简易直流电子负载的设计分析

文章分析了本系统是一个具有较高精度的直流电子负载,它采用MSP430单片机做为主要控制芯片。其子系统包括电源模块、电子负载模块、检测电路模块、采样模块、显示模块和过压保护模块。系统通过软件设计可工作于恒流模式,采用康铜丝检测电流,以电压为信号方式反馈至单片机,进而控制D/A输出,提高了恒流控制的精度。系统工作电流可稳定在100m A-1000m A,分辨率10m A,增加了保护电路,当被测电源电压高于18V时,自动进入保护状态。     

一种应用于CAN总线芯片的过压保护电路设计

为解决传统过压保护电路功耗大、易受干扰的问题,基于0.25μm CMOS工艺设计并实现了一种应用于控制器局域网络(CAN)总线芯片的过压保护电路。其作用是当芯片端口电压高于电源电压或低于地(GND)电平时为芯片提供保护信号,阻止电流倒灌入芯片。在3.3 V电源电压下,该电路具有迟滞功能,防止其受到噪声干扰反复打开和关闭芯片。仿真结果表明,端口电压高于3.55 V时电路提供保护信号,重新下降至3.35 V后系统恢复工作;同理,端口电压低于-0.25 V时电路提供保护信号,重新上升至-0.05 V后系统恢复工作。流片测试结果显示该电路可以为CAN总线芯片提供有迟滞的过压保护功能,与符合仿真结果基本一致。     

高性能晶体振荡器及频率校准电路设计

设计了一种高性能Pierce晶体振荡器及频率校准电路。采用耗尽型NMOS管实现低功耗的1.5 V基准电压,晶体振荡电路采用基准电压供电,降低了振荡器的功耗同时提高输出频率的精度。为了进一步提高输出频率的精度,芯片内部集成熔丝修调电路,通过校正晶振负载电容,实现芯片封装后振荡电路输出频率的校准,校准范围为(-52.216 ppm,54.962 ppm),校准最大步长为3.723 ppm。增加数字方式校准电路,在具有温度检测功能的系统中,可以扩展实现计时的温度补偿功能,提高芯片的计时精度,校准范围为(-189.100 ppm,189.100 ppm),校准步长为3.050 ppm。电路在0.5μm-5 V CMOS工艺上实现。整个时钟芯片版图面积为0.842 mm×0.996 mm。     

用于高侧开关的短路限流及保护电路

提出了一种用于高侧开关的短路限流及保护电路。电路采用二级保护的方式,当短路检测电压不为零且低于参考电压时,限制栅源电压,对电路限流;当短路检测电压高于参考电压时,则延时一段时间后关断功率管。芯片采用0.18μm 100 V BCD工艺流片。测试结果表明,在先工作后短路和先短路后工作两种情况下,功率管均处于正常工作状态。电路工作电压范围为4～80 V,短路延时时间约200μs,输出最大可持续电流可达80 A。     

电流模控制高效同步DC-DC芯片设计

采用0.18μm工艺设计一款同步高效降压型DC-DC电源芯片.为了实现快速响应、提高转换效率以及减小芯片面积的目的,该芯片采用电流模控制,应用电压外环与电流内环双环控制方式实现电路的快速响应和系统环路的稳定性.带补偿的电流检测电路能有效提高采样速度与精度.采用死区缓冲技术设计死区时间可调的缓冲器,并对误差放大器中补偿网...     

低压差电压调整器中热保护电路的设计

针对常见电压调整器芯片由于热保护电路高温端性能的限制,导致调整器在较高工作温度下输出电压稳定性变坏的缺点,提出一种可用于低压差电压调整器的高性能热保护电路的设计。通过改进热保护电路的电路结构及版图设计,在保证热保护电路的关断精度达到±0.5℃的同时,改善了电压调整器高温段的输出电压稳定性。用Spectre对电路进行仿真的结果表明,采用该热保护电路的电压调整器在0℃～150℃范围内的输出电压精度保持在0.5%之内,输出电压的温漂达17.5ppm/℃。此外,设计的热保护电路结构简单,占用芯片面积小,可在双极型或BCD(BipolarCMOSDMOS)工艺下实现,应用于多种电源管理芯片设计中。     

一种非对称欠压锁定电路设计

传统带隙基准结构的欠压锁定(UVLO)电路存在结构复杂、温漂特性差、功耗高等缺陷。为精准实现低温漂,提出了一种欠压锁定电路结构,该结构基于差分放大器的非对称性产生滞回电压,进而降低了阈值电压的温度敏感性,提高了阈值电压的精度。该欠压保护电路通过反馈控制法产生了上、下门限阈值电压,克服了单个阈值抗干扰能力差的缺点。电路基于0.18μm BCD工艺设计,仿真结果表明：当电源电压高于上门限阈值电压(V_IH)2.2 V时,芯片系统正常工作;当电源电压低于下门限阈值电压2.01 V时,芯片系统被关断;在-55～+125℃温度范围内,该电路的滞回电压为0.19 V,V_IH温漂为0.01 V,滞回电压温漂为0.07 V,且该欠压锁定电路的功耗在3 V电源下为9.54μW。     

基于简洁电阻网络的高精度基准电压源设计

随着生产工艺的不断进步和芯片复杂度的增加,系统级芯片对稳压源精度、稳压值多样化、稳压源版图面积的要求越来越高。在充分考虑工艺误差的前提下,设计了一款基于1.5μm 36V双极工艺的可调基准电压源。该电压源在传统二管能隙基准源的基础上进行改进,增加了一个新型可调电阻网络,从而缩减了版图面积、降低了功耗。流片后带隙电压的精度能保证在0.8%,温度系数为1.8×10-5/℃,并可根据需要在大于1.205V、小于VCC的电压范围内调节基准电压值。     

单芯片极窄微弱脉冲检测系统设计

采用0.18μm CMOS工艺设计了一款单芯片集成极窄微弱脉冲检测系统,该芯片包括输入匹配、放大器、脉冲展宽器、驱动及带隙基准电压电流产生电路。为提高检测系统灵敏度,文章采用了多级放大器级联以及有源电感。测试表明该芯片可以检测1ns脉宽10mV的脉冲,输出数字信号,可以应用于OOK系统接收机,接收超过40M数据率的清晰视频。该芯片低功耗、低成本,具有研究和实践推广价值。     

基于耗尽型工艺的锂电池充电保护芯片设计

提出了一种基于耗尽型工艺的单节锂离子电池充电保护芯片设计。阐述了此芯片的设计思想及系统结构,并对芯片关键电路的独特设计方法及原理进行了详细分析,特别是基准电路和偏置电路,利用耗尽型工艺使电路具有非常低的电源启动电压和功耗。在Hspice中仿真了采用0.6μm的n阱互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺制作全局芯片的测试结果。验证了此芯片具有过电压检测、过电流检测、0 V电池充电禁止等功能,可用于单节锂离子电池充电的一级保护。     

锂电池保护电路的芯片设计

介绍了锂电池保护电路的一般设计原理，并根据此原理提出了作者的设计思想，以及一部分功能电路的实现方法。     

接入IP

首先分析信息时代的接入特点,讨论了在ＩＰ网上承载不同业务的方法,研究了支持ＩＰ结构信号传送的方式,并说明适于ＩＰ接入的传输技术．最后介绍了ＩＴＵ－Ｔ对ＩＰ接入的研究要点。     

E-MAN新技术

描述了E-MAN的基本现状和网络结构,对E-MAN、SDH-MAN和E-MANoverRPR三种技术进行了比较,重点介绍了E-MANoverRPR、E-MPLS技术原理,并指出这两种E-MAN新技术的优势所在。     

VoIP与TDMoIP

简要分析了IP上的话音业务（VoIP)和IP上的时分复用（TDMoIP)，并对二者作了比较；最后介绍了TDMoIP的应用情况。     

有限流保护功能的霍尔电流传感器

简单介绍了闭环式霍尔电流传感器的工作原理,在其基础上提出了一种限流保护电路,使得霍尔电流传感器原边电流过载时输出电流钳位,保障其满足3倍甚至更高倍过载要求,并通过了试验验证。     

压敏电阻后备保护技术

本就目前所存在的各种压敏电阻后备保护技术进行分析论述。     

变压器的过电压现象及其保护措施

本文通过分析变压器过电压的影响和原因,找到了针对性的防护方案.     

宽带卫星多媒体标准化

欧洲电信标准学会（ETSI）正在研发未来宽带卫星系统的标准,本提供对ETSI研究工作的总看法，同时还提供其它标准组织，例如DVB计划，ITC和TETF的研究情况，探讨潜在的应有领域。     

IP传送新技术及发展趋势

结合 ATM、SDH、WDM等技术的特点 ,讨论了 IP over ATM、IP over SDH、IP over WDM/optical及光联网等 IP传送新技术 ,并对未来传输网络的发展趋势进行了展望。     

基于HFC的远程多媒体监控系统的实现

从目前CATV网HFC结构的特点出发，分析基于HFC的远程多媒体监控系统实现的几项关键技术，并给出相应功能模块和系统框图。