印制电路词汇(9)

528 face bonding:面焊接 为了电路面与基板面相接而将裸片组装在基板上的工艺。529 face down:倒装 形成芯片电路元件的一侧与基板面正向组合的状态即为倒装(如下图所示)。以这种方式构成的芯片代表就是倒装片。     

基于埋置式基板的3D-MCM封装结构的研制

研制一种用于无线传感网的多芯片组件(3D-MCM).采用层压、开槽等工艺获得埋置式高密度多层有机(FR-4)基板,通过板上芯片(COB)、板上倒装芯片(FCOB)、球栅阵列(BGA)等技术,并通过引线键合、倒装焊等多种互连方式将不同类型的半导体芯片三维封装于一种由叠层模块所形成的立体封装结构中;通过封装表层的植球工艺形成与表面组装技术(SMT)兼容的BGA器件输出端子;利用不同熔点焊球实现了工艺兼容的封装体内各级BGA的垂直互连,形成r融合多种互连方式3D-MCM封装结构.埋置式基板的应用解决了BGA与引线键合芯片同面组装情况下芯片封装面高出焊球高度的关键问题.对封装结构的散热特性进行了数值模拟和测试,结果表明组件具有高的热机械可靠性.电学测试结果表明组件实现了电功能,从而满足了无线传感网小型化、高可靠性和低成本的设计要求.     

倒装芯片底部填充工艺

从热疲劳故障的角度论述了倒装芯片底部填充的必要性，介绍了倒装芯片底部填充的参数控制。通过正确的底部填充，可提高倒装芯片组装的成品率和可靠性。     

专用倒装焊封装的开发与应用

倒装焊互连开始出现于各种封装结构中,倒装芯片封装(FCIP)现在已从30引线的CSP发展到2000引线以上的BGA中,该技术并不是一门新技术。倒装焊芯片最早是30多年前IBM公司推出,一直是在所生产的一些最高性能计算系统的核心。这个概念很简单,将一个小的焊料凸点从芯片的有源面直接到基板上。这种连接在电性能上远远优于线连接,因为它大大缩减了路径长度和相关的电感。其次,芯片与基板之间的导体连接点是同时完成,而不像丝焊封装那样一个接一个     

倒装芯片封装技术及内部应力检测技术探析

当前,倒装芯片封装技术已经成为相关领域的主流方法,但由于芯片、基板、焊球、下填料等材料具有差异化的热膨胀系数,导致封装过程中极易引入热应力,不利于保持芯片的性能及其可靠性。采用有效方法能够对倒装封装过程中所产生的应力进行检测,对于完善封装参数,提高产品可靠性,具有重要的现实意义。     

RFID芯片超声倒装封装技术研究

超声倒装是近年来芯片封装领域中快速发展的一种倒装技术,具有连接强度高、接触电阻低、可靠性高、低温下短时完成和成本低的优势,特别适合较少凸点的RFID芯片封装。在镀Ni/Au铜基板上进行了RFID芯片超声倒装焊接实验,金凸点与镀Ni/Au铜基板之间实现了冶金结合,获得了良好的力学与电气性能,满足射频要求。     

一种新型FC和WLP的柔性凸点技术

FC(倒装片)和WLP(圆片级封装)均要在圆片上制作各类凸点,它们与基板焊接互连后,由于各材料间的热失配可能造成凸点——基板间互连失效,从而影响了器件的可靠性和使用寿命。解决这一问题的通常做法是对芯片凸点与基板间进行下填充。本文介绍的柔性凸点技术是在焊球下面增加一层具有弹性的柔性材料,当器件工作产生热失配时,由于柔性材料的自由伸缩,将大大减小以至消除各材料间的失配应力,使芯片凸点与基板下即使不加下填充,也能达到器件稳定、长期、可靠地工作的目的。     

基于埋置式基板的3D-MCM封装结构的研制

研制一种用于无线传感网的多芯片组件（3D-MCM) . 采用层压、开槽等工艺获得埋置式高密度多层有机（FR-4）基板,通过板上芯片（COB) 、板上倒装芯片（FCOB) 、球栅阵列（BGA）等技术,并通过引线键合、倒装焊等多种互连方式将不同类型的半导体芯片三维封装于一种由叠层模块所形成的立体封装结构中;通过封装表层的植球工艺形成与表面组装技术（SMT）兼容的BGA器件输出端子;利用不同熔点焊球实现了工艺兼容的封装体内各级BGA的垂直互连,形成了融合多种互连方式3D-MCM封装结构. 埋置式基板的应用解决了BGA与引线键合芯片同面组装情况下芯片封装面高出焊球高度的关键问题. 对封装结构的散热特性进行了数值模拟和测试,结果表明组件具有高的热机械可靠性. 电学测试结果表明组件实现了电功能,从而满足了无线传感网小型化、高可靠性和低成本的设计要求.     

倒装片可修复底部填充材料的研究现状及发展

有机基板上的倒装芯片一般采用底部填充技术以提高其封装的可靠性.有缺陷的芯片在倒装后难以进行返工替换,使得倒装芯片技术成本提高,限制了此技术的应用.提出新型可修复底部填充材料的开发成为解决这一问题的有效途径.介绍了倒装芯片的可修复底部填充技术和可应用于可修复底部填充材料的技术要求,并综述了国内外对于可修复底部填充材料的研究现状.     

倒装芯片热电极键合工艺研究

文章将论述一种无掩模制造细小焊料凸点技术。利用热电极键合工艺将带有凸点的倒装芯片焊到基板上。此项工艺能将间距小至40μm的倒装芯片组装到基板上。文章也论述了间距为40μm、电镀AuSn钎料凸点的倒装芯片组装工艺技术。金属间化合物相的形成对焊点可靠性有重要影响,尤其是对于细小焊点。文中研究了金属间化合物相的形成与增加对可靠性的影响。讨论分析了热循环和湿气等可靠性试验结果。     

倒装片及其封装技术的现状和趋向

倒装片,系统级芯片,可编程逻辑器件,电子设计自动化,专用集成电路,数字信号处理等等技术是1999年中国电子界的技术热点。本文就倒装片和底部填充材料的现状与趋向作一介绍。1.倒装片倒装片(FlipChip)是在60年代发明的,是表面安装技术(SMT)最早使用的半导体封装片,也是最早...     

采用热压焊工艺实现金凸点芯片的倒装焊接

金凸点芯片的倒装焊接是一种先进的封装技术.叙述了钉头金凸点硅芯片在高密度薄膜陶瓷基板上的热压倒装焊接工艺方法,通过设定焊接参数达到所期望的最大剪切力,分析研究互连焊点的电性能和焊接缺陷,实现了热压倒装焊工艺的优化.同时,还简要介绍了芯片钉头金凸点的制作工艺.     

基于神经网络方法的半导体生产工艺优化

以提高生产成品率为目标,利用神经网络的非线性和容错性,对半导体芯片生产过程进行了分析和优化,具体内容如下：(1)使用神经网络方法建立模型,确定生产线上工艺参数和成品率之间的映射关系,构造以工艺参数为输入,成品率为输出的多维函数曲面.(2)对上述多维函数曲面进行搜索,搜索成品率最高的最优点,以该最优点的工艺参数值为依据确定工艺参数的规范值.(3)对工艺参数规范进行优化,在实际生产工艺中反复实践,直至达到提高成品率的目的.生产实践证明,神经网络的分析结果是合理的.根据神经网络分析提出的优化建议,有效地提高了工序能力指数和产品成品率的一致性,具有实际应用价值.     

避免发生芯片裂纹的倒装片BGA技术概述

介绍了把断裂力学法应用于倒装片BGA的设计方法。概述了一些关键的材料特性和封装尺寸对倒装片BGA芯片裂纹的影响作用，从而断定基板厚度和芯片厚度是倒装片BGA芯片发生裂纹的两个最重要的因素。     

大功率倒装单片集成LED芯片的自隔离散热技术

提出采用 自隔离散热技术解决大功率倒装单片集成LED芯片散热与绝缘之间的矛盾问题.基于自隔离散热技术原理,利用微纳加工技术,通过在AlN陶瓷基板上生长隔离金属岛制备自隔离散热基板.采用多胞串并联网络结构设计大功率倒装单片集成LED芯片,芯片尺寸为1.5 mmx4.5 mm.在200 mA的驱动电流下,大功率倒装单片集成LED芯片的正向电压为8.3 V,反向漏电流小于100 nA.当输入电流为2 A时,大功率倒装单片集成LED芯片的输入功率为20W,其最大光输出功率为8.3 W,插墙效率为42.08％,峰值热阻约为1.23 K/W,平均热阻约为1.17 K/W.     

电子封装与组装焊点界面反应及微观组织研究进展

软钎焊焊点界面反应是连接金属的最古老的冶金工艺过程。随着倒装芯片(FC)、球栅阵列(BGA)和芯片级封装(CSP)等面封装技术的兴起,近年来Sn基钎料被广泛应用于微电子制造,包括芯片和基板之间的封装互连以及基板与印制电路板之间的组装互连。这就需要系统地研究Sn基钎料焊点界面反应及微观组织。从形态学、热力学和动力学的角度回顾总结了SnPb共晶钎料、高Pb钎料和无Pb钎料与Cu、Ni、Au/Ni/Cu、PdAg焊盘之间的界面反应。     

智能卡/IC模块使用高分子倒装芯片工艺(PFC)封装装配的可靠性

高分子倒装芯片(PFC)工艺作为一种新兴的、更经济的以及更为先进的芯片装配的方法及某些应用已发表。另外,应用于智能卡和PCMCIA卡的倒装芯片安装技术也已被公开。本文的焦点话题是使用EPOTEK的高分子倒装芯片工艺技术装配的智能卡/IC微电子模块耐受高热和环境磨砺的可靠性。。所选取的测试样本均为4K系列EPROM器件,都是按照ISO7816-1,2或ISO7810的要求和标准进行装配并测试的。可靠性测试项目包括:-35C/24小时的低温存储,125C/48小时的高温存储,-30C到70C冷热循环10次,85C/85%RH恒温/恒湿存储96小时;测试项目还包括:96小时的盐雾环境存储和ESD敏感度测试(MS3015-4KV)。最后进行的测试是135C烘烤1000小时后各项性能数据的保持力。在个人电脑界面上植入一种智能卡读取器,用于运行一个诊断软件程序。一种可重复利用的卡片固定器被用于在诊断测试过程中临时固定那些装配好的内存芯片模块。这种软件程序被设计为分别在芯片装置上的每一存储区域写上一组特别的原始数据,然后再将这些数据读取回来,与原始数据相比较,确定是否有错误,最后把结果显示出来。高分子倒装芯片装配的“成功”或“失败”的判断方法就这样得以建立。PFC工艺装配得到的智能卡模块可以达到以上耐受环境和电气可靠性的全部要求。在智能卡的制造历史上,高分子倒装芯片工艺是被第一次成功地使用,使用这种技术在芯片的连接垫片和基板连接点之间创建的导电连接能经受所有的可靠性测试。PFC技术虽为新生事物,但是已经被证明它在智能卡模块的装配上是低成本和高可靠性兼备的疏遇难求的通途。     

倒装芯片放置工艺的设计分析

对倒装芯片不流动底部填充胶进行压迫流动填充,底部填料会对倒装芯片产生流体静态压力,阻碍芯片向下放置。根据牛顿流体挤压流动的静态近似分析估算出底部填料对芯片的作用力,分别计算在两种不同工艺条件下放置压力达到最大时,两种不同规格芯片与基板的间隔距离,比较与芯片凸点高度,然后计算使芯片凸点与基板键合区实现接触所需放置压力的最小保持时间,从正反两个方面讨论关键参数等对倒装芯片工艺设计影响。     

倒装芯片下填充工艺的新进展(一)

为了增加在有机基板上倒装芯片安装的可靠性,在芯片安装后,通常都要进行下填充。下填充的目的是为了重新分配由于硅芯片和有机衬底间热膨胀系数失配产生的热应力。然而,仅仅依靠填充树脂毛细管流动的传统下填充工艺存在一些缺点。为了克服这些缺点,人们研究出了一些新的材料和开发出了一些新的工艺。     

倒装芯片下填充工艺的新进展(二)

为了增加在有机基板上倒装芯片安装的可靠性,在芯片安装后,通常都要进行下填充。下填充的目的是为了重新分配由于硅芯片和有机衬底间热膨胀系数失配产生的热应力。然而,仅仅依靠填充树脂毛细管流动的传统下填充工艺存在一些缺点。为了克服这些缺点,人们研究出了一些新的材料和开发出了一些新的工艺。