用激光干涉法诊断准分子激光在YBa_2Cu_3O_(7-δ)靶表面激励的等离子体电子密度

目前氧化物高温超导薄膜的制备已有多种方法,其中准分子激光溅射法是最有前途的方法之一。准分子激光溅射法制备高温超导膜的最大特点就是其保成份性和高效率。由于其保成份性使得制备厚位超导膜成为现     

准分子激光溅射法制备高温超导薄膜机理研究的新进展

本文简要介绍准分子激光溅射法制备高温超导薄膜的实验技术。重点阐述了近年来由大量实验研究所揭示出的激光溅射及成膜过程的一些基本特点和规律。同时,对准分子激光制膜保成份蒸镀这一独特优点的机制进行了深入的讨论。     

脉冲激光溅射沉积YBCO超导薄膜

从激光与材料相互作用理论出发,分析了激光烧蚀材料等离子体羽辉的空间运动特征和成分分布;以YBCO/SrTiO_3为对象,从实验上系统研究了脉冲激光溅射沉积薄膜过程中薄膜质量与基片温度、基片-靶材距离、气体压强、激光脉冲能量以及重复频率等参数的关系;总结出在SrTiO_3(100)单晶基片上溅射沉积YBCO高温超导薄膜的最佳实验参数。     

利用激光制备高温超导薄膜和超导单晶的研究进展

本文综述了近年来利用激光制备高温超导薄膜和超导单晶材料的研究进展。主要介绍了脉冲激光淀积高温超导薄膜和激光加热基座生长高温超导晶体的基本原理、工艺特点和最新进展。最后展望了该技术的应用前景和发展方向。     

YSZ—Si上溅射BSCCO超导薄膜的二次溅射效应

本文对溅射高温超导薄膜的过程中所产生的二次溅射效应（Ｒｅｓｐｕｔｔｅｒ－Ｅｆｆｅｃｔ）作了较系统的理论分析，观察敢ＹＳＺ－Ｓｉ衬底上磁控溅射ＢＳＣＣＯ高温超导薄膜时二次溅射效应所产生的影响，并通过采用偏轴溅射代替轴溅射而有效地缓解了该效应。     

脉冲激光溅射沉积光学增益薄膜实验研究

用脉冲激光沉积方法,以多靶交替溅射方式,在SiO2/Si基底上沉积镱铒共掺Al2O3光学薄膜,讨论了脉冲激光能量对薄膜沉积速率、表面形貌、光致发光强度的影响.在脉冲激光能量较高条件下制备出的薄膜的光致发光性能较好,脉冲激光能量较低条件下制备出的薄膜的表面形貌较均匀.综合放大器增益系数对光致发光强度和光刻工艺对薄膜表面形貌的要求,薄膜应该在合适的激光能量下制备.脉冲激光溅射沉积方法与中频磁控溅射方法相比,在抑制上转换发光方面具有优越性.     

YSZ／Si上溅射BSCCO高温超导薄膜的工艺参数优化

本文研究了利用ＹＳＺ膜作缓冲层Ｓｉ衬底上溅射ＢＳＣＣＯ高温超导薄膜的生长工艺，分析了生长条件对Ｂｓｃｃｏ高温超导相的影响，并提出了ＹＳＺ／Ｓｉ上制备相ＢＳＣＣＯ膜的工艺参数。     

用离子束溅射法培植高温超导精细薄膜

本文描述了用离子束溅射法培植高温超导精细薄膜的原理和技术。探讨了工艺状态的实施和外部因子对薄膜生长过程影响的一些问题,给出许多具体实例。图1为溅射装     

采用RF溅射法研制成功高温超导薄膜

华中理工大学光学工程系采用RF溅射法成功地制出高温超导薄膜。这种薄膜的衬底力氧化锆,靶材为Y-Ba-Cu-O,薄膜厚度为1μm左右,转变温度为     

薄膜制备新技术及其应用研究

综述了近几年国内外在薄膜制备技术方面的研究进展，着重比较了蒸发沉积、溅射沉积、激光沉积、CVD、MBE和Sol-Gel等技术的优缺点，分析了这些技术在薄膜制备中应用前景。     

BST铁电薄膜的制备及介电性能研究

通过射频磁控溅射法,采用高温溅射、低温溅射高温退火两种不同的工艺制备了钛酸锶钡（BST）薄膜。分析两种不同的工艺对BST薄膜的结构、微观形貌及介电性能的影响。采用X线衍射（XRD）分析了样品的微观结构。采用扫描电镜（SEM）和台阶仪分别测试了样品的微观形貌和表面轮廓。通过能谱分析（EDS）得到了薄膜均一性的情况。最后通过电容 电压（C V）曲线测试得到BST薄膜的介电常数偏压特性。结果表明,与低温溅射高温退火工艺制备的BST 薄膜相比,高温溅射制备的BST薄膜结晶度好,致密性高,表面光滑,薄膜成分分布较均一。因此,采用高温溅射得到的BST薄膜性能较好。在频率300 kHz时,采用高温溅射制备的BST薄膜介电常数为127.5~82.0,可调谐率为23.86%~27.9%。     

二氧化钒薄膜用于激光防护时膜层厚度的计算

VO2膜作为相变温度最接近室温的热致相变材料,相变前透过率高,探测器可正常工作,吸收来袭激光能量相变后透过率低,起到保护探测器作用,可用在激光防护领域。膜层厚度对透过率有很大影响,采用吸收膜的特征矩阵方法加以分析,通过VO2膜的折射率及消光系数等光学参数,计算出薄膜相变前后透过率。按照符合透过率相变前75%,相变后5%的薄膜,计算出厚度,结合对溅射产额和溅射速率的计算,可得到制备时间。在硒化锌基片上制备了VO2膜,用红外分光光度计测量出相变前后透过率为79.2%和12.3%。样品经轮廓仪测量得到的厚度与计算得到的厚度基本相符。     

薄膜电阻器用磁控溅射高阻靶材

在用磁控溅射技术制备金属膜电阻器的生产过程中,靶材非常关键,它制约着金属膜电阻器的精度、可靠性、稳定性和电阻温度系数等性能.根据理论分析,提出了高稳定性的高阻靶材的最佳成分比例.自行设计了熔炼模壳及冷却方法,有效解决了因Si元素的脆性而引发的靶材开裂问题.溅射的金属膜电阻器,其高温储存试验、寿命试验、耐湿试验均达到了国家有关标准.     

柔性高温NiCr薄膜应变计研究

耐高温的NiCr薄膜应变计在航空、航天领域有广泛的需求。采用射频磁控溅射方法制备了NiCr薄膜,研究了溅射气压和衬底温度对NiCr薄膜电阻温度系数的影响规律,结果表明:当溅射气压为0.2 Pa,基片温度为400℃时,电阻温度系数最小为130.7×10^-6/℃。利用优化的工艺条件,在Hastelloy柔性合金衬底上制备了NiCr薄膜应变计,测试结果表明,所制备的NiCr薄膜应变计在各个温度下其电阻随着应变呈线性变化,其应变灵敏度(GF)因子随温度增加而增大,当温度超过200℃后,GF因子缓慢变化。温度为400℃时,GF因子达到3。实验得到的基于Hastelloy合金衬底的柔性薄膜应变计为高温应变测量提供了一种新的手段。     

磁控溅射YSZ薄膜的激光损伤阈值

利用射频磁控溅射方法在不同衬底上制备出掺Y2O3 8 %的YSZ薄膜, 用X射线衍射、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜和透射光谱测定薄膜的结构、表面特性和光学性能, 研究了退火对薄膜结构和光学性能的影响。结果表明：随着退火温度的升高, 薄膜结构依次从非晶到四方相再到四方和单斜混合相转变, AFM分析显示薄膜表面YSZ颗粒随退火温度升高逐渐增大, 表面粗糙度相应增大, 晶粒大小计算表明, 退火温度的提高有助于薄膜的结晶化, 退火温度从400 ℃到1100 ℃变化范围内晶粒大小从20.9 nm增大到42.8 nm; 同时根据ISO11254-1激光损伤测试标准对光学破坏阈值进行了测量, 发现与其他电子束方法制备的YSZ薄膜损伤阈值结果比较, 溅射法制备的薄膜损伤阈值有了一定程度的提高。     

中频脉冲溅射制备绒面ZnO透明导电薄膜

采用中频脉冲磁控溅射系统制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜。电阻率为5.57×10-4Ω·cm,载流子浓度2.2×1020cm-3,霍尔迁移率40.1cm2/V·s,可见光范围内(400～800nm)的平均透过率大于85%。用酸腐蚀的方法可以获得绒面效果。分析了气压和温度对绒面结构的影响,获得了适合薄膜太阳能电池要求的绒面ZnO透明导电薄膜。     

用激光干涉法实时监控同轴磁控溅射ZnO薄膜的厚度

本文介绍了一种在我所生产的TCJ-300型同轴磁控溅射设备上采用激光实时监控ZnO薄膜厚度的方法.实验结果表明,该方法与其它膜厚监控方法相比较具有多种优点:它可以在溅射过程中实时显示薄膜的厚度、均匀性和溅射速率等;本实验装置简单;操作方便;其监控精度优于1.5%.     

SRO薄膜的倒筒式直流溅射生长

采用倒筒式直流溅射方法在(001)LaAlO 3[LAO]基片上原位生长SrRuO3(SRO)薄膜,系统研究了基片温度、溅射气氛等工艺参数对SR O薄膜织构、表面形貌的影响。实验结果表明,在基片温度为720℃,氧氩比为1∶4的工艺条件下制备出了110取向、表面平整的SRO薄膜。     

基于皮秒激光诱导击穿光谱技术的镓酸锌薄膜的快速定量分析研究

采用射频磁控溅射方法在不同的溅射功率下制备了掺杂Ga元素的ZnO透明导电薄膜材料(ZnGa₂O₄, GZO),在GZO薄膜的制备过程中,溅射功率会对样品的组分配比产生影响,从而导致GZO薄膜的性能产生差异。文中利用皮秒激光诱导击穿光谱技术(PS-LIBS)对GZO薄膜进行了微烧蚀分析,对GZO薄膜的关键元素浓度比进行了快速定量分析研究。结果表明GZO薄膜的光学性能与元素谱线强度比之间存在一定的联系,随着溅射功率的增加,Zn/Ga的谱线强度比值与浓度比呈现出一致的变化,Ga元素的含量与样品的禁带宽度变化一致。同时,使用玻耳兹曼斜线法与斯塔克展宽法对等离子体温度与电子密度进行了计算。所有结果表明,PS-LIBS技术可以实现GZO薄膜关键组分配比的快速分析,为磁控溅射法制备GZO薄膜的工艺现场的快速性能分析、制备参数的实时优化提供了技术参考。