，通过了全部开关试验。     

铜钨（70）自力型触头的研制

本文对ＣｕＷ（８０）／ＣｒＣｕ与ＣｕＷ（７０）／ＣｒＣｕ两种自力型触头界面结合强度作了比较。研究了不同Ｗ粉粒度对ＣｕＷ（７０）硬度、电阻率、抗弯强度及抗电弧烧损性能的影响，用扫描电观察了触头烧损后的组织结构。阐述了电子电子束焊接方法的优点，探讨了焊后的检验手段，制造的ＣｕＷ（７０）／ＣｒＣｕ自力型触头装于ＥＬＦ．ＳＬ２－１Ⅱ断路器上，通过了全部开关试验。     

专利

一种银氧化锡电触头材料的制备方法，一种制备钨铜合金的方法,熔体快淬铜铬钛锆钴触头材料,铜基合金电触头,高强度、高导电铜合金材料及其制备工艺,引线框架用铜合金及其制造方法.[编者按]     

烧结法与熔渗法铜铬触头微观组织差异及对电性能的影响

评述了熔渗法和混粉烧结法两种工艺制备的CuC触头的微观结构差异及对其电开断性能的影响。与熔渗法相比,烧结法制备的CuCr触头具有更好的抗熔焊性能、更低的截流值和更好的吸放气性能,但因其机械强度较低,耐压性能可能不如熔渗法触头。对两种工艺提出了改进的建议。     

钨铜电触头材料的周期式和连续式烧结对比分析

本文通过将同一钨铜触头材料分别在周期式和连续式烧结炉内烧结 ,并比较它们各自所获得的性能及成品率 ,得出不同钨铜合金应在相应炉型进行烧结的结论